邹忠飞
- 作品数:15 被引量:22H指数:3
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- 相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 半“V”字形铁电液晶器件的制备被引量:1
- 2008年
- 实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs.
- 李静邹忠飞唐先柱宣丽
- 非直流电压对N^*-SmC^*相序铁电液晶排列的影响被引量:1
- 2008年
- 半"V"字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷。通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=-3V/μm,一个脉冲周期20ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响。
- 季新建李静邹忠飞唐先柱宣丽
- 关键词:铁电液晶剩余电荷
- 连续灰度N*-SmC*相序铁电液晶器件制备
- 半'V'字形铁电液晶器件中使用N*-SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷.为消除剩余电荷的影响,本文研究了在相变过程...
- 季新建李静邹忠飞唐先柱宣丽
- 关键词:铁电液晶液晶显示器件相变剩余电荷
- 文献传递
- 聚合温度及铁电液晶有序度对单体转化率的影响被引量:3
- 2010年
- 采用琉醇和丙烯酸的混合物作为反应单体,利用红外光谱仪检测反应前后单体的C=C双键吸收峰的变化,研究了温度对单体转化率的影响。制备了单体含量为10%的聚合物稳定铁电液晶器件,研究了铁电液晶有序度对单体的影响。实验表明:随着温度的增加单体的转化率增加,随着铁电液晶有序度的增加单体的转化率增加;在铁电液晶中单体的转化率主要受有序度的影响;制备聚合物稳定铁电液晶器件最佳的聚合条件为近晶A相(SmA)下聚合。
- 唐先柱邹忠飞宣丽
- 关键词:转化率有序度
- 高对比度铁电液晶器件的制备研究
- 铁电液晶具有微秒级的电光响应速度,比向列相器件快1~2个数量级,驱动电压小于10V,能够和大规模的集成电路匹配,是一种在光电调谐领域具有广泛应用前景的液晶材料。但是由于铁电液晶具有分子层结构,且层间的相互作用力小于分子之...
- 邹忠飞
- 关键词:铁电液晶
- 硫醇丙烯酸聚合物稳定铁电液晶
- 采用硫醇和丙烯酸的混合物作为反应单体,制备了单体含量为4%的聚合物稳定铁电液晶器件.硫醇的引入使丙烯酸聚合反应由自由基链式自聚反应转变为自由基逐步共聚,碳碳双键的转化率提高到84%,较丙烯酸自聚反应30%碳碳双键转化率有...
- 邹忠飞唐先柱季新建宣丽
- 关键词:硫醇
- 文献传递
- 琉醇/丙烯酸脂聚合物稳定的铁电液晶显示器件被引量:2
- 2009年
- 采用琉醇和丙烯酸的混合物作为反应单体,制备了单体含量为4%的聚合物稳定铁电液晶器件。琉醇的引入使丙烯酸聚合反应由自由基链式自聚转变为自由基逐步共聚,碳碳双键的转化率由30%提高到84%,较丙烯酸自聚反应有了大幅提高,降低了残留在液晶中的单体。在器件内部形成了沿着摩擦方向的聚合物网络,得到了具有"V"字型电光特性、对比度高、响应速度快、稳定性好的铁电液晶器件。
- 邹忠飞唐先柱季新建宣丽
- 关键词:巯基
- 柔性双官能团聚合物制备网络稳定铁电液晶器件被引量:8
- 2007年
- 采用柔性的双官能团聚合物单体二丙烯酸酯NPGDA,将掺杂这种单体含量为2%(质量分数)的铁电液晶在SmA*相下用UV光照,制备了聚合物网络稳定铁电液晶样品。原子力显微镜给出NPGDA在样品中形成了具有各向异性、沿着基板摩擦方向延伸的聚合物网络。利用偏光显微镜和液晶参数综合测试仪对该样品进行观察测试,实验检测结果表明,由于聚合物网络体锚定的引入,使得铁电液晶分子在电场下的运动受到限制,得到了均匀取向的条纹织构,避免了zigzag缺陷,且该器件的电光曲线为“V”字形,从而实现了连续灰度,对比度达到199∶1,饱和电压为6V,上升时间和下降时间分别为494μs和404μs,同时铁电液晶器件的抗震动能力得到了显著提高。
- 李静邹忠飞乌日娜宋静宣丽
- 关键词:高对比度
- 连续灰度铁电液晶器件制备被引量:5
- 2006年
- 采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了器件形成不同分子层排列结构及呈现“V”字形和半“V”字形电光特性的原因.
- 乌日娜李静张然邹忠飞宣丽
- 关键词:铁电液晶相变电压灰度
- 极性自组装单层膜取向铁电液晶器件
- 2009年
- 采用极性自组装单层膜和摩擦的方法制备了非对称的液晶盒。在铁电液晶相变的过程中不施加电场,得到了排列均一的铁电液晶器件。实验表明:极性自组装单层膜极性越大器件的对比度越高。经过分析得出该器件液晶分子取向机理为:基板附近的铁电液晶通过偶极和极性自组装膜的作用,使得靠近自组装膜表面处的偶极和靠近摩擦表面的偶极的指向相同,通过分子的相互作用使得体内分子排列方向一致。
- 邹忠飞唐先柱季新建鲁星海宣丽
- 关键词:铁电液晶自组装单层膜单畴