江剑平
- 作品数：12 被引量：23H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 激光器件的进展被引量：1
- 1995年
- 本文根据１９９４年举行的第１０届国际激光与电光会议与国际量子电子学会议上有关激光器发展的报告综合而成。
- 江剑平
- 关键词：激光器件激光器
- 半导体光电子器件的研究进展
- 1995年
- 文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况。叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬ）、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。
- 江剑平
- 关键词：半导体器件激光器光电子集成半导体激光器
- 光电混合集成光逻辑反相器及与门单元
- ＜正＞ 近来,人们进行种种探索来研制各种各样的双稳光器件（BOD）。这类器件有潜力完成多种光数字处理功能。去年,我们采用光电混合集成技术,首次研制成功一种能实用的有源双稳光器件,它仅由一只半导体激光器、两只PIN光电探测...
- 张培亮江剑平孙成城何淑芳
- 文献传递
- 稀土铒的掺入对光晶体管性能的改善
- 1997年
- 使用稀土铒作为吸杂剂可以有效地减少背景载流子浓度达一个数量级以上，和传统工艺条件相比生长溶液的烘烤时间从60～70小时减至3～4小时，同时获得了高纯度的铟镓砷外延层和高质量的异质结．用于光晶体管使其光增益高达4000，和未使用铒吸杂剂相比增加近3倍．
- 孙成城何淑芳江剑平黄小康
- 关键词：光晶体管铒掺杂
- 单晶和多晶LaB_6阴极发射性能的实验研究被引量：13
- 2002年
- 讨论了由国内外 3个不同来源的六硼化镧 (LaB6)制成的阴极的发射性能 ,用标号 1# ,2 # ,3# 表示 ,其中 1# 是LaB6单晶阴极 ,2 # ,3# 分别是国外和国产的多晶阴极。实验主要测试了它们的发射特性 ,并作了简单分析 ,同时运用扫描电子显微镜、扫描俄歇微探针、X射线晶格衍射分析等手段对LaB6材料进行了分析 ,比较了LaB6材料质量与发射性能的关系。
- 姚剑峰陈旭江剑平李季高玉娟阎肃秋陈其略
- 关键词：单晶多晶阴极电子学
- 红外激光双光束无损检测的数据采集法被引量：1
- 1997年
- 讨论了红外激光双光束干涉信号的数据采集及在半导体器件无损检测中的应用。
- 江剑平陈汉祥
- 关键词：半导体器件无损检测数据采集激光干涉测量
- 宽光谱范围的异质结光晶体管
- 本实用新型涉及铟磷系异质结光晶体管,它由封装成一体的管座、管帽,安装在管座上的管芯和安装在管帽上的耦合透镜所组成,其特征在于所说的管芯侧面与所说的透镜准直。本实用新型对异质结光晶体管结构进行改进,使其扩宽了光谱范围,且具...
- 孙成城何淑芳江剑平
- 文献传递
- 用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应被引量：5
- 1994年
- 本文采用１．３μｍＨｅ－Ｎｅ激光或ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半导体激光作探针，实时、无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化．从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及由此产生的光相位调制．它适用干硅和砷化镓材料的电子和光电子器件．本方法也显示了在测量集成电路内部有源器件特性方面的潜在应用前景．
- 江剑平李艳和武建平许知止
- 关键词：半导体器件载流子浓度激光探针
- GaAs/GaAlAs激光放大器的双稳态特性研究
- 1989年
- 我们实验研究了Gn_xAl_(1-x)As法珀型激光放大器在失谐状态下的双穗态特性并给出了理论分析。双稳态特性是由入射光的折射率改变所致。实验结果与理论分析结果基本一致。最小临界触发功率约为30μW。
- 江剑平董杰黄小康李艳和
- 关键词：激光放大器双稳态GAAS/GAALAS
- 从CLEO’98看半导体激光器的最新进展被引量：3
- 1999年
- 根据ＣＬＥＯ’９８ 会议报道的有关内容，综述了半导体激光器的发展状况。重点叙述了大功率ＬＤ、可见光ＬＤ、中红外ＬＤ 及垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬ）
- 江剑平
- 关键词：半导体光电器件激光器
