祝莹莹
- 作品数：12 被引量：17H指数：2
- 供职机构：河南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西大学科学技术研究重点基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学电子电信更多>>
- 一种超分辨共振干涉光刻结构
- 本发明涉及一种超分辨共振干涉光刻结构，依次包括第一对称分布的非对称纳米单缝金属结构层、光刻胶层、第二对称分布的非对称纳米单缝金属结构层和衬底层。第一对称分布的非对称纳米单缝金属结构层和第二对称分布的非对称纳米单缝金属结构...
- 杨学峰张书霞曾钰汪舰贾二广祝莹莹
- 文献传递
- 用正电子湮没技术研究TiAl合金中3p-3d电子的相互作用
- TiAl合金具有很好的高温强度和抗蠕变性能,特别是它比许多其它超合金有着更低的密度/(3.91g//cm~3/)和更高的推重比,因而被认为是理想的轻量型航天航空用高温材料。
TiAl合金是具有...
- 祝莹莹
- 关键词：力学性能
- 文献传递
- 石墨和纳米碳中缺陷和电子动量的研究
- 用正电子湮没技术研究了石墨和纳米碳中的缺陷和电子动量．结果表明,纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大干和高于石墨晶体．纳米碳中存在开空间小于单空位的自由体积以及开空间相当于约10个空位聚集体的微孔洞．石墨晶体中的自由电子...
- 邓文周银娥祝莹莹黄宇阳刘起秀熊良钺
- 关键词：正电子湮没石墨纳米碳电子动量
- 文献传递
- 含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究被引量：1
- 2008年
- 通过测量过渡金属元素(Ti,V,Cu)以及TiAl基合金(Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2)的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息.结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强.二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金.
- 邓文陈真英江海峰孙顺平祝莹莹黄宇阳
- 关键词：TIAL合金正电子湮没
- 用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响被引量：2
- 2009年
- 测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50Al48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息。结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大。在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加。Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金。讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响。
- 祝莹莹邓文孙顺平江海峰黄宇阳曹名洲熊良钺
- 关键词：TIAL合金正电子湮没技术
- 二元Fe-Al合金中3d电子行为的实验研究
- 本文测量了不同化学成分的二元Fe-Al合金的符合正电子湮没辐射多谱勒能量展宽谱.结果发现,正电子与Fe-Al合金中的3d电子湮没的几率均很低.这表明:当Fe和Al原子形成二元Fe-Al合金时,由于晶格中最邻近的Fe-Al...
- 周银娥邓文祝莹莹黄宇阳熊良钺
- 关键词：二元合金正电子湮没共价键
- 文献传递
- 一种超分辨共振干涉光刻结构
- 本发明涉及一种超分辨共振干涉光刻结构，依次包括第一对称分布的非对称纳米单缝金属结构层、光刻胶层、第二对称分布的非对称纳米单缝金属结构层和衬底层。第一对称分布的非对称纳米单缝金属结构层和第二对称分布的非对称纳米单缝金属结构...
- 杨学峰张书霞曾钰汪舰贾二广祝莹莹
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- 一种单向激发表面等离子体波的纳米共振干涉光刻结构
- 本发明涉及一种单向激发表面等离子体波的纳米共振干涉光刻结构，具体为基于单向激发表面等离子体波的超分辨纳米波导共振干涉光刻结构，包括金属薄层、光刻胶层、金属梯形薄层和衬底层。光刻胶层和金属梯形薄层构成了单向激发表面等离子体...
- 杨学峰张书霞汪舰鲁忠良刘振深贾二广祝莹莹凡瑞霞
- 文献传递
- 符合正电子湮没多谱勒展宽技术研究合金元素对Fe3Al合金中3d电子的影响
- 测量了Al、Fe、Mo、Nb和Cr等纯金属和分别含Si、Mo、Nb和Cr的Fe3Al基合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱,结果表明:当Fe和Al原子形成Fe-27.5Al合金时,由于晶格中最邻近的Fe-Al原子对之间发...
- 邓文周银娥祝莹莹黄宇阳熊良钺
- 关键词：正电子湮没合金元素FE3AL基合金
- 文献传递
- 掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文)被引量：3
- 2006年
- 测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。
- 邓文祝莹莹周银娥黄宇阳曹名洲熊良钺
- 关键词：TIAL合金电子密度正电子湮没
