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严昌浩

作品数：58 被引量：8H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 55篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 15篇自动化与计算...
  • 5篇电子电信
  • 3篇文化科学

主题

  • 22篇电路
  • 18篇集成电路
  • 12篇可制造性
  • 10篇抛光
  • 10篇抛光工艺
  • 10篇光刻
  • 9篇模拟电路
  • 8篇电路设计
  • 8篇线性规划
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 8篇贝叶斯
  • 7篇互连
  • 7篇集成电路设计
  • 7篇高斯
  • 6篇铜互连
  • 6篇图案
  • 5篇电路技术
  • 5篇集成电路技术
  • 5篇光刻工艺

机构

  • 58篇复旦大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院数...

作者

  • 58篇严昌浩
  • 57篇曾璇
  • 21篇周海
  • 17篇周电
  • 15篇陶俊
  • 8篇冯春阳
  • 8篇杨帆
  • 8篇王胜国
  • 8篇陆伟成
  • 6篇蔡伟
  • 4篇武鹏
  • 4篇杨运峰
  • 2篇朱恒亮
  • 2篇吴震宇
  • 2篇付强
  • 2篇王冬
  • 2篇张业
  • 2篇邵嗣烘
  • 1篇沈悦
  • 1篇喻文健

传媒

  • 2篇计算机辅助设...
  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 58 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种化学机械抛光工艺哑元填充的启发式方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，提出一种化学机械抛光工艺的哑元填充的启发式方法，将最小化哑元金属数目的哑元填充问题表示成一个标准的线性规划问题，然后提出动态增加网格内哑元金属密度的启发式算法求解最小哑元填充问题。该方...
周海曾璇严昌浩陶俊冯春阳
一种建立集成电路芯片内工艺偏差的空间相关性模型的方法
本发明属集成电路领域，涉及一种建立集成电路芯片内工艺偏差的空间相关性模型的方法。采用多测试芯片最大似然估计方法，提取空间相关函数的未知参数，建立片内偏差的空间相关性模型。该方法将所有测试芯片的似然函数相乘得到一个联合似然...
曾璇陆伟成陶俊严昌浩付强
文献传递
基于随机配置法和输入端缩减技术的统计静态时序分析被引量：3
2008年
在考虑工艺偏差影响的统计静态时序分析中,针对求解多个随机分布最大值(MAX)的关键问题,提出一种快速MAX算法.该算法将统计输入下的MAX问题转换为求解一组离散配置点上的确定性MAX问题,并用带权最小二乘来计算MAX输出多项式的系数;基于稀疏网格技术有效地减少配置点数,提出输入端缩减技术,进一步提高了MAX的计算效率.ISCAS85基准电路的实验结果表明,该算法较已有的二阶矩匹配算法和基于降维的随机Galerkin算法明显地提高了精度,且效率相当;与10 000次蒙特卡罗的结果相比,中值和方差的相对误差基本小于5%,且有100倍的速度提升.
王毅曾璇陶俊朱恒亮罗旭严昌浩蔡伟
基于多任务神经网络增强高斯过程的多任务贝叶斯优化方法
本发明属集成电路设计中的模拟/射频电路参数设计自动优化领域，具体是一种基于多任务神经网络增强高斯过程(Multi‑task Neural Network EnhancedGaussian Process)，使用多任务建模...
曾璇杨帆严昌浩黄将历
一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法
本发明属半导体光刻工艺可制造性设计领域，具体涉及一种三重曝光光刻工艺的版图图案分解方法。先采用矩形扩展的方法构建冲突图；然后随机产生三着色初始解，每轮优化分别依次固定一种颜色，对剩余二种颜色的冲突子图利用双重曝光图案分配...
曾璇陆伟成周海严昌浩张业
一种结合边界积分方程方法和随机法的平面边界面电荷密度提取方法
本发明属集成电路计算机辅助设计/电子设计自动化领域，具体涉及集成电路寄生参数提取方向中一种结合边界积分方程和随机法的互连线或介质平面边界上面电荷密度提取方法。该方法中，以边界上待求点为球心构造一个半球体，与区域边界相交为...
严昌浩曾璇蔡伟
文献传递
一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法
本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种针对耦合电容影响的化学机械抛光工艺哑元金属填充方法。本方法将求解最小化耦合电容影响的哑元金属填充问题转化成特殊的覆盖线性规划问题，然后用完全多项式时间近似法求解所述问题。本发明...
曾璇周海严昌浩陶俊冯春阳
一种电子束和双重图案混合光刻工艺版图图案分解方法
本发明属于集成电路半导体制造技术领域，涉及一种电子束和双重图案光刻工艺中版图图案分解的方法。本发明将同时最小化电子束使用面积和缝合点数目的版图图案分解问题表示成删点两划分问题；所述方法包括：根据输入版图文件和冲突距离B，...
曾璇陆伟成周海严昌浩杨运峰
一种基于密度梯度热点聚类分组和局部求解技术的哑元综合优化方法
本发明属于半导体可制造性设计领域中针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种考虑密度梯度约束的哑元综合优化求解方法。本发明方法在哑元综合过程中同时施加密度上下限约束和密度梯度约束，并且最小化哑元插入数量。本发明方法比较完...
曾璇严昌浩陶俊周星宝武鹏
文献传递
一种基于多起始点重要性采样技术的快速计算SRAM失效概率的方法
本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及考虑纳米工艺扰动下SRAM失效概率快速计算方法。本方法通过在参数空间内进行多起始点序列二次规划算法，搜索多个失效区域对应的最优偏移向量，构建重要性采样所需的偏移概率分布密度函数，并...
曾璇严昌浩周电王梦硕
文献传递
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