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许钫钫

作品数:28 被引量:30H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金The Royal Society上海市自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇化学工程
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 6篇电镜
  • 6篇射电
  • 6篇透射电镜
  • 5篇陶瓷
  • 4篇电场
  • 4篇电极
  • 4篇纳米
  • 3篇微米
  • 3篇抗辐照
  • 3篇化学组成
  • 3篇发光
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇导电胶
  • 2篇电子显微术
  • 2篇亚微米
  • 2篇增韧
  • 2篇制样
  • 2篇碳膜
  • 2篇陶瓷材料

机构

  • 28篇中国科学院
  • 2篇上海大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇东华大学
  • 1篇河南大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇纽卡斯尔大学

作者

  • 28篇许钫钫
  • 6篇冯景伟
  • 5篇王新刚
  • 3篇温树林
  • 3篇张琳琳
  • 3篇祝迎春
  • 3篇卢萍
  • 2篇曾毅
  • 2篇阮美玲
  • 2篇杨涛
  • 2篇陈向阳
  • 2篇甘霖
  • 2篇黄富强
  • 1篇薛佳祥
  • 1篇史迅
  • 1篇薛冬峰
  • 1篇许志斌
  • 1篇阮启超
  • 1篇李昕欣
  • 1篇林德宝

传媒

  • 8篇无机材料学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇2013年全...
  • 1篇第十八届全国...
  • 1篇2014年全...

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
不同气氛下烧结的α-Sialon/SiC_(w)复合材料
1998年
本工作运用透射电子显微镜(TEM)对N2以及N2+CO两种不同气氛下制备α-Sialon/SiC(W)复合材料的显微结构进行了观察.实验揭示了两种复合材料具有明显不同的相界结构:N2气氛下制备的材料中,基体与晶须间的界面结合牢固;而在N2+CO气氛下,由于CO气体与SiC晶须表面发生化学反应生成SiO2;导致相界面上渗入一层很厚的玻璃相.两种相界结构均导致材料性能的下降.本工作提出了改进α-Sialon/SiC(w)复合材料显微结构的几个可能的途径.
许钫钫温树林
关键词:复合材料相界面碳化硅晶须增韧
Ce-SiAlON荧光材料的掺杂结构及其光性能的关系
稀土掺杂SiAlON(氮化硅固溶体)荧光材料已被证实拥有与商用YAG∶Ce等荧光粉相当的量子效率却呈现更低的热淬灭效应.对于有着强大应用背景的大尺寸稀土掺杂元素如Eu和Ce,因目前无法实现高掺杂,对这些稀土离子结构位置的...
许钫钫Sourty E曾雄辉甘霖
关键词:荧光材料
文献传递
一种抗辐照抗腐蚀球形燃料元件及其制备方法
本发明涉及一种抗辐照抗腐蚀球形燃料元件及其制备方法。所述抗辐照抗腐蚀球形燃料元件,由球形燃料作为核心,以及形成在核心表面的疏松的各向同性PyC层、致密的各向同性纳米晶ZrC层和致密的各向同性无定形SiC层组成。
鲍伟超王新刚姚鹤良许钫钫
GaS亚微米管的几何构造和结构应变
2006年
许钫钫胡俊清板东义雄冯景伟
关键词:GAS微米管透射电子显微术半导体化合物层状结构
线型和带型α-Si3N4准一维结构的形成机理和表征被引量:3
2009年
采用高温氮化合成的热化学方法制备了单晶的线型和带型α-Si3N4准一维结构.其中线型α-Si3N4准一维结构沉积在温度较低的反应区域(1200℃),而带型α-Si3N4准一维结构则沉积在高温原料源附近位置(1450℃).经XRD、SEM、TEM、HRTEM分析表明,制备的线型和带型α-Si3N4准一维结构均为单晶;线型α-Si3N4直径约为100~300nm,长为几十微米;而带型α-Si3N4厚约30nm,宽度在300nm^2μm之间,长度为几微米到几十微米.从晶体生长热力学及动力学方面讨论了线型和带型α-Si3N4准一维结构的生长过程和分区沉积的原因.结果表明,较高的温度和过饱和度有利于形成带型准一维结构.
杜雪峰祝迎春许钫钫杨涛曾毅沈悦
一种抗辐照高熵陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明涉及一种抗辐照高熵陶瓷材料及其制备方法和应用。所述抗辐照高熵陶瓷材料的化学组成为非等摩尔比(Ti<Sub>a</Sub>Zr<Sub>b</Sub>Nb<Sub>c</Sub>Ta<Sub>d</Sub>W<Sub...
辛晓婷鲍伟超郭晓杰王新刚姚鹤良许钫钫
微米空心碳球串珠结构的制备与形成机理被引量:1
2011年
以还原Fe粉和活性炭为原料,通过热CVD法制备出微米级的空心碳球串珠结构.利用TEM、EDS和多点氮吸附仪进行形貌、成分、比表面积及孔径分布表征.串珠结构由φ(1~2)μm的空心碳球串联而成,长度可达十几微米.碳球的壁厚为3~5nm的石墨球壳结构.所制备产物的比表面积SBET达到306.523m2/g,其孔径分布在中孔范围,峰值位于3.761nm.微米级空心碳球串珠结构的形成机理为:含C的Fe微液滴在低温区凝聚并以石墨烯片层的方式析出C,外延于Fe液滴形成石墨层,与Fe液滴构成Fe/石墨层核壳结构,石墨球壳的收缩趋势挤压Fe液滴沿轴向移动.循环往复上述即形成空心串珠结构.该结构在节能材料、药物、染料和催化剂等的载体材料、储氢、储能等方面可能具有良好的应用前景.
杨涛祝迎春钱霍飞袁建辉许钫钫
关键词:微米级比表面积孔径分布
氮化钛陶瓷在氩离子辐照下的微结构变化
<正>第四代核裂变能系统(Gen-Ⅳ)及聚变能系统(Fusion)极端苛刻的高温辐照腐蚀环境挑战着现有材料的极限,高堆芯温度(500-1600℃)、强中子辐照损伤(30-200dpa)、高裂变气体浓度(3-2000app...
薛佳祥王新刚许钫钫张国军
文献传递
Cu2Se热电材料的结构特征与相变
卢萍许钫钫刘灰礼袁勋史迅张文清陈立东
一种透射电镜原位电场超薄片样品无污染电极的制备方法
本发明提供一种透射电镜原位电场超薄片样品无污染电极的制备方法,包括如下步骤:步骤(1),提供待测块状试样,并进行抛光、打磨,得到预制样;步骤(2),将预制样和金属环粘接成预减薄试样进行减薄处理,然后在金属环的一面沉积一层...
傅正钱胡腾飞姚鹤良冯景伟许钫钫
文献传递
共3页<123>
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