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董建新

作品数:24 被引量:39H指数:3
供职机构:重庆大学数理学院更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”重庆市自然科学基金重庆市科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 10篇透明导电
  • 8篇P型
  • 7篇透明电极
  • 7篇欧姆接触
  • 5篇P型GAN
  • 4篇散热
  • 4篇散热性
  • 4篇散热性能
  • 4篇透明导电膜
  • 4篇LED
  • 3篇氮化铝
  • 3篇氮化铝薄膜
  • 3篇性能研究
  • 3篇肖特基
  • 3篇ZNO
  • 3篇GAN
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇势垒
  • 2篇透光
  • 2篇透明导电薄膜

机构

  • 24篇重庆大学
  • 3篇重庆师范大学
  • 1篇广东省建筑设...
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇中国兵器工业...

作者

  • 24篇董建新
  • 19篇方亮
  • 16篇张淑芳
  • 11篇高岭
  • 8篇彭丽萍
  • 5篇陈勇
  • 4篇张文婷
  • 3篇刘高斌
  • 3篇汪立文
  • 3篇付光宗
  • 2篇孔春阳
  • 1篇孙建生
  • 1篇李丽
  • 1篇李秋俊
  • 1篇万蕴杰
  • 1篇冯世娟
  • 1篇李现华
  • 1篇吴芳
  • 1篇陈希明
  • 1篇徐勤涛

传媒

  • 3篇真空科学与技...
  • 3篇2007高技...
  • 2篇功能材料
  • 2篇材料导报
  • 2篇微型计算机
  • 2篇中国真空学会...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇2007高技...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 13篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究被引量:2
2007年
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。
杨丰帆方亮孙建生徐勤涛吴苏友张淑芳董建新
关键词:光电性能
P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极,它通过采用CIO透明导电薄膜结构,使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15%以上,可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率,...
方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
文献传递
p-GaN上透明电极的研究现状
GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,影响器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料。本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触的基础上,从电极的制备方法、光电特性等方...
董建新方亮张淑芳高岭
关键词:透明导电膜GAN欧姆接触透明电极
文献传递
p型GaN上透明电极的研究现状
GaN 基发光器件通常采用金属作为 p 型 GaN 的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料。本文在分析 p-GaN 上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了...
董建新方亮张淑芳高岭孔春阳
关键词:透明导电膜GAN欧姆接触透明电极
文献传递
P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法,其工艺步骤为:1)在P型GaN上以物理气相沉积方式,沉积第一导电层;第一导电层厚度范围2到100埃;2)在第一导电层上以物理气相沉积方式,沉积CdIn<Sub>2</...
方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
文献传递
ZnO上欧姆接触的研究进展
为制备高性能的 ZnO 基器件如 uv 光发射器/ 探测器、场效应晶体管,在 ZnO 上形成优良的金属电极是十分必要的.回顾了近年来 ZnO 上制备欧姆接触的新进展,对在 n 型 ZnO 上制备欧姆接触的 Al,Al/P...
董建新方亮张淑芳彭丽萍张文婷高岭
关键词:ZNO欧姆接触肖特基势垒透明电极
文献传递
衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响
采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了 AlN 薄膜,用 X 射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成。结果表明,AlN 薄膜主要含有 AlN,存在少量 AlO及一些其它杂质;...
张淑芳方亮付光宗董建新彭丽萍
关键词:氮化铝薄膜磁控溅射XPSAFM
文献传递
计算机上的触摸屏技术
2006年
技术的进步往往是所有人都意想不到的,也许就在别人费劲地敲打键盘和鼠标时,你只需动一下手指就可以解决所有的问题,这一切并不是因为你比他们都技高一筹,而是你选择了正确的工具——触摸屏。
张文婷张淑芳董建新
关键词:触摸屏技术计算机鼠标键盘
p型GaN上透明电极的研究现状被引量:3
2007年
GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明.
董建新方亮张淑芳高岭孔春阳
关键词:透明导电膜GAN欧姆接触透明电极
p型透明导电CuAlO_2薄膜的透光性能研究被引量:3
2012年
CuAlO2(CAO)透明薄膜是一种铜铁矿结构p型直接带隙透明氧化物薄膜,该型薄膜样品的可见光透射率高达80%。随着基片温度的升高,薄膜的透射率减小;随着工作压强和靶基距的增大,薄膜的透射率增大;随着退火温度的升高,薄膜的透射率增大,有"蓝移"现象;随着溅射时间的延长,薄膜的透射率减小,也有"蓝移"现象。目前,利用该薄膜已成功制得了透明的臭氧传感器和透明光电板等器件,显示了CAO的应用前景。
汪立文万蕴杰高岭董建新
关键词:光学特性透射率
共3页<123>
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