毛宇亮
- 作品数：34 被引量：7H指数：1
- 供职机构：湘潭大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省教育厅科研基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>
- 窄带隙半导体材料的功能调控与计算模拟
- 毛宇亮袁健
- 随着近年来半导体行业对芯片专用化和传感器融合等新技术的生产需求，半导体器件技术中的材料微尺寸与功能调控研究成为重要热点。该项目针对窄带隙半导体材料的微结构及其直接带隙光子跃迁，结合红外探测和气体传感技术应用研究，瞄准器件...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料低维纳米结构光电功能材料
- 建设高性能计算平台,推动数学类研究生培养
- 2016年
- 高性能计算平台建设与数学、物理、计算机、生物等多学科涉及计算的研究工作密不可分,在培养高素质人才和支撑科技创新等方面起着重要作用.研究生教育肩负着为国家现代化建设培养高素质、高层次创造型人才的重任.本文探讨了新形势下高性能计算平台建设在研究生培养中的重要作用.阐述了依托学科优势,构建高性能科学计算平台对数学类专业研究生科研素质培养的推动作用,以及对促进研究生创新能力培养的重要意义.
- 袁健美舒适肖爱国毛宇亮
- 关键词：研究生培养
- 一种定向生长的GeSe<Sub>2</Sub>纳米线及其制备方法
- 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种定向生长的GeSe<Sub>2</Sub>纳米线及其制备方法。具体技术方案为：一种定向生长的GeSe<Sub>2</Sub>纳米线的制备方法，在真空环境下，将硒粉和锗粉在进行分别加...
- 毛宇亮邓纪财吴鑫
- 锯齿型石墨纳米条带电导的理论研究
- 采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法,对锯齿形石墨烯纳米条带(3-ZGNR)进行了理论研究,计算了其能带、态密度、透射谱及I-V曲线等.结果表明,此石墨烯纳米条带的导带和价带在费米面相接触,呈现金属性;给石墨条带加以...
- 毛宇亮李银涛李瑞廖建
- 关键词：导电材料电子输运电子态密度
- 氢化与非氢化石墨烯纳米条带的密度泛函研究被引量：2
- 2011年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了宽度N=8的边缘氢化和非氢化条带的结构和电子性质.研究表明,扶手形无氢化石墨纳米条带的边缘碳原子是以三重键相互结合,它在边缘的成键强度比氢化时要高,具有更强的化学活性,可作为纳米化学传感器的基础材料.能带结构计算表明,无论是扶手形条带还是锯齿形条带,它们都是具有带隙的半导体,且无氢化条带的带隙要比氢化的条带带隙宽度大,氢化对于条带的电子性质具有显著修饰作用.通过锯齿形石墨纳米条带顺磁性、铁磁性和反铁磁性的计算,发现反铁磁的状态最稳定,并且边缘磁性最强,这有利于条带在自旋电子器件中的应用.
- 袁健美毛宇亮
- 关键词：电子结构
- 纳米管、纳米线的结构与性能及其功能器件研究
- 丁建文曹觉先王登龙陈元平毛宇亮肖杨
- 项目完成了ZnO等纳米线的制备、表征及场发射性能的测量；考虑卷曲和杂化、应用和应变、量子尺寸和表面效应以及环境等因素，构建了系列纳米管、纳米线其相关功能器件模型；发展了如转移矩阵、重整化群、格林函数、超级单胞法等系列理论...
- 关键词：
- 关键词：纳米线纳米管
- 硅烯饱和吸附碱金属原子的第一性原理研究
- 2015年
- 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了硅烯饱和吸附碱金属元素原子的稳定性、微观几何结构和电子性质,并与纯硅烯及其饱和氢化结构进行了对比分析.研究发现复合物Si X(X=Li,Na,K,Rb)的形成能都是负的,相对于纯硅烯来说可以稳定存在.Bader电荷分析表明,电荷从碱金属原子转移至硅原子.从成键方式来看,硅烯与氢原子形成共价键,而与碱金属原子之间形成的键主要是离子性成键,但还存在部分共价关联成分.能带计算表明,锂原子饱和吸附在硅烯形成的复合物Si Li是直接带隙的半导体,带隙大小为0.34e V.其他碱金属饱和吸附在硅烯上形成的复合物都表现为金属性.
- 黄艳平袁健美郭刚毛宇亮
- 关键词：硅烯碱金属第一性原理
- 一种可见-红外兼容的多波段伪装系统及多波段伪装车
- 一种可见‑红外兼容的多波段伪装系统，包括主控器、以及分别与主控器连接的可见光伪装单元和红外伪装单元；可见光伪装单元包括用于采集环境图像信息的环境图像监测组件和用于显示图像颜色的图像显示组件；红外伪装单元包括用于采集环境温...
- 嵇海宁崔俊婕毛宇亮左学桐王嘉逯陈永星欧阳勇
- 文献传递
- The functionalization of graphene and two-dimensional boron nitride by transitional metal atom adsorption and doping
- 毛宇亮郝文平李顺辉谢召起钟建新
- 一种定向生长的GeSe<Sub>2</Sub>纳米线及其制备方法
- 本发明涉及电子材料技术领域，具体涉及一种定向生长的GeSe<Sub>2</Sub>纳米线及其制备方法。具体技术方案为：一种定向生长的GeSe<Sub>2</Sub>纳米线的制备方法，在真空环境下，将硒粉和锗粉在进行分别加...
- 毛宇亮邓纪财吴鑫
- 文献传递
