王显盛
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：广东工业大学物理与光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Ga(Al)2O3:Cr3+结构与发光性能研究
- 王显盛王银海万敏华许克黎达荣
- 关键词：CR3+晶体场长余辉
- Zn元素替代对MgGa_2O_4∶Cr^(3+)的结构和发光性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用高温固相法按化学式ZnxMg(1-x)Ga2O4∶Cr3+(x=0,0.2,0.6,0.8,1.0)配比原料制备了一系列红色长余辉发光材料。X射线衍射(XRD)分析表明样品物相均为面心立方结构。光致发光特性表明样品的红光发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2 E—4 A2跃迁所致,Cr3+的激发带与基质发射带之间有大面积重叠,两者间存在有效的能量传递。余辉衰减曲线与热释光谱分析表明,不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同,是由于其中存在的陷阱能级深度不同,且陷阱能级越深,其余辉时间越长。
- 张万鑫王银海李海玲王显盛赵慧
- 关键词：长余辉CR3+
- ZnGa2O4:Cr3+的光学特性和余辉机制
- 李海玲王银海张万鑫王显盛万敏华赵慧
- 关键词：CR3+余辉量子隧穿
- Zn2GeO4:Eu3+/Mn2+的长余辉性能研究
- 万敏华王银海王显盛许克黎达荣
- 关键词：长余辉本征缺陷
- 掺杂Ge对ZnGa2O4:Cr3+发光性能和结构的影响
- 张万鑫王银海李海玲王显盛赵慧
- 关键词：长余辉CR3+量子隧穿
- Eu^(3+)掺杂CaO的合成与红色长余辉发光性能研究被引量：2
- 2012年
- 采用共沉淀结合高温分解方法合成了CaO:Eu3+红色长余辉发光材料.X射线衍射分析表明,随着温度的升高,产物相结构逐渐由碳酸钙的混合相变为单相结构,继而生成单相氧化钙结构.CaO:Eu3+的激发谱显示为255nm左右的一个宽激发带和393nm的激发峰,宽激发带来源于CaO晶格的电荷迁移(CTB),发射光谱对应于Eu3+的5D→7FJ(J=0,2,3,4)的跃迁.室温观察到CaO:Eu3+强的红色长余辉发射,热释光测量证实在CaO:Eu3+中存在深度大约为0.69eV的陷阱能级,这是CaO:Eu3+在室温具有红色长余辉的微观原因.存在的陷阱能级可能来源于Eu3+取代Ca2+进入晶格后,由于电荷的不等价替换而引入了电子陷阱.余辉衰减曲线的研究表明,样品的余辉发光可能与陷阱及发光中心之间的量子隧穿有关.
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- 关键词：长余辉
- Al替代对β-Ga_2O_3∶Cr^(3+)结构与发光性能影响被引量：3
- 2013年
- 高温固相法制备了(Ga1-x Alx)2O3∶Cr3+(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)系列荧光粉。X射线衍射分析表明Al 3+含量增加后,物相依然保持β-Ga2O3的相。此外随着Al离子含量的逐渐增加,高衍射角峰位向右移动表明Al离子进入了β-Ga2O3晶格中。激发光谱中258,300,410和550nm左右的峰位分别对应基质Ga2O3的带与带的吸收跃迁、电荷迁移带跃迁、Cr3+的4 A2→4 T1以及4 A2→4 T2跃迁。随着Al离子掺杂量的增加,激发光谱峰位都呈现出不同程度的蓝移现象,这分别是由于基质的带隙能量、Cr3+与配体之间的电负性以及晶场强度增大所导致的。在发射光谱中,随着Al 3+替代Ga3+,Cr3+的发光由宽带发射变为窄带发射,这是由于Al 3+的掺入改变了Cr3+周围的晶场,从而Cr3+的红光发射由原来的4 T2→4 A2变为2 E→4 A2跃迁发射。Al离子掺杂改善了样品的长余辉发光特性,并且Al离子含量达到0.5时显示出较长时间的肉眼可见的近红外余辉发射。热释发光曲线显示材料中具有合适的陷阱能级,这也是材料产生长余辉发光的原因。
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- 关键词：长余辉近红外
