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王帅

作品数:32 被引量:16H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文基金:辽宁省自然科学基金辽宁省高等学校优秀人才支持计划更多>>
相关领域:电气工程化学工程电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 22篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 26篇电池
  • 13篇太阳电池
  • 10篇电流扩展
  • 10篇太阳能
  • 10篇太阳能电池
  • 9篇晶格
  • 8篇砷化镓
  • 7篇电极
  • 7篇抗辐射
  • 6篇衬底
  • 5篇晶格失配
  • 4篇量子阱结构
  • 4篇负电极
  • 4篇半透明
  • 4篇成核
  • 3篇隧道结
  • 3篇键合
  • 3篇P-I-N
  • 3篇INGAN
  • 2篇单晶

机构

  • 32篇中国电子科技...
  • 9篇天津蓝天太阳...
  • 1篇大连工业大学

作者

  • 32篇王帅
  • 20篇孙强
  • 18篇刘如彬
  • 13篇高鹏
  • 11篇张启明
  • 7篇肖志斌
  • 7篇孙彦铮
  • 7篇穆杰
  • 7篇康培
  • 5篇吴艳梅
  • 5篇李慧
  • 4篇王立功
  • 3篇许军
  • 2篇薛超
  • 2篇宋健
  • 2篇杨晓勇
  • 2篇唐悦
  • 2篇刘海港
  • 2篇姜明序
  • 2篇张恒

传媒

  • 7篇电源技术
  • 1篇广东科技
  • 1篇大连工业大学...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种晶格渐变缓冲层的制备方法
本发明涉及一种晶格渐变缓冲层的制备方法,步骤(1):以商用锗单晶、砷化镓单晶或磷化铟单晶为衬底;步骤(2):利用外延技术外延一层与衬底材料晶格匹配的材料作为成核层;步骤(3):在成核层外延生长晶格渐变层,该晶格渐变层由若...
刘如彬王帅孙强孙彦铮
GaAs太阳电池用Ge/Si衬底片的制备方法
本发明涉及一种GaAs太阳电池用Ge/Si衬底片的制备方法,其特点是:包括以下制备过程:⑴进行材料的p+型掺杂;⑵Ge片上注入H+离子;⑶抛光;⑷等离子活化;⑸低温键合;⑹退火;⑺剥离。本发明通过采用低温键合剥离的技术,...
高鹏王帅刘如彬康培孙强穆杰
文献传递
应用于太阳电池的InGaAs渐变缓冲层生长技术研究被引量:2
2010年
采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)进行了最终组分为In0.17Ga0.83As的渐变缓冲层结构的生长实验,获得了可以应用于晶格失配太阳电池性能优良的渐变缓冲层材料,并采用透射电镜(TEM)和X射线双晶衍射(XRD)进行了结构的相关性质研究。TEM截面图像表明,穿透位错被很好地限制在渐变层的初始阶段,渐变层成功阻止了穿透位错向结构表层的传播;同时,在TEM的平面模式中,表面几乎观察不到穿透位错的存在,表明其表面穿透位错密度小于107 cm-2量级。XRD的倒空间衍射(RSM)测试表明,缓冲层和其上的有源层接近完全弛豫,弛豫度分别为93%和96%,有源层存在微弱的压应变,表面残留应变小于0.04%。后续采用渐变缓冲层的晶格失配太阳电池器件正在制作中。
刘如彬王帅孙强孙彦铮
关键词:晶格失配太阳电池TEMRSM
一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法,使用金属箔作为转移支撑衬底,有效减轻器件重量,提高重量比功率,同时具有柔性功能。使用金属键合方法,具有稳定且良好导电性的连接方式,采用真空蒸发的方式制备键合金属层,...
姜明序石璘张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王帅王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
文献传递
Ⅲ-Ⅴ化合物半导体太阳电池的最新研究进展被引量:4
2009年
介绍了晶格失配和反向生长等新技术及量子阱等新材料在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体太阳电池方面的研究进展,探讨了相关的技术发展概况和技术难点,并就未来的发展趋势进行了展望。
刘如彬王帅张宝孙强孙彦铮
关键词:晶格失配太阳电池
InGaN/Si双结太阳能电池
本发明涉及一种InGaN/Si双结太阳能电池,包括n-Si衬底,其上面依次有AlN成核层、GaN缓冲层、n-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N层、p-In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
张启明王帅高鹏王保民刘如彬孙强穆杰
文献传递
量子点太阳电池研究进展被引量:2
2011年
分析了量子点太阳电池的物理机理。详细阐述了提高量子点太阳电池光电转换效率的两个效应:第一个效应是来自具有充足能量的单光子激发产生多激子;第二个效应是在带隙里形成中间带,可以有多个带隙起作用,来产生电子空穴对。综述了近年来量子点太阳电池材料和器件的研究进展,并对几个有待于进一步研究的问题进行展望。
康培刘如彬王帅张启明孙强穆杰
关键词:量子点太阳电池
碳酸氧铋修饰碳糊电极循环伏安法检测水体中的铜被引量:3
2019年
通过水热法制备了尺寸均一的碳酸氧铋,并以碳酸氧铋修饰的碳糊电极为工作电极,采用循环伏安法检测模拟水样中的铜离子。相较裸碳糊电极,碳酸氧铋修饰碳糊电极显示出了更强的铜离子氧化还原峰。当碳酸氧铋摩尔分数为0.50%时,修饰电极表现出最佳检测性能,且氧化电流与铜离子质量浓度在100~1 000μg/L具有良好的线性关系,检出限达到0.104 8μg/L。
辛悦王帅徐旸马红超
关键词:碳糊电极
组合热电池装配架的制备方法
本发明涉及一种组合热电池装配架的制备方法,其特点是:底板上加工出相邻两底板裙边、底板大加强筋和底板小加强筋围成的底板减重槽;顶板上加工出相邻两顶板裙边、顶板大加强筋和顶板小加强筋围成的顶板减重槽;将制作的拉杆固装于用底板...
杨晓勇王帅康培高鹏穆杰
文献传递
锗片清洗工艺对太阳电池性能影响的研究被引量:4
2009年
随着砷化镓太阳电池对锗片的需求,免清洗锗片的需求日益增加。本文在试验的基础上阐述了锗单晶抛光片的清洗机理。通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗工艺,利用该清洗工艺制备的锗抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求。
王帅
关键词:清洗工艺太阳电池
共4页<1234>
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