2024年11月17日
星期日
|
欢迎来到营口市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
刘海龙
作品数:
9
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国科学院理化技术研究所
更多>>
相关领域:
轻工技术与工程
一般工业技术
电子电信
更多>>
合作作者
师文生
中国科学院理化技术研究所
佘广为
中国科学院理化技术研究所
凌世婷
中国科学院理化技术研究所
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
8篇
专利
1篇
期刊文章
领域
2篇
轻工技术与工...
1篇
电子电信
1篇
一般工业技术
主题
9篇
线阵列
9篇
纳米
9篇
纳米线
9篇
纳米线阵列
4篇
氧化铝
4篇
氧化铝瓷
4篇
壳结构
4篇
管式
4篇
管式炉
4篇
核壳
4篇
核壳结构
4篇
半导体
4篇
半导体纳米线
4篇
SI
4篇
SUB
2篇
单晶结构
2篇
电子自旋
2篇
制备SIC
2篇
石墨坩埚
2篇
气体
机构
9篇
中国科学院
作者
9篇
刘海龙
9篇
师文生
8篇
佘广为
6篇
凌世婷
传媒
1篇
影像科学与光...
年份
3篇
2012
5篇
2011
1篇
2009
共
9
条 记 录,以下是 1-9
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl<Sub>2</Sub>的乙醇溶液中浸...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
文献传递
一种制备SiC纳米线阵列的方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程:用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列,将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
文献传递
Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列或Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>纳米线阵列的制备方法
本发明涉及Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列和Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明涉及一种Si/Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于MnCl<Sub>2</Sub>的乙醇溶液中浸...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl<Sub>2</Sub>溶液中进行浸泡,取出后晾干;再将晾干的单...
师文生
刘海龙
佘广为
文献传递
Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及Si/NiSi核壳结构纳米线阵列的制备方法。将表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于NiCl<Sub>2</Sub>溶液中进行浸泡,取出后晾干;再将晾干的单...
师文生
刘海龙
佘广为
硅化物纳米线阵列的制备、表征和性能研究
2011年
一维纳米材料因其特殊结构引起的新奇的物理和化学性质以及诱人的应用前景而备受关注.已经发展了多种制备一维纳米材料的方法,其中,模板法是一种制备纳米线阵列的常用方法,这种方法已经被成功地用于多种材料纳米线阵列的制备.金属离子辅助的溶液刻蚀方法可以在温和反应条件下大规模制备Si纳米线阵列,
刘海龙
师文生
关键词:
纳米线阵列
硅化物
一维纳米材料
化学性质
一种制备SiC纳米线阵列的方法
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程:用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列,将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
文献传递
Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列或Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>纳米线阵列的制备方法
本发明涉及Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>-Si异质结构纳米线阵列和Mn<Sub>27</Sub>Si<Sub>47</Sub>一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线...
师文生
刘海龙
佘广为
凌世婷
文献传递
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张