刘星
- 作品数：13 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- X波段三维异构片式收发SiP模块设计
- 2024年
- 采用硅基三维异构集成技术,在极小的体积内,将多个微波单片集成电路(MMIC)和无源功分网络一体化集成,实现了一种X波段4通道片式收发系统级封装(SiP)。该SiP由2个体硅堆叠封装(PoP)而成,不同封装通过球栅阵列(BGA)方式互连,单层封装的内部腔体上下面均贴装芯片,封装内部采用硅通孔技术(TSV)实现垂直互连,SiP尺寸为14 mm×14 mm×3.2 mm。测试结果表明,在8~12 GHz内,SIP 4个通道的发射饱和输出功率≥30.5 dBm,接收增益≥24.5 dB,噪声系数≤3 dB,接收输入P-1≥-26 dBm,同时具备6位数控移相和6位数控衰减功能,重量约1 g,可广泛用于微波收发系统。
- 李晓林刘星高艳红赵宇许春良
- 关键词：堆叠封装高集成片式系统级封装
- 一种优异温度稳定性Ka波段上变频放大模块被引量：1
- 2013年
- 研究了Ka波段变频放大电路的设计及其温度补偿技术,分析了上变频放大模块的基本原理,分别对射频增益及检波电压进行了温度补偿,提出了一种优异温度稳定性、高线性度、高增益稳定性的总体设计方案。该变频放大模块由放大电路、温补电路、混频电路、滤波电路及功率放大器等单元电路组成。运用Agilent ADS软件完成了模块的整体电路设计。同时,介绍了一种基于场仿真软件和实测相结合的方法,建立毫米波多芯片组件中互连的键合线模型,将键合线的寄生电感融入了上变频放大模块电路设计中,显著提高键合线互连电路的频率响应。采用多芯片组装工艺制作了高性能的变频放大模块,实现了在Ka波段输出功率>于30.6 dBm,全温范围功率波动<0.8 dB,全温检波电压指示波动<0.2 V,测试结果与仿真结果一致。
- 王志强刘星赵鹏张强边国辉吴景峰
- 关键词：KA波段温度稳定性上变频器功率放大器检波
- 基于硅基微系统的三维封装方法
- 本发明提供了一种基于硅基微系统的三维封装方法，属于硅基微系统微组装技术领域，包括在掩膜版上制作预设闭环图形；在第一层硅基板的上表面上和/或第二层硅基板的下表面上，涂胶、光刻、显影，形成预设闭环图形；在第二层硅基板上刻蚀第...
- 刘星李晓林杨栋陈东博王清源胡雅丽彭桢哲赵宇
- T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件
- 本发明提供了一种T/R组件微穿墙过渡结构及T/R组件，属于微波毫米波及太赫兹技术领域，包括基板，基板的正面设有镀金焊盘，基板的背面设有BGA植球焊盘；基板上设有连接镀金焊盘与BGA植球焊盘的金属化孔。T/R组件包括具有正...
- 蒋赞勤厉志强刘星李浩冀乃一许春良
- 一种射频前端芯片结构
- 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电...
- 杨琦刘帅白银超要志宏王磊李丰王凯崔亮郭丰强王海龙杨楠陈南庭杜晨浩刘星
- 文献传递
- 一种功率放大器栅极驱动器及功率放大器
- 本实用新型提供了一种功率放大器栅极驱动器及功率放大器，本实用新型提供的功率放大器栅极驱动器包括：基准电压模块，用于连接供电电源，被配置为输出不随所述供电电源的电压变化的基准电压；电压放大模块，连接所述基准电压模块，被配置...
- 马琳王鑫白银超刘帅王磊赵瑞华侯伦王梦坦江浩赵正桥贺海镜朱春雨刘星李佩姿
- 文献传递
- 基于多芯片组装的紧凑型UQPSK调制倍频模块
- 2013年
- 介绍了一种高载波隔离度的S波段UQPSK调制倍频模块的设计技术。对UQPSK调制电路的设计流程进行了阐述,对影响最终指标的关键因素进行了分析。同时,介绍了如何在简化电路、缩小体积的前提下获得良好的综合性能以及如何分配各级器件指标。最终研制出具有高性能的S波段UQPSK调制倍频模块。
- 刘星张强王志强吴景峰
- 关键词：多芯片组装微波集成电路
- 超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构
- 本发明提供了一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构，属于芯片封装微波信号互联技术领域，超高频表贴陶瓷垂直互联结构包括陶瓷介质、正面引脚焊盘、背面引脚焊盘和类同轴结构，正面引脚焊盘设置在陶瓷介质正面上且周围设有GND区域...
- 朱春雨李萌白银超赵瑞华王磊赵正桥王晟苏晓晨韩猛刘星高占岭杨添延
- 文献传递
- 一种射频前端芯片结构
- 本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电...
- 杨琦刘帅白银超要志宏王磊李丰王凯崔亮郭丰强王海龙杨楠陈南庭杜晨浩刘星
- 文献传递
- 基于70 nm InP HEMT工艺的230~250 GHz低噪声放大器设计被引量：2
- 2023年
- 基于70 nm InP HEMT工艺,设计了一款五级共源放大级联结构230~250 GHz低噪声太赫兹单片集成电路(TMIC)。该放大器采用扇形线和微带线构成栅极和源极直流偏置网络,用以隔离射频信号和直流偏置信号;基于噪声匹配技术设计了放大器的第一级和第二级,基于功率匹配技术设计了中间两级,最后一级重点完成输出匹配。在片测试结果表明,230~250 GHz频率范围内,低噪声放大器的小信号增益大于20 dB。采用Y因子法对封装后的低噪声放大器模块完成了噪声测试,频率为243~248 GHz时该MMIC放大器噪声系数优于7.5 dB,与HBT和CMOS工艺相比,基于HEMT工艺的低噪声放大器具有3 dB以上的噪声系数优势。
- 刘星孟范忠陈艳张傲高建军
