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王新华

作品数:6 被引量:15H指数:2
供职机构:湖南大学物理与微电子科学学院应用物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇态密度
  • 3篇晶格
  • 3篇高温超导
  • 3篇超导
  • 3篇超晶格
  • 2篇电子结构
  • 2篇应变超晶格
  • 2篇子结构
  • 2篇高温超导氧化...
  • 2篇YBACUO
  • 2篇超导氧化物
  • 1篇导体
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀铝
  • 1篇镀铝
  • 1篇镀液
  • 1篇多元合金
  • 1篇应变层
  • 1篇应变层超晶格
  • 1篇有定性

机构

  • 6篇湖南大学
  • 2篇清华大学

作者

  • 6篇王新华
  • 4篇王玲玲
  • 2篇王怀玉
  • 2篇邓辉球
  • 2篇李小凡
  • 1篇胡望宇
  • 1篇彭军
  • 1篇高学宝
  • 1篇唐黎明

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇Journa...
  • 1篇金属学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2001
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
电镀铝的研究进展被引量:12
2001年
综述了有机溶剂和熔融盐电镀铝的各种镀液配方和施镀情况及相关参数。对这两大体系电镀铝的方法作了比较,探讨了各自的反应机理和特点。还介绍了当前电镀铝的应用及发展前景。
李小凡王玲玲王新华胡望宇
关键词:有机溶剂电镀铝镀液
掺氟对Y-Ba-Cu-O高温超导体电子结构的影响
2004年
采用Recursion方法计算了不同掺氟量和不同替代位置下Y-Ba-Cu-O的电子结构,从掺氟Y-Ba-Cu-O各晶位的态密度(DOS),可进一步得到Fermi能EF、Fermi能级处的态密度N(EF)以及各晶位原子价等重要数据.各模型的计算结果表明,掺入氟后引起CuO2平面上Cu的原子价升高和O的价位变得更负,使Cu位空穴数目增加和O位空穴数目减少,且以后者的变化为主.掺氟改变了Y-Ba-Cu-O中CuO2平面上载流子的浓度,影响了电荷从CuO2平面向CuO链的转移,增加了Fermi面电子浓度,这可能是对高温氧化物超导电性产生影响的原因.
王新华王玲玲王怀玉邓辉球黄维清
关键词:氟掺杂态密度电子结构
YBaCuO-X高温超导氧化物和GaN/A1N应变超晶格电子结构的研究
采用recursion方法对卤素掺杂的Y-Ba-Cu-O和(GaN)/(AlN)(001)应变超晶格的电子结构进行了计算.recursion方法不需求解繁琐的Schrodinger方程而直接求出态密度,具有计算量小、能处...
王新华
关键词:态密度高温超导超晶格
文献传递
YBaCuO-X高温超导氧化物和GaN/AIN应变超晶格电子结构的研究
采用recursion方法对卤素掺杂的Y-Ba-Cu-O和(GaN)/(AlN)(001)应变超晶格的电子结构进行了计算。recursion方法不需求解繁琐的Schrdinger方程而直接求出态密度,具有计算量小、能处理...
王新华
关键词:态密度高温超导超晶格
文献传递
机械合金化多元非晶态合金形成规律研究被引量:2
2005年
分别以Miedema坐标、合金自扩散激活能△Hs与形成焓△Hf为参数坐标,将多元合金分解为若干相应的二元合金叠加,对有实验结果的128个二元和153个多元机械合金化(MA)非晶合金的形成规律进行了研究.结果:以上2种坐标中,分别可由一直线或曲线将非晶形成与非形成区分割,方程为:Miedema坐标,二元系,y=2.8600x+0.22;多元系,y=2.790 0x+0.27,总区分率均为80%;△Hs~△Hf坐标,二元系,y=-0.0005x2+0.20x-3;多元系,.y=-0.000 5x2+0.21x-25,总区分率分别为85%和83%.合金包含过渡族金属、涵盖非过渡族金属及类金属,并扩展至多元系,同时与已有定性以及半定量结果进行了比较.
王玲玲黄维清彭军李小凡唐黎明王新华高学宝
关键词:机械合金化二元系非晶态合金二元合金多元合金有定性
(GaN)_n/(AlN)_n应变层超晶格的电子结构被引量:1
2005年
以FreeStanding条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAORecursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级.最后分析了在超晶格中引入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响.
王新华王玲玲王怀玉邓辉球黄维清
关键词:应变层超晶格电子结构
共1页<1>
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