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姚嫦娲

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 22篇刻蚀
  • 11篇刻蚀工艺
  • 8篇互连
  • 7篇通孔
  • 7篇空气隙
  • 6篇低K介质
  • 6篇湿法
  • 6篇埋层
  • 6篇金属
  • 5篇湿法刻蚀
  • 5篇清洗方法
  • 5篇硅片
  • 4篇淀积
  • 4篇填充金属
  • 4篇透镜
  • 4篇种内
  • 4篇牺牲层
  • 4篇金属铜
  • 4篇晶圆
  • 4篇感器

机构

  • 34篇上海集成电路...
  • 4篇成都微光集电...

作者

  • 34篇姚嫦娲
  • 5篇胡正军
  • 3篇林宏
  • 3篇王伟军
  • 3篇肖慧敏
  • 2篇周炜捷
  • 2篇黄仁东
  • 2篇范春晖
  • 2篇李琛

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析装置及方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析方法，包括如下步骤：S01：CMOS图像传感器的测量数据经过数据输入模块传输至预处理模块；S02：预处理模块根据白色像素阈值将测量数据转换为二值图；S03：筛选模块去...
王鹏飞李琛孙红霞余学儒葛星辰姚嫦娲范春晖顾学强
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一种内透镜的制作方法
本发明公开了一种内透镜的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层和光刻胶图形，采用各向异性刻蚀牺牲层形成第一个凹槽；采用各向同性刻蚀在第一个凹槽下方形成宽度大于第一个凹槽的第二个凹槽；重复前述步骤，在牺牲层中形成多个凹...
姚嫦娲周伟
一种双大马士革结构的制作方法
本发明提供一种双大马士革结构的制作方法，包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层；在介质层上涂布第一光刻胶，经光刻，形成通孔刻蚀图形；经刻蚀和去胶，在介质层上形成通孔；在介质层上淀积沟槽介质膜，并平坦化沟槽介质膜；在...
姚嫦娲
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湿法刻蚀系统、湿法刻蚀方法
本发明提供了一种湿法刻蚀系统，包括：晶圆卡槽、药液槽、机械手、控制装置、位置传感器、以及转动装置。其中，当位置传感器检测到晶圆完全浸没于药液中和/或检测晶圆与转动装置相接触时，向控制装置发送信号，控制装置接收到位置传感器...
姚嫦娲
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一种在后道互连中生成空气隙结构的方法
本发明提出了一种在后道互连中形成空气隙结构的方法，通过XeF<Sub>2</Sub>干法刻蚀工艺刻蚀掉位于通孔或沟槽侧壁的埋层金属高出金属铜的上表面的部分，即埋层耳朵部分，在接下来介质膜淀积的过程中，可以有效避免空气隙结...
姚嫦娲
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硅片清洗方法
本发明公开了一种硅片清洗方法包括：提供待清洗硅片，对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率，从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。
胡正军姚嫦娲周炜捷
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一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析装置及方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析方法，包括如下步骤：S01：CMOS图像传感器的测量数据经过数据输入模块传输至预处理模块；S02：预处理模块根据白色像素阈值将测量数据转换为二值图；S03：筛选模块去...
王鹏飞李琛孙红霞余学儒葛星辰姚嫦娲范春晖顾学强
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改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法
本发明公开了一种改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法，包括以下步骤：首先提供一半导体硅片，将硅片固定在硅片托架上，由托架带动其旋转，接着向硅片表面喷洒并浸渍低表面张力药液，然后向硅片表面喷洒去离子水，再接着向硅片...
姚嫦娲
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一种在后道互连中刻蚀埋层的方法
本发明公开了一种在后道互连中刻蚀埋层的方法。通过在埋层金属刻蚀过程中引入氧化膜掩膜阻止了刻蚀气体对通孔或沟槽内的位于金属铜与低k介质层之间的埋层金属的进一步刻蚀，从而既能确保低k介质钝化层表面的埋层金属被刻蚀干净，又能够...
姚嫦娲
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硅片清洗方法
本发明公开了一种硅片清洗方法，包括：提供待清洗硅片，对该硅片采用多重频率的超声波进行清洗。在不同的清洗时间段中对不同的超声波频率采用不同的功率，从而能够有效的增强湿法清洗工艺窗口。
胡正军姚嫦娲周炜捷
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