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郑嘹赢

作品数:133 被引量:155H指数:7
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 82篇专利
  • 35篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 31篇化学工程
  • 26篇一般工业技术
  • 12篇理学
  • 11篇电气工程
  • 5篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 2篇历史地理
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 71篇陶瓷
  • 41篇压电
  • 33篇陶瓷材料
  • 30篇压电陶瓷
  • 23篇压敏
  • 21篇掺杂
  • 18篇氧化锌
  • 16篇无铅
  • 15篇电性能
  • 15篇压敏陶瓷
  • 11篇添加剂
  • 10篇电阻
  • 10篇压电陶瓷材料
  • 10篇氧化锌压敏陶...
  • 9篇压电性
  • 9篇压电性能
  • 9篇无铅压电
  • 9篇粉体
  • 8篇钛酸铅
  • 8篇温度系数

机构

  • 119篇中国科学院
  • 15篇天津大学
  • 3篇上海大学
  • 2篇上海第二工业...
  • 2篇铜仁学院
  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇湘潭大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇天津城市建设...
  • 1篇江西科技师范...
  • 1篇景德镇陶瓷大...

作者

  • 133篇郑嘹赢
  • 111篇李国荣
  • 63篇曾江涛
  • 41篇阮学政
  • 39篇殷庆瑞
  • 24篇程丽红
  • 20篇阮伟
  • 17篇田甜
  • 16篇曾华荣
  • 15篇满振勇
  • 13篇赵坤宇
  • 12篇徐廷献
  • 11篇徐明霞
  • 10篇肖祥凯
  • 10篇程健
  • 7篇张望重
  • 7篇丁爱丽
  • 7篇王天宝
  • 7篇刘丽月
  • 6篇赵苏串

传媒

  • 11篇无机材料学报
  • 4篇硅酸盐学报
  • 3篇材料导报
  • 2篇高等学校化学...
  • 2篇物理学报
  • 2篇天津大学学报...
  • 2篇功能材料
  • 2篇材料研究学报
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇电瓷避雷器
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2024
  • 8篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
  • 5篇2015
  • 6篇2014
  • 9篇2013
  • 11篇2012
  • 1篇2011
  • 12篇2010
  • 6篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 4篇2006
  • 6篇2005
133 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法,所述铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料的组成通式为:Pb((Yb<Sub>1/2</Sub>Nb<Sub>1/2</Sub>)<Sub>1‑x</Sub>Sn<Sub>x</Su...
李国荣滕冰洁曾江涛郑嘹赢
文献传递
一种棒状五氧化二铌模板晶粒及其制备方法
本发明涉及一种棒状五氧化二铌模板晶粒及其制备方法,所述晶粒呈棒状、长度为10~120μm,直径为2~10μm,长径比为10~15,且所述晶粒具有各向异性。本发明的棒状五氧化二铌粉体颗粒,晶粒形貌呈棒状,在结构上具有明显的...
李国荣周义博曾江涛郑嘹赢阮伟阮学政
文献传递
一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法
本发明公开一种无Bi、Pr、V的氧化锌基压敏薄膜材料及其制备方法。所述氧化锌基压敏薄膜材料以氧化锌和改性添加剂组成的陶瓷为靶材,采用磁控溅射技术在导电基底上沉积ZnO基压敏薄膜材料;所述靶材中氧化锌的含量为89.5~99...
田甜李国荣郑嘹赢阮学政时雪满振勇
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铌镁酸铋钛酸铅压电陶瓷准同型相界附近的性能和相变温度研究被引量:2
2012年
利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷,分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响.XRD结果表明:合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构,并且在PbTiO3含量为x=0.60时,其组分的XRD图谱在衍射角2θ=45°出现明显的分峰,说明该组分相结构中存在三方和四方相的共存.压电铁电性能显示,BMN-0.60PT有最大的压电常数d33(~170pC/N)和平面机电耦合系数kp(0.35),最小的矫顽场Ec(29.4 kV/cm)及最大的剩余极化Pr(31.4μC/cm2).确定了BMN-PT压电陶瓷的准同型相界(MPB)为PbTiO3含量x=0.60的组分.介电系数温谱表明介电系数峰值温度(Tm)随着PbTiO3含量的增大而升高,MPB组分的Tm约为276℃.
洪琳赵丽艳朱兴文郑嘹赢曾江涛李国荣
关键词:准同型相界相变温度
A/F氧传感器用Ti<,3>O<,5>薄膜新材料的制备科学和性能研究
该文将对薄膜型A/F(空燃比)氧传感器用新材料-Ti<,3>O<,5>的性能进行研究.采用溶胶-凝胶法在Al<,2>O<,3>基片上制备薄膜:以钛酸四丁酯为原料,无水乙醇为溶剂,添加适量的其它物质以获得稳定的溶胶,然后通...
郑嘹赢
关键词:厚度
文献传递
一种具有上转换发光特性的透明电光陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种具有上转换发光特性的透明电光陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb<Sub>1-y</Sub>La<Sub>y</Sub>(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</...
曾江涛李国荣阮伟郑嘹赢曾华荣丁爱丽
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一种增强压电陶瓷片中陶瓷片与表面电极层连接强度的方法
本发明涉及一种增强压电陶瓷片中陶瓷片与表面电极层连接强度的方法,包括:使压电陶瓷片上下表面中至少一面上形成相互平行分布的凹槽的同时去除电极层,然后在压电陶瓷片的形成凹槽的表面再镀表面电极层,以增强压电陶瓷片中表面电极层与...
时雪阮学政李国荣刘文斌曾江涛郑嘹赢满振勇
文献传递
一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种PMN-PZT基透明电光陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb(Mg<Sub>y</Sub>Nb<Sub>z</Sub>)O<Sub>3</Sub>-xPb(Zr<Sub>1-p<...
阮伟曾江涛李国荣郑嘹赢曾华荣丁爱丽
文献传递
一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法
本发明公开了一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法。所述材料由氧化锌、烧结助剂及改性添加剂组成,其中氧化锌的含量为86.0~98.0mol%,烧结助剂的含量为0.001~3.0mol%,余量为改性添加剂;所述的烧结助...
李国荣肖祥凯程丽红郑嘹赢阮学政曾江涛
高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料及其制备方法
本发明涉及一种高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料,属于无铅半导体材料领域。该材料的组成通式为:(Na<Sub>0.5</Sub>Bi<Sub>0.5</Sub>)<Sub>x1</Sub>(Ba<Sub>1-x1-...
郑嘹赢李国荣李艳艳冷森林王天宝曾江涛殷庆瑞
文献传递
共14页<12345678910>
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