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龙展鹏

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：湖北大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇电学
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电材料
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇ND掺杂
  • 1篇BI
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇湖北大学

作者

  • 1篇龙展鹏
  • 1篇梁坤
  • 1篇谢文明
  • 1篇贺小庆

传媒

  • 1篇湖北大学学报...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Nd掺杂对Bi_4Ti_3O_(12)单晶的结构和电学性能的影响
2008年
采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12(BNdT)单晶,并研究了BNdT的结构和电学性能.XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化,铁电性能的测试表明Nd掺杂降低了BNdT单晶的剩余极化,BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势.Nd的A位掺杂同时也导致BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小,而由于(Bi2O2)2+层的存在,BNdT单晶沿c方向显示出更低的漏电流密度.
梁坤贺小庆谢文明龙展鹏
关键词：单晶生长铁电材料漏电流
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