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王佳宁

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 2篇VDMOS
  • 2篇场限环
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电阻
  • 1篇优化设计
  • 1篇特征导通电阻
  • 1篇评测
  • 1篇终端结构
  • 1篇科学推理能力
  • 1篇课程
  • 1篇课程标准
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高压器件
  • 1篇功率MOS
  • 1篇分析模型

机构

  • 4篇东南大学

作者

  • 4篇王佳宁
  • 2篇孙伟锋
  • 1篇易扬波

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2009
  • 2篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
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中小学生科学推理能力的评测研究
科学推理能力是科学素养的重要组成部分，对学生探究和创新能力的发展具有促进作用。21世纪以来，各国家和国际组织在科学教育框架、科学课程标准及科学素养评测项目中对科学推理给予了充分关注。培养中小学生的科学推理能力是国际科学教...
王佳宁
关键词：科学推理能力课程标准
VDMOS终端结构研究
现代的电力电子技术无论对改造传统工业 (电力、机械、冶矿、交通、化学、轻纺等)，还是对新建高新技术产业(航天、激光、通信、机器人等)都至关重要，它的应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门，毫无疑问，它将成为本世纪乃至下...
王佳宁
关键词：高压器件分析模型电力电子功率MOS
文献传递
单个浮置场限环终端结构击穿电压模型被引量：1
2009年
基于B.J.Baliga的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7%之内,具有精度高、应用范围广等特点,可以帮助设计者初步确定浮置场限环注入窗口大小及与主结的间距等关键参数。
孙伟锋王佳宁易扬波
关键词：终端结构
1000V VDMOS的优化设计研究被引量：4
2007年
主要是寻找一种优化设计1000V的VDMOS的方法.通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型,找到影响器件静态特性的主要参数:外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深,针对以上主要参量的模拟,最终达到优化设计1000V的器件.通过用Rat=BV/Rdss来衡量优化程度,可以得到用穷举法模拟的相同结果并且模拟更简便、快捷.最终得到耐压1080V,特征导通电阻为3.41876E4mΩ·mm2的优化器件.
王佳宁孙伟锋
关键词：VDMOS特征导通电阻优化设计
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