杨光德
- 作品数：11 被引量：58H指数：4
- 供职机构：山东理工大学理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学农业科学更多>>
- 磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜被引量：12
- 2002年
- 采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。
- 杨田林杨光德高绪团万云芳
- 关键词：磁控溅射法SNO2
- 有机衬底SnO_2掺Sb透明导电膜的制备被引量：9
- 2003年
- 采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺 )胶片上制备出了性能良好的薄膜 ,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 13cm2 /VS ,载流子浓度为 15 .5× 10 19cm-3 ,薄膜的电阻率有最小值 3.7× 10 -3 Ω·cm。在可见光范围内 ,样品的相对透过率为 85
- 杨田林韩圣浩高绪团杨光德
- 关键词：柔性衬底射频磁控溅射
- 高压静电果蔬保鲜机理分析被引量：20
- 2000年
- 本文对高压静电场果蔬保鲜机理进行了较为深入的分析，认为果蔬受高压静电场的作用，吸收了场能，改变了果蔬内部的能量分布，导致细胞膜电势发生变化；同时，高压电场电离周围空气产生 03，利用 03杀菌和分解果蔬中产生的乙稀的作用，破坏果蔬的后熟条件；另外，高压静电场的作用降低了苹果中生物酶的活性，使其呼吸代谢活动受到抑制，从而有效的保存水分达到保鲜效果 .
- 杨光德
- 关键词：静电场保鲜蔬菜水果
- 利用ITO膜解决AlGaInP LED窗口层电流扩展问题被引量：2
- 2001年
- 讨论如何利用隧道效应 ,应用 ITO做电极来减薄发光二极管 ( L ED)窗口层 .同时解决了电流扩展问题 ,并对器件的稳定性作了一定讨论 .
- 杨田林高绪团杨光德
- 关键词：隧道效应发光二极管电流扩展ITO膜ALGAINP半导体发光材料
- 量子力学教学中的几个问题被引量：2
- 1992年
- 聂修和聂宜民杨光德
- 关键词：量子力学教学电子云势阱
- PIC单片机在电机保护器中的应用被引量：4
- 2001年
- 该文介绍了以 PIC单片机为核心 ,设计的一种智能型三相电机保护器 .其最大特点是使用了带 A/D转换模块的 PIC单片机 ,通过 A/D转换器的应用成功地实现了准确越过电机启动瞬间的电流动态变化期 ,正确地在电机工作电流稳定时采样电机的工作电流 ,并实现了电机缺相、过电流、欠电流、欠电压保护 .不仅电路简单 ,且使用简便、工作可靠 .
- 李军斌张延贤杨光德
- 关键词：PIC单片机A/D转换电机保护器工作电流缺相保护
- 粉体材料静电能量的聚集与释放被引量：2
- 2002年
- 分析了粉体材料静电荷的产生与衰减过程,讨论了粉体材料静电能量的聚集与释放,当带静电荷的粉体材料和附近某一物体之间所形成的电场强度超过介质的击穿强度时,便会产生静电能量的释放.
- 杨光德杨田林万云芳
- 关键词：粉体材料静电释放静电荷
- 聚酰亚胺衬底掺Sb的SnO_2透明导电膜的制备被引量：4
- 2002年
- 用射频磁控溅射法在聚酰亚胺衬底上制备出了相对透过率为80%左右、最小电阻率为3.710-3 W·cm、附着良好的SnO2∶Sb透明导电膜。 靶材中Sb2O3的最佳掺杂量为6%(质量分数),最佳溅射压强为1 Pa(90%Ar+10%O2)。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构,具有明显的[110]的趋向。并讨论了薄膜的结构和光电特性随衬底温度的变化。
- 杨田林杨光德
- 关键词：掺锑二氧化锡光电特性射频磁控溅射
- 有机衬底上掺Sb的SnO_2透明导电膜的性质与制备参数关系的研究被引量：1
- 2002年
- 采用射频磁控溅射法在透明聚酯胶片上制备出了 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,主要讨论了制备条件对薄膜光电特性的影响。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 ,具有明显的 [1 1 0 ]的趋向。通过调节制备参数 ,制备出了电阻率为 3 .7× 1 0 -3 Ω· cm,平均透过率高于 80
- 杨田林杨光德高绪团万云芳
- 关键词：光电特性溅射氧化锡
- 薄膜厚度对ZnO:Al透明导电膜的结构和光电性能的影响被引量：2
- 2002年
- 采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和 70 5 9玻璃衬底上在室温下制备出了因淀积时间变化而厚度不同的ZnO :Al透明导电膜 ,并对不同厚度薄膜的结构特性、表面形貌和光电特性进行了比较研究 .铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜具有六角纤锌矿结构 ,最佳取向为 (0 0 2 )方向 .淀积时间为 3 0分钟的薄膜具有最低的电阻率 ,分别为 2 .5 5× 1 0 3Ω·cm和 1 .89× 1 0 3Ω·cm ,在可见光区的平均透过率分别达到了 80 %和 85 %以上 .
- 杨田林杨光德
- 关键词：薄膜厚度性能比较光电特性铝掺杂氧化锌薄膜
