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徐杨
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101
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H指数:1
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浙江大学
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国家自然科学基金
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相关领域:
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俞滨
浙江大学
万霞
浙江大学
王锋
浙江大学
郭宏伟
浙江大学
王雪
浙江大学
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一种基于二维材料/硅光电探测器的多光谱单像素成像系统
本发明公开了一种基于二维材料/硅光电探测器的多光谱单像素成像系统,本发明在传感器层面利用了二维材料/硅光电探测器宽探测光谱、高响应速度、低器件噪声的优势,同时在成像层面结合单像素成像的方式解决了新型高性能光电探测器难以阵...
徐杨
戴越
徐心艺
田丰
俞滨
基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法
本发明公开了一种基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法,该光电探测器包括单晶锗衬底、氧化铝介质层、二氧化硅氧化层、石墨烯纳米膜、金属电极和SOI顶硅。本发明在石墨烯/锗近红外光电探测器优异性能的基础上,使用厚...
徐杨
陈彦策
刘粒祥
彭蠡
高超
基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法
本发明公开了一种基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法,该探测器自下而上依次具有底电极、n型硅基体和开有硅窗口的二氧化硅隔离层,二氧化硅隔离层的上表面覆盖顶电极;顶电极的上表面覆盖硒化铟薄膜,硒化铟薄膜分别与顶电极内侧壁、...
徐杨
刘雪梅
樊先平
陈烁
乔旭升
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低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法
本发明涉及一种低维材料/CMOS片上集成芯片及其集成方法,本发明的低维材料CMOS片上集成芯片为上下两层的堆叠式芯片。上层是低维材料器件功能层,依靠新型低维材料器件实现感光、忆阻等功能拓展;下层是CMOS电路层,为CMO...
徐杨
宁浩
汪晓晨
谢永亮
蔺江铭
俞滨
一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法
本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法,包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结,阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图...
徐杨
宁浩
吴少雄
吕建杭
刘粒祥
陈丽
汪晓晨
俞滨
文献传递
基于石墨烯电荷耦合器件的辐射探测器
本发明公开了一种基于石墨烯电荷耦合器件的辐射探测器,由若干像素组成阵列,单个像素包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极、石墨烯薄膜和隔离。辐射粒子由背部入射后被半导体衬底吸收,产生与入射能量成正比的电子空穴对,其中少子...
徐杨
董云帆
吕建杭
刘亦伦
俞滨
文献传递
一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器
本发明公开了一种基于硅量子点/石墨烯/硅异质结构的光电传感器,该光电传感器自下而上依次有底电极、n型硅衬底和二氧化硅隔离层,二氧化硅隔离层上开有窗口,窗口内n型硅基体暴露出来,二氧化硅隔离层上设有顶电极,顶电极上叠盖有单...
徐杨
王锋
万霞
施添锦
王雪
俞滨
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一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法
本发明公开了一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法,包括:将SOI硅衬底的硅薄膜刻蚀成硅条;在SOI硅衬底的二氧化硅隔离层上表面光刻出金电极图形,镀金电极;制备单晶石墨烯薄膜;在二氧化硅隔离层、硅...
徐杨
马玲玲
阿亚兹
李炜
刘威
吕建杭
硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法
本发明公开了硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法,包括转移二维材料;对二维材料进行热退火,原子力显微镜接触模式扫描等;转移一维材料纳米线;原子力显微镜非接触模式定位纳米线位置;原子力显微镜控制模式旋转移动纳米线...
胡欢
潘鑫
丁小蕾
乔宝石
徐杨
一种大量离散节点的并行定位方法的修正方法
本发明公开了一种大量离散节点的并行定位的修正方法。本发明包括:1)每个离散节点分配编号,构成最初的离散节点集合;2)最初的离散节点集合在第一层定位过程的每个定位组中抽取两个铆接节点构成新的离散节点集合;3)重复步骤2)直...
徐杨
郭翔
成东峻
俞靖
黎建辉
王楠
马磊
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