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陈永虎

作品数:34 被引量:163H指数:8
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 29篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 21篇发光
  • 9篇稀土
  • 7篇光谱
  • 6篇量子
  • 6篇量子剪裁
  • 6篇掺杂
  • 5篇发光性
  • 5篇GD
  • 5篇长余辉
  • 5篇EU
  • 4篇稀土发光
  • 4篇晶体
  • 4篇发光特性
  • 4篇YB
  • 4篇长余辉材料
  • 3篇真空紫外
  • 3篇谱特性
  • 3篇钨酸
  • 3篇钨酸铅
  • 3篇稀土发光材料

机构

  • 34篇中国科学技术...
  • 7篇中国科学院
  • 2篇新疆师范大学
  • 1篇福建师范大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇伊犁师范学院
  • 1篇香港中文大学
  • 1篇德国汉堡大学

作者

  • 34篇陈永虎
  • 19篇施朝淑
  • 10篇尹民
  • 7篇韦先涛
  • 5篇戚泽明
  • 5篇刘波
  • 4篇段昌奎
  • 4篇陶冶
  • 3篇闫武钊
  • 3篇张国斌
  • 3篇姜桂铖
  • 2篇刘淼
  • 2篇汤洪高
  • 2篇程学瑞
  • 2篇林林
  • 2篇杨秀健
  • 2篇陈航榕
  • 2篇周东方
  • 2篇魏亚光
  • 2篇王晓纯

传媒

  • 14篇发光学报
  • 5篇中国稀土学报
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇第12届全国...
  • 2篇第11届全国...
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇核技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇北京同步辐射...
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇第四届全国掺...
  • 1篇第五届全国稀...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 9篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
稀土掺杂的光谱转换材料及其应用被引量:3
2012年
以LED红色荧光粉材料、近红外下转换材料和上转换生物荧光标记材料为主线,结合我们实验室近期具体的相关研究工作,对稀土掺杂的光谱转换材料及其潜在的应用前景进行了简要介绍.在LED红色荧光粉材料方面,以Eu3+掺杂的红色荧光材料为对象,研究通过基质或掺杂敏化剂到Eu3+的能量传递来提高材料在近紫外波段的激发效率,并且在Y2MoO6材料中通过基质的电荷迁移带到Eu3+的能量传递在395nm的近紫外激发条件下获得了2.3倍于商用LED荧光粉(Y2O2S:Eu3+)的发光强度.在近红外下转换材料方面,分别研究了通过从其他稀土离子到Yb3+的逐次能量传递和从基质到Yb3+的合作能量传递实现近红外下转换,主要介绍了两种典型材料中的能量传递机理,氟化物中Ho3+到Yb3+的逐次能量传递和YVO4中VO43-到Yb3+的合作能量传递.在上转换生物荧光标记材料方面,利用以油酸/十八烯为溶剂的湿化学法合成了单分散、粒径在20nm左右、具有核/壳结构和水溶性的球形NaYF4:Yb3+,Er3+(Tm3+)纳米粒子,并对其在不同环境中的稳定性和在细胞中的荧光成像性质做了研究,在此基础上还对下一步可能的深化研究进行了探讨.不断拓展的研究方向和层出不穷的研究结果表明稀土掺杂的光谱转换材料是新型功能材料的重要研究领域,目前和将来在生物和化学传感、节能环保和新能源等领域有着重要的应用或应用前景,需要深入研究.
韦先涛姜桂铖邓楷模陈永虎段昌奎尹民
关键词:稀土发光
ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理被引量:19
2004年
以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0~ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。
施朝淑张国斌陈永虎林碧霞孙玉明徐彭寿傅竹西Kirm MZimmerer G
关键词:ZNO薄膜发光真空紫外光谱特性
Eu^(3+)/Yb^(3+)共掺杂ZrO_2粉末的制备和发光性质研究被引量:5
2010年
利用共沉淀方法制备了Eu3+/Yb3+单掺和共掺的ZrO2粉体材料,研究了煅烧温度和掺杂浓度对结构和发光性质的影响。XRD结果表明:所制备单掺样品含有单斜相和四方相2种不同结构,随着热处理温度的升高,四方相向单斜相转变,经1 150℃处理后,四方相消失,呈现单一的单斜相;Yb3+离子的掺入有稳定ZrO2四方相的作用,随着掺杂浓度的增加,单斜相转变为四方相。由于晶相的不同,Eu3+处在四方相和单斜相2种发光中心,二者发光性质不同。Eu3+/Yb3+共掺后,在270 nm激发Eu3+时,观测到了Yb3+在近红外波段(980 nm)的发光,同时证实Eu3+的激发光谱和Yb3+的激发光谱相一致,表明存在Eu3+到Yb3+的能量传递,交叉弛豫和共合作能量传递过程是其可能的能量传递机理。
程学瑞韦先涛陈永虎尹民
Lu_2O_3:Yb^(3+),Tm^(3+)纳米晶的结构和上转换发光性能研究被引量:2
2010年
采用共沉淀法制备了Yb3+和Tm3+共掺杂的Lu2O3纳米晶,用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显示镜(SEM)和上转换光谱对样品进行了表征。研究了Tm3+浓度和煅烧温度对粉末的结构和上转换发光性能的影响。结果表明,制备出的纳米晶具有纯的Lu2O3相,结晶性较好。在980 nm半导体激光器激发下,样品发射出蓝光、红光和近红外光,并且当Tm3+掺杂摩尔分数超过0.2%时,出现了浓度猝灭效应。随着煅烧温度的增加,纳米晶的尺寸增大,上转换发光强度增强。发射强度与激发功率的关系表明,蓝光490 nm和红光653 nm的发光是三光子过程,近红外811 nm的发光是双光子过程。
李丽韦先涛王晓纯陈永虎郭常新尹民
关键词:上转换发光共沉淀法
Mn^4+掺杂的新型铝酸盐红色长余辉材料被引量:12
2008年
用高温固相法合成了红色长余辉发光材料LiAl5O8∶Mn4+,Li5AlO4∶Mn4+,LiAlO2∶Mn4+,发现前两种材料有红色余辉,这方面并没有报道过,并对这两种材料的发光性能作了研究,指明了不同基质中发光强弱不同原因。对不同Mn4+掺杂浓度的材料做了浓度依赖关系研究,确认Mn4+的发光是2E→4A2的跃迁。Mn4+的发光是个宽带谱,材料在紫外区有强的吸收,发射谱范围可达620~770nm,峰值在675nm。对长余辉机制进行了探讨。
闫武钊林林陈永虎尹民
白色长余辉材料CaxMgSi2O5+x:Dy^3+系列的发光性能被引量:8
2008年
制备并研究了一系列具有白色长余辉的钙镁硅酸盐材料,CaxMgSi2O5+x∶Dy3+(x=1,2,3)。在紫外激发的发射谱中观察到来自Dy3+的4f组态内发射:对应4F9/2→6H15/2跃迁的蓝色发射(480nm)以及对应4F9/2→6H13/2跃迁的黄色发射(575nm)。低压汞灯(254nm)辐照后产生的长余辉光谱成分与发射谱相同,蓝光与黄光的混合组成白色光。对所研究的大部分样品,白色长余辉发射持续时间超过1h。研究了发射光强度对Dy3+浓度的依赖以及黄光与蓝光强度比与Dy3+掺杂浓度之间的关系,发现不同的基质有不同Dy3+浓度的依赖关系。室温以上的热释光谱表明所研究材料在室温以上具有丰富的热释光峰,因此有潜力进一步改善其长余辉性能。结合实验结果和以往研究,简要讨论了这一类材料的陷阱来源和长余辉发射机理。
陈永虎程学瑞戚泽明刘淼施朝淑
关键词:白光长余辉材料发光
稀土掺杂光学功能材料的发光性质研究
尹民邓楷模韦先涛陈永虎段昌奎
BaF2:Gd,Eu的真空紫外量子剪裁被引量:1
2002年
本文观察到BaF2:Gd,Eu通过下转换过程实现可见光发射的量子剪裁过程。Gd3+吸收一个VUV光子,通过交叉弛豫过程把能量传递给两个Eu3+,从而发射出两个可见光光子,实现量子剪裁过程。通过光谱结果的计算,其量子剪裁效率可达194%。
刘波陈永虎施朝淑汤洪高陶冶
关键词:光谱发光材料
基于发光材料的温度探测新机制探索被引量:6
2016年
温度是最基本的物理量之一,它的准确测量在科学研究和技术应用等领域具有十分重要的意义。基于物质光学响应特性的温度探测是一种新型的测温技术,可以克服传统温度计内在的不足,满足非接触式、高分辨率、快速响应等探测需求。围绕着可用于温度传感的固体发光材料展开,从基于荧光强度、荧光强度比和荧光寿命这三类不同的温度探测方式出发,详细介绍了关于温度探测的工作所取得的成果和进展,讨论了它们作为测温材料的温度区间以及相对灵敏度,归纳总结了各自的优缺点,并对其发展前景进行了展望。
李心悦周少帅姜桂铖田秀娜江莎韦先涛陈永虎段昌奎尹民
关键词:荧光强度荧光寿命稀土发光材料
退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响被引量:1
2002年
首次报道了用不同浓度的Al离子注入于蓝宝石衬底上的GaN薄膜(注入能量为500keV、注入浓度为1014~1015 cm-2),  在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后,在12K下用He-Cd 激光(325nm)激发得到其发射谱。结果显示, 经大剂量Al注入后的样品,其光致发光谱中3.45eV的带边激子发光以及2.9 ~ 3.3eV的4个声子伴随峰消失。此表明大剂量Al注入对GaN的晶体结构造成严重的损伤,以致本征发光消失。经1014cm-2剂量Al注入后的样品,在N2气氛中退火处理后,2.2eV缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且,经常规退火处理后,此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好(其积分光强高3倍)。相似的结果亦显示于1015 cm-2 浓度的Al 注入的样品。2.2eV 黄色荧光源于GaN的缺陷(如Ga空位(VGa), 或VGaH2,或VGa-ON 复合体),其能级位于价带顶以上约1.1eV处。荧光发射可以来自"导带缺陷能级"的跃迁,也可能来自浅施主(如N位O,能级位于导带下~10 meV)至上述缺陷能级之间的跃迁。I-V 测量显示,Al的注入区成为 ~ 10?
许小亮施朝淑陈永虎Luo E ZSundaravel BWilson I H
关键词:GAN发光特性退火氮化镓电子陷阱
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