姬慧莲
- 作品数：8 被引量：15H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 不同添加气体对SiC材料SF_6干法刻蚀的影响
- 2001年
- 以六氟化硫 ( SF6)作为刻蚀气体 ,采用不同的添加气体 O2 或 N2 分别进行了 Si C薄膜的等离子体刻蚀 ( PE)工艺研究。实验表明 ,SF6中加入 O2 有助于 Si C材料刻蚀速率的提高 ;但是 ,在相同的刻蚀工艺条件下 ,N2 的加入只起到稀释气体的作用而未参与刻蚀反应 ,Si C刻蚀速率随 N2
- 柴常春杨银堂李跃进姬慧莲童红亮
- 关键词：等离子体刻蚀碳化硅六氟化硫干法刻蚀
- 一种CMOS双沿触发器的设计被引量：2
- 2003年
- 基于CMOS传输门,分析了单、双沿触发器的逻辑结构,分析了一种晶体管数较少的CMOS双沿触发器,并用PSPICE程序进行了模拟,结果表明这种双沿触发器具有完整的逻辑功能,且具有结构简单、延迟时间短和数据处理能力高的优点,另外,与传统的单沿触发器相比,其功耗大约减少了61%。
- 郭中和杨银堂姬慧莲
- 关键词：数据选择器传输门CMOS
- 3C-SiC单晶薄膜的干法刻蚀研究被引量：2
- 2001年
- 以四氟化碳 (CF4 )和CF4 +O2 作为刻蚀气体 ,对外延 3C SiC单晶薄膜进行了系统的等离子体刻蚀研究 .结果表明薄膜刻蚀速率在气体流量一定的情况下与O2 /CF4 流量比有关 :当O2 /CF4 流量比为 40 %左右时 ,刻蚀速率达到最大值 ;O2 /CF4 流量比低于 40 %时 ,不仅刻蚀速率降低而且还在被刻蚀样品表面形成暗表面层 ,俄歇能谱 (AES)分析表明暗层为富C表面的残余SiC ,AES分析还证实改变工艺条件可以消除富C表面 .文中还给出了经图形刻蚀后的样品的表面形貌 (SEM)
- 柴常春杨银堂李跃进姬慧莲
- 关键词：单晶薄膜碳化硅干法刻蚀
- 碳化硅高温集成电路的设计与特性研究
- 该文着重研究了SiC MOS集成电路的关键工艺技术,分析了SiC CMOS反相器的特性与工艺,建立了6H-SiC CMOS反相器的电路结构和物理模型,并利用MEDICI软件对其特性进行了模拟.研究了温度和电路结构参数对S...
- 姬慧莲
- 关键词：反相器
- 文献传递
- 碳化硅CMOS反相器的特性
- 2004年
- 建立了 6 H- Si C CMOS反相器的电路结构和物理模型 ,并利用 MEDICI软件对其特性进行了模拟 .研究了Si C CMOS反相器的温度特性 ,结果表明 ,室温下沟道长度为 1.5 μm的 6 H- Si C CMOS反相器的阈值电压、高电平噪声容限和低电平噪声容限分别为 1.6 5 7,3.15 6和 1.4 70 V,且随着温度的升高而减小 .
- 姬慧莲杨银堂郭中和柴常春李跃进
- 关键词：碳化硅反相器
- SiC气体传感器被引量：4
- 2002年
- SiC肖特基二极管气体传感器可以广泛应用于检测气体排放物和气体泄露。通过采用PdCr合金 ,可以提高Pd/SiC气体传感器的灵敏度。同时 ,在Pd层和SiC之间引入SnO2 作为界面层也是提高其灵敏度的一种有效途径。进一步的研究表明 ,SnO2 层的大小也对传感器的性能有着重要影响。
- 姬慧莲杨银堂郭中和柴常春
- 关键词：碳化硅气体传感器肖特基二极管气体排放物气体泄露
- β-SiC薄膜在SF_6和SF_6+O_2中的等离子体刻蚀研究被引量：6
- 1999年
- 以ＳＦ６和ＳＦ６＋Ｏ２为刻蚀气体，采用等离子体刻蚀工艺成功地对化学气相淀积工艺制备的βＳｉＣ单晶薄膜进行了有效的刻蚀去除．实验指出当气体混合比约为４０％时，刻蚀速率达到最大值．俄歇能谱分析表明，在ＳＦ６和ＳＦ６＋Ｏ２气体中被刻蚀后的样品没有形成富Ｃ表面的ＳｉＣ层．研究结果为各种ＳｉＣ器件的研制奠定了必要的实验基础．
- 柴常春杨银堂李跃进贾护军姬慧莲
- 关键词：等离子体刻蚀碳化硅
- 碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究被引量：1
- 2003年
- SiCMOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiCMOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在NO中高温退火可以显著地提高4H-SiCMOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H-SiCMOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm2/Vs的栅压的安全工作区较宽。N2O退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代NO。
- 姬慧莲杨银堂郭中和柴常春李跃进
- 关键词：阈值电压电子迁移率界面态
