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朱嘉麟

作品数:41 被引量:38H指数:4
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 22篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 6篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程

主题

  • 18篇纳米
  • 12篇纳米管
  • 10篇碳纳米管
  • 8篇纳米管束
  • 8篇金属
  • 8篇感器
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 6篇电导
  • 6篇异质结
  • 6篇半导体
  • 5篇X
  • 4篇导电薄膜
  • 4篇电子发射
  • 4篇电子结构
  • 4篇多壁碳纳米管
  • 4篇仪表
  • 4篇碳纳米管薄膜
  • 4篇套管
  • 4篇透明导电

机构

  • 41篇清华大学

作者

  • 41篇朱嘉麟
  • 22篇孙家林
  • 12篇韦进全
  • 10篇顾秉林
  • 10篇刘晓萌
  • 8篇孙红三
  • 6篇刘伟
  • 6篇熊家炯
  • 4篇李俊林
  • 4篇杨铭杰
  • 3篇任天令
  • 3篇倪军
  • 3篇段文晖
  • 3篇张孝文
  • 2篇吴念乐
  • 2篇王强
  • 2篇张建红
  • 2篇吴德海
  • 2篇许佳
  • 2篇王昆林

传媒

  • 6篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇物理
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇功能材料
  • 1篇计算机与应用...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇中国科学院《...
  • 1篇中国科学院技...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 6篇2007
  • 7篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 3篇1990
  • 5篇1989
41 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低维材料量子特性预测、调控及设计研究
本文主要介绍量子阱、量子点、纳米管、纳米环、团簇及它们的复合结构材料量子特性的预测与调控;低维材料相关的理论模型与计算设计;低维材料的潜在应用价值与按需设计等研究工作。以此说明有针对性地发展理论、模型和模拟,逐步提高材料...
朱嘉麟
关键词:低维材料量子特性量子点
文献传递
(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)系统中的有序结构及其电子性质
1993年
从原子位形概率波理论出发得到了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)系统中可能出现的、稳定的完全有序结构。以此为基础,利用从第一性原理出发的自洽LMTO方法,系统地研究了组份x=0.5时5种典型的有序结构相应的电子性质。结果表明,具有不同有序结构的材料的电子特性差别很大。材料中Ga-Ge和Ge-As键的比率越高,材料越有可能呈现金属性。
段文晖王世范倪军顾秉林朱嘉麟
关键词:合金
一种基于宏观长单壁或双壁碳纳米管束的负光控电导器件
一种基于宏观长单壁或双壁碳纳米管束的负光控电导器件,涉及一种光电子学器件。该器件包括一根由宏观长的单壁或双壁碳纳米管束丝和两个金属电极,单壁或双壁碳纳米管束丝的两端分别与两个金属电极相连接,并封装在石英玻璃罩内。工作时,...
朱嘉麟孙家林韦进全刘晓萌
文献传递
基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器
本发明公开了光电探测器设计技术领域中的一种基于双光电转换层异维异质结构的光电探测器。包括上电极引线、透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层、电子接收层和下电极引线;透明导电光电子发射层、绝缘层、双光电转换层和电子接收...
朱嘉麟张国伟杨铭杰刘伟孙家林
半导体超晶格、量子阱材料的进展
1990年
本文回顾了超晶格概念的提出及材料制备技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。文末概述了作者在量子阱超晶格材料的设计与性能预测方面进行的一些工作。
熊家炯朱嘉麟
关键词:半导体器件超晶格
(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金材料的电子结构及其基态性质被引量:1
1992年
本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进行了比较.计算表明,合金材料中轻、重空穴有效质量依赖于合金的有序度.计算也表明合金材料的晶格常数和体弹性模量将随组份x变化而呈现类似“V”形变化.这都说明,在有序和无序的组份区域,合金性质随组份的变化规律是不同的,应分区描述.
段文晖顾秉林朱嘉麟
关键词:合金材料电子结构金刚石
基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器
基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器,涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后,将该异质结构真空封装于石英套管内,并在套管外留出两电极引线,构...
朱嘉麟孙家林张建红刘伟
文献传递
电场下GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中的子带和激子被引量:4
1989年
本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105的GaAs/Ga_(0.66)Al_(0.34)As量子阱,电场由0—1.2×10~5V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子-空穴重叠函数和激子峰的能量移动与实验测量符合得较好。
朱嘉麟唐道华熊家炯顾秉林
关键词:电场子带激子
基于非对称异维结构的光电导传感器
基于非对称异维结构的光电导传感器,涉及一种光电导传感器件。该光电导传感器包含透明导电光电子发射层、光电转换层、电子接收层、上电极引线以及下电极引线;透明导电光电子发射层采用低维度的碳纳米管薄膜,光电转换层采用中等维度的氧...
朱嘉麟杨铭杰韦进全刘伟孙家林
文献传递
基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器
基于宏观长度的氧化层包裹铜纳米线的光电导传感器,涉及一种具有氧化亚铜包裹层的宏观长铜纳米线簇的光电导传感器件。它是利用银胶将宏观长铜纳米线簇的两端与两金属电极相连接构成回路,然后在回路中通以适当的电流,使铜纳米线表面在空...
孙家林朱嘉麟许佳郭继华
文献传递
共5页<12345>
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