戴志华
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学更多>>
- 高速沉积本征微晶硅的优化及其在太阳电池中的应用被引量：4
- 2009年
- 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2nm/s时,制备得到光电转换效率为9.36%的单结微晶硅太阳电池,将其应用到叠层电池中制备得到效率为11.14%的非晶硅/微晶硅叠层电池.
- 韩晓艳侯国付魏长春张晓丹戴志华李贵君孙建陈新亮张德坤薛俊明赵颖耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜
- 腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响被引量：1
- 2009年
- 考查了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅(μc-Si:H)薄膜过程中,系统长时间使用造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。实验中,控制沉积条件,使薄膜的沉积速率达到约0.5nm/s;保证硅薄膜具有一定的晶化程度(40%～80%),由不同探测波长的Raman散射谱估算纵向结构变化。以腔室使用时间作为基准,考查不同硅烷浓度下制备的样品,发现在相同沉积条件下,材料的晶化率和光暗电导随腔室使用时间的增加而不断增大,沉积速率随之大幅提高。观察发现,在电极板和腔室壁上积累了大量硅反应残留物(硅粉末和硅薄膜),分析认为,薄膜特性漂移是这些硅残留物不断参与等离子体及成膜反应的结果。研究表明,提高硅烷浓度可有效校正微晶硅薄膜电学及结构特性的漂移,同时保持高速沉积。
- 张鹤戴志华张晓丹魏长春孙建耿新华赵颖
- 关键词：微晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积
- 过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用
- 2009年
- 研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。
- 李贵君侯国付韩晓艳魏长春孙建戴志华赵颖耿新华
- 关键词：非晶硅
- 腔室长时间使用造成的工艺漂移对微晶硅薄膜性质的影响研究
- 本文考察了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)高压制备微晶硅薄膜过程中，长时间使用系统造成的微晶硅薄膜特性的漂移情况。发现同样的沉积条件下，材料的晶化率和光暗电导会随着腔室使用时间而增大，同时沉积速率也大幅提高。这可能...
- 张鹤戴志华张晓丹魏长春孙建耿新华赵颖
- 关键词：微晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积
