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邵宇飞

作品数:8 被引量:10H指数:2
供职机构:辽宁工程技术大学更多>>
发文基金:辽宁省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 7篇理学

主题

  • 2篇动力学
  • 2篇多尺度
  • 2篇应变场
  • 2篇位错
  • 2篇力学性能
  • 2篇分子
  • 2篇从头算
  • 2篇从头算研究
  • 2篇力学性
  • 1篇动力学模拟
  • 1篇压痕
  • 1篇原子
  • 1篇原子模拟
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇时间步长
  • 1篇水分子
  • 1篇塑性
  • 1篇氢键
  • 1篇氢键复合物

机构

  • 8篇辽宁工程技术...
  • 5篇辽宁工业大学
  • 1篇东北大学

作者

  • 8篇邵宇飞
  • 6篇杨鑫
  • 5篇李久会
  • 5篇赵星
  • 2篇高科
  • 2篇唐丹
  • 1篇孟凡顺

传媒

  • 2篇分子科学学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇原子与分子物...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2011
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
分子动力学模拟研究孪晶界对单层二硫化钼拉伸行为的影响被引量:7
2019年
孪晶界是单层过渡金属二硫族化物材料中的一种重要结构缺陷.本文通过分子动力学模拟结合Stillinger-Weber势函数研究单轴拉伸过程中孪晶界对单层MoS2力学行为的影响.结果表明:1)孪晶界能够诱发裂纹在孪晶界附近形核,并促使裂纹沿界面扩展,从而降低晶体的断裂应变;2)温度的升高能够加剧孪晶界附近的裂纹形核过程,从而进一步减弱单层MoS2的断裂强度和断裂应变;3)孔洞能够造成应力集中,从而进一步触发断裂过程,但孪晶界能够阻碍孔洞应力场的扩散,从而延缓单层MoS2材料的断裂过程;4)孪晶片层间距对单层MoS2断裂应变具有重要影响,特别是对于含孔洞的单层MoS2材料,材料断裂应变能够随着片层间距的减小而显著提高.
邵宇飞孟凡顺李久会李久会
关键词:孪晶界力学性能分子动力学
基于多尺度模拟研究Ni/Cu薄膜压痕塑性的原子机制
2017年
基于准连续介质多尺度模拟方法研究了Ni/Cu双层薄膜初始压痕塑性的原子机制,结果主要包括:(1)当Ni晶体层厚度小于10nm时,随着Ni晶体层厚度的减少,薄膜弹性极限所对应的临界接触力逐渐降低,即Ni/Cu薄膜随Ni晶体层厚度减小而变软;(2)压头下方晶格Shockley分位错的开动、界面位错的分解、以及界面位错与晶格位错的相互作用是Ni/Cu薄膜初始塑性的微观原子机制,(3)根据模拟结果观察和位错弹性理论计算,承载初始塑性的界面位错数目变少是Ni/Cu薄膜软化的主要原子机制.本文研究结果能够为异质界面力学行为研究提供有益参考.
邵宇飞高科杨鑫李久会赵星
基于微观结构计算晶体宏观弹性应变场
2016年
基于晶体的微观结构提出了一种计算晶体宏观弹性应变场的方法,将该方法应用于金属晶体Fe,得到的应变场与连续介质理论预测结果吻合地很好,从而证明了该方法的准确性.以该方法为基础,进一步考虑无限小应变与有限应变的差值,发现应变差值在晶体剧烈变形区域内较强,对金属晶体Cu位错应变场的计算表明这种应变差异可以用来描述位错的运动状态和芯域结构.该方法可为评估晶体缺陷附近应变状态提供依据.
邵宇飞杨鑫李久会赵星
关键词:晶体微观结构
石墨烯位错附近应变场的离散晶格方法研究
2017年
位错是石墨烯材料中的一种重要结构缺陷.本文通过基于离散晶格方法的virial局部应变研究了石墨烯位错周围应变场.结果表明两种原子级virial局部应变,即无限小应变和有限应变,与位错弹性理论预测结果吻合较好,从而证明了virial应变分析方法的有效性.然而这两种应变存在微小差异,该差异可以用来显示位错芯域的原子结构.近邻环境对这种应变差异存在影响,根源在于不同的近邻环境对位错芯域局部变形的敏感程度不同:与次近邻环境相比,最近邻环境计算范围较小,计算出的应变差异对局部变形更加敏感.最后,提出近邻位移参数——一种显示石墨烯位错的新方法,该参数可以清晰地显示出石墨烯位错的5|7结构,并能够反映出褶皱引起的结构变化.
邵宇飞杨鑫高科李久会赵星
关键词:石墨烯位错晶格
HCCO自由基与水分子氢键复合物的从头算研究被引量:1
2011年
在MP2/aug-cc-pvdz水平下,对二体氢键复合物H2O…HCCO(Ⅰ)和HCCO…H2O(Ⅱ)以及三体氢键复合物(H2O)2…HCCO(Ⅲ),H2O…H2O…HCCO(Ⅳ)和H2O…HCCO…H2O(V)的几何和相互作用能进行了计算.轨道分析表明Ⅲ中HCCO中的H(1),C(2)通过2个氢键与2个水分子形成了环状复合物,而Ⅳ只有C(2)与2个水分子形成了环状复合物,并且C(2)与其中1个水分子间只有静电作用而不形成氢键,Ⅴ则是HCCO中所有原子都参与形成大环复合物.通过多体分析MBAC方法,分析了3种三体复合物的多体结合能.其中所有的三体能都是负值,二体能在总相结合能中占85%90%,三体能占10%15%.在二体能中,水分子之间的结合能强于水分子与HCCO之间的结合能.Ⅴ中的三体能最高,说明大环的复合物最不稳定.
杨鑫唐丹邵宇飞
关键词:氢键复合物结合能相互作用能
Cu刃型扩展位错附近局部应变场的原子模拟研究被引量:2
2014年
通过结合virial应变分析技术的准连续介质多尺度模拟方法研究了金属Cu刃型扩展位错的局部应变场.结果表明在距离位错核心几十纳米的区域内晶体处于小变形状态,virial应变计算结果与弹性理论预测结果符合得相当好,当距离位错核心仅几纳米时,晶格畸变加剧,virial应变极大值出现在扩展位错两端的Shockley分位错芯部.进一步分析表明Shockley分位错芯部严重畸变区大致呈长轴7b1、短轴3b1的椭圆形,其中b1为分位错柏氏矢量的长度.
邵宇飞杨鑫李久会赵星
关键词:位错原子模拟多尺度
HCCO自由基与LiX(X=F,Cl,Br)锂键复合物的从头算研究
2011年
在MP2/6-311++G**水平上优化乙烯酮自由基与LiX(X=F,Cl,Br)形成锂键复合物.当卤素的电负性很强(如F元素),使得Li原子处于缺电子状态,此时,电子给体会把电子偏移向锂,形成共价性较强的锂键.而当卤素的电负性减弱时,锂键中主要成分逐渐变为离子键,并且此时锂键性质还要受电子给体影响.另外,由于HCCO为缺电子结构,电负性较弱且体积较大的卤素中的孤对电子会与HCCO之间通过静电相互作用,使得HCCO…Li—X键夹角变小,接近120°.锂键性质对HCCO…LiX(X=F,Cl,Br)复合物中Li—X的伸缩振动频率有直接影响.当锂键表现为共价性时,该频率红移,而当锂键表现为离子性时,该频率蓝移.但是,由于Cl的电负性与O的接近,C的电负性与Br接近所以,在O…Li…Cl和C…Li…Br中容易形成共振结构,导致远大于在其他复合物中的红移.
杨鑫唐丹邵宇飞
关键词:锂键自然键轨道理论量子化学
一种单层二硒化钼材料力学性质的分子动力学模拟方法
本发明公开了一种单层二硒化钼材料力学性质的分子动力学模拟方法,具体包括以下步骤:(1)基本参数设置:用LAMMPS进行建模,模型原子采用metal单位,空间维度设置为三维,在压痕方向上采用可收缩性边界,在垂直于压痕的方向...
邵宇飞曹瑞
共1页<1>
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