冯建
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：信息产业部更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 硅-硅键合晶片在减薄过程中产生的应力及影响
- 硅-硅键合晶片中机械减薄过程中产生的应力会使硅片产生弯曲变形,这种变形若不消除,在其后的加工过程中会使图形发生扭曲或位移,导致硅片加工中途报废.经过应力消除处理后可以顺利完成加工.
- 杨国渝冯建
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- 多层硅外延生长技术研究
- 本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3、4英寸电路的生产中.
- 李智囊毛儒炎冯建陈洪波李文
- 关键词：硅外延片
- 文献传递
- SOI材料制备技术
- 为了适应高可靠和抗核加固集成电路的应用需要,以及满足硅圆片大直径化的需要,采用SDB(Silicon Wafer Direct Bonding)方法,制作出顶层单晶硅厚度大于5μm的SOI结构材料.结合横向隔离技术,实现...
- 毛儒焱冯建谈长平邹修庆陈洪波
- 关键词：SOI材料
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- 用于真空微电子压力传感器批量化生产隔离的技术
- 在阳极膜上进行各项异性腐蚀硅深槽,采用外延方式生长多晶硅,进行填槽,再对表面进行化学机械抛光,实现了槽隔离的批量化生产.
- 杨国渝冯建张正元陈红
- 关键词：多晶硅抛光压力传感器真空微电子
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