何作鹏
- 作品数：9 被引量：26H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 相关领域：理学机械工程电子电信更多>>
- NiO基半导体光电薄膜的制备及性能研究
- 氧化镍是具有典型3d电子结构的氧化物,是一种P型氧化物半导体材料,Ni0被广泛应用于透明导电膜,电致变色器,气体敏感等领域。本文综合论述了NiO、MgxNi1-xO、CuxNi1-xO的制备方法以及最新相关研究的最新进展...
- 何作鹏
- 关键词：氧化镍半导体薄膜光电薄膜
- 文献传递
- 喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜被引量：14
- 2006年
- 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在0．06-0．25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In／Sn比超过 0．3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型．因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In／Sn比不宜过低,也不能过高．热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In／Sn=0．2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电．当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80％以上．
- 季振国赵丽娜何作鹏陈琛周强
- 关键词：铟锡氧化物透明导电薄膜喷雾热解
- 溶胶-凝胶提拉法制备Mg_xNi_(1-x)O薄膜与表征被引量：3
- 2005年
- 利用溶胶凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具有立方结构的固溶体;紫外可见吸收谱结果表明,MgxNi1-xO吸收边随着Mg含量的变化而发生改变,当Mg含量x在0.2～0.3之间时,薄膜的吸收边波长在248～276nm范围内可调;光电响应测试结果表明,MgxNi1-xO薄膜(x=0.3)对太阳光不敏感,而对波长为254nm的紫外光具有很好的光电导特性,光照前后薄膜电阻变化率达40%,因此,我们可以认为MgxNi1-xO(x=0.2～0.3)薄膜材料有望应用于日盲区的紫外探测.
- 何作鹏季振国杜娟王玮范镓叶志镇
- 关键词：氧化镍日盲紫外探测
- 一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料及其制造方法
- 一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料，其特征是该薄膜材料的分子式为Ni<Sub>1－X</Sub>Mg<Sub>X</Sub>O，式中0.2≤X≤0.3；制造该材料采用下列工艺步骤：1)按照分子式 Ni<Sub>1－X</S...
- 季振国何作鹏
- 文献传递
- 溶胶-凝胶提拉法制备日盲型紫外探测器
- 日盲型紫外探测器已经应用在多个领域,如导弹尾焰探测,高压输电线路上的电弧探测,化学药品引起的火灾报警等。目前,日盲型紫外探测器主要由Si,SiC,和GaAIN等,其中GaAIN系列最为成熟。氧化镓是一种禁带宽度ompar...
- 季振国杜鹃范镓王玮孙兰侠何作鹏
- 关键词：溶胶凝胶氧化镓紫外探测器日盲
- 文献传递
- 溶胶-凝胶提拉法制备光导型日盲区紫外探测器
- 利用溶胶凝胶法制备了Ga<,2>O<,3>和In<,x>Ga<,2-x>O<,3>薄膜,对其晶体结构、光探测性能等进行了研究,并制作了1个基于上述氧化镓薄膜的光导型紫外探测器.实验结果表明,Ga<,2>O<,3>是很好的...
- 季振国杜娟范镓王玮孙兰侠何作鹏
- 关键词：紫外探测器氧化镓溶胶凝胶法光电响应
- 文献传递
- 溶胶-凝胶提拉法制备光导型日盲区紫外探测器被引量：1
- 2004年
- 利用溶胶凝胶法制备了Ga2O3和InxGa2-xO3薄膜,对其晶体结构、光探测性能等进行了研究,并制作了1个基于上述氧化镓薄膜的光导型紫外探测器.实验结果表明,Ga2O3是很好的光导型日盲紫外探测材料之一.
- 季振国杜娟范镓王玮孙兰侠何作鹏
- 关键词：溶胶凝胶
- 一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料及其制造方法
- 一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料，其特征是该薄膜材料的分子式为Ni<Sub>1-X</Sub>Mg<Sub>X</Sub>O，式中0.2≤X≤0.3；制造该材料采用下列工艺步骤：1)按照分子式Ni<Sub>1-X</Su...
- 季振国何作鹏
- 文献传递
- 热处理温度对溶胶-凝胶法制备的氧化镍薄膜的影响被引量：6
- 2005年
- 以醋酸镍为原料 ,用溶胶 -凝胶法在石英衬底上制备了氧化镍薄膜 ,并利用X射线衍射、紫外 -可见吸收谱对样品进行了表征。结果表明 ,当热处理温度低于 80 0℃时 ,随着温度升高 ,石英衬底上生长的氧化镍薄膜的晶粒逐渐长大 ,其 (2 0 0 )面对应的衍射峰的强度增加 ,取向度提高。当热处理温度超过 80 0℃后 ,晶粒尺寸不但不再增加 ,反而略有下降 ,同时 ,取向度也略有下降。因此就晶粒大小及取向度而言 ,最佳热处理温度为 80 0℃ ,此时薄膜的晶粒尺寸最大 ,(2 0 0 )取向度最高。紫外 -可见吸收谱分析表明 ,氧化镍薄膜的禁带宽度也随着处理温度的变化而变化 ,其变化趋势与晶粒尺寸的变化正好相反 ,即禁带宽度在热处理温度为 80 0℃时有极小值。纳米尺寸粒子中存在的量子约束效应可以说明这一变化趋势。
- 何作鹏季振国
- 关键词：氧化镍X射线衍射紫外-可见吸收
