吴学勇
- 作品数：12 被引量：24H指数：3
- 供职机构：兰州城市学院培黎工程技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金兰州市科技发展计划项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学自然科学总论一般工业技术电子电信更多>>
- 用OMA测定等离子体放电球的近红外区域光谱
- 2016年
- 利用OMA系统对等离子体放电球的光谱进行了测量,测量过程要求测量范围大,谱线的波长测量误差小,并对谱线相对强度进行了测量,得到大量的波长与其相对强度的数据.在Nist数据库中查找出可能与实验数据相符的谱线进行对比,认为发出等离子体放电球谱线的元素中含有大量的Xe原子.
- 董向成魏秀芳吴学勇
- 关键词：光谱分析等离子体
- 用直流双臂电桥测量电阻温度系数
- 2014年
- 通过对大学物理实验中力学实验、热学实验及电磁学实验的综合,设计电阻温度系数的测量实验。通过测量导线的直径、质量计算出导线的长度,在改变温度条件下使用双臂电桥测量导线的电阻,利用测量数据通过线性拟合得到铜导线的电阻温度系数。
- 董向成吴学勇陈建宏
- 关键词：电阻温度系数
- 霍尔效应法测量铁芯的饱和磁化强度被引量：1
- 2016年
- 制作螺线管使之能够和铁芯完全耦合,提供较大的励磁电流,在有无铁芯两种情况下,用霍尔效应实验组合仪对螺线管一端的磁感强度进行测量。计算螺线管端口轴线上的磁场强度,将上述结果代入铁磁质的磁化性能关系式,即可计算出该铁芯的饱和磁化强度。
- 董向成吴学勇施树春
- 关键词：饱和磁化强度励磁电流螺线管
- 范德瓦尔斯方程中的分岔与混沌
- 2011年
- 通过数值迭代计算发现,当温度取适当值时范德瓦尔斯方程中的摩尔体积随压强的演化表现为从周期倍增分岔通向混沌,并给出了该演化过程的费根鲍姆分岔图及李雅普诺夫指数.
- 吴学勇
- 关键词：范德瓦尔斯方程分岔混沌李雅普诺夫指数
- 软磁材料磁导率测量实验探索被引量：6
- 2016年
- 软磁材料磁滞回线细长,计算精度不高时忽略其磁滞,可定义磁感应强度与磁场强度的比为磁导率。利用霍尔效应实验仪对螺线管加载软磁材料前后一端的磁感应强度进行测量,计算出该端点处的磁场强度即可计算出该种软磁材料的磁导率,实验表明在材料磁饱和后,磁导率迅速降低。
- 董向成吴学勇
- 关键词：磁导率励磁电流软磁材料
- 大学物理教学改革与大学生创新能力培养探索与实践被引量：3
- 2013年
- 运用课堂教学活动,培养学生自主学习模式,全方位、多渠道提高学生素质和培养学生学习物理的兴趣,革新考试方式,开放大学物理相关实验室等方法激发学生学习大学物理的兴趣;充分利用现代教育技术及演示实验可使教学更加形象、生动、直观,能够大大提高学习效率;积极引导学生参加课外科技活动,可培养学生的科技创新能力。
- 雒向东魏秀芳吴学勇施树春
- 关键词：教学方法
- 磁控溅射300nm铜膜的电学性能研究被引量：7
- 2007年
- 采用射频磁控溅射方法,在不同的基片温度Ts和偏压Us条件下淀积300 nm厚的Cu膜,用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、四点探针电阻测试仪,研究了薄膜的表面形貌和电阻率。结果表明:Cu膜的表面粗糙度和电阻率随工艺参数的改变而变化。随着Ts的升高,薄膜表面粗糙度Rrms与电阻率ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面粗化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,但是,当Ts>673 K时,晶粒发生团聚而造成其几何形态和分布方式改变,进而导致ρ异常增加。随着Us的增加,Rrms呈现出先降低再增加的趋势,而ρ则逐渐递减。
- 雒向东吴学勇赵海阔
- 关键词：磁控溅射电阻率
- 自聚焦透镜成像特征的仿真分析
- 2013年
- 自聚焦透镜是微小光学的主要研究对象,它所涉及的光纤成像计算和光路一般比较复杂,本文借助MATLAB程序对其成像过程进行演示分析,对于自聚焦透镜的设计和研究,以及光学类课程的教学均有直观作用。
- 张成基温小静郭中华吴学勇
- 关键词：自聚焦透镜成像分析
- 周期驱动下保守椭圆摆系统的混沌运动被引量：2
- 2016年
- 运用广义拉格朗日方程,对周期驱动下的椭圆摆运动过程建立了模型方程.利用数值方法求解该方程,研究了该系统在周期驱动作用下不变环面的变形、破裂以及产生混沌运动的过程.并且,利用最大李雅普诺夫指数研究了驱动频率及质量参数对其混沌运动的影响.
- 陈建宏吴学勇刘昊董向成
- 退火温度对Cu膜微结构与电阻率的影响被引量：3
- 2008年
- 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上淀积500 nm厚Cu膜,在不同温度下进行原位退火处理。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)及四探针测试仪分析了薄膜微结构与电阻率。随着t增加,应变能与表面能的竞争导致Cu(220)取向晶粒组成不断增加;薄膜晶粒不断长大且其几何形态在t>500℃时由柱状晶向等轴晶结构转变;当t<500℃时,随着薄膜电阻率ρ与表面粗糙度Rrms显著减小,而t>500℃时,Rrms呈现增加趋势,而ρ变化不明显。
- 雒向东赵海阔吴学勇
- 关键词：微结构电阻率溅射
