蔡道民
- 作品数：77 被引量：43H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信农业科学文化科学轻工技术与工程更多>>
- 功率管测试夹具及其制备方法
- 本发明属于半导体射频电路技术领域，涉及一种功率管测试夹具及其制备方法，包括：基座、电路板和至少两个接头，基座的顶层的中间部位设有凹槽；电路板的每一侧均包括阻抗变换线、L型微带线、隔直元件、偏置元件、退耦元件和带有通孔的微...
- 李俊敏吴磊王天李通蔡道民董毅敏
- 文献传递
- 振荡器和天线的联合设计方法和测试方法
- 本申请适用于微波技术领域，提供了振荡器和天线的联合设计方法和测试方法，该设计方法包括：建立目标振荡器的振荡器模型，并计算目标振荡器的最优负载阻抗；建立目标天线的天线模型，并计算目标天线的最优负载阻抗；将目标振荡器的最优负...
- 李晓亮许春良蔡道民刘志军陈晓宇王江涛李通顾占彪
- 长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制被引量：1
- 2009年
- 介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。
- 齐利芳李献杰赵永林尹顺政蔡道民李宁甄红楼熊大元陆卫
- 关键词：红外探测器长波
- 微波加热天线及烟具
- 本发明提供一种微波加热天线及烟具。该微波加热天线包括：筒状的基材和设置在基材内的筒状的天线本体；天线本体包括馈点端、功率分配单元和多个微波辐射单元；馈点端通过功率分配单元，连接各个微波辐射单元；其中，各个微波辐射单元注入...
- 魏洪涛张飞李通李晓亮宋俊魁蔡道民许春良
- AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性
- 介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测...
- 赵永林李献杰蔡道民周洲郭亚娜韩丽丽
- 关键词：ALGAASGAAS量子阱红外探测器暗电流噪声
- 文献传递
- 基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
- 本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下...
- 齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政过帆
- 微波天线可拆卸的电子烟
- 本发明提供了一种微波天线可拆卸的电子烟，属于电子烟技术领域，包括：针式微波天线、连接器、旋紧螺母以及退烟筒，针式微波天线包括天线座及固设于天线座上的微波天线。连接器包括连接座以及固设于连接座上的置烟筒，置烟筒内设有分隔墙...
- 吴磊许春良蔡道民刘志军李晓亮王民娟李通邬佳晟陈晓宇谭仁超顾占彪
- AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性
- 介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基于湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测...
- 赵永林李献杰蔡道民周洲郭亚娜韩丽丽
- 关键词：ALGAAS/GAAS量子阱红外探测器暗电流
- 文献传递
- 波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法
- 本发明属光电技术领域，具体涉及一种波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法，该方法通过在HBT外延材料结构上，利用Zn扩散工艺将HBT发射极区N型材料转变为P型材料，使其成为波导光探测器的上包层，同时实现PN结功能...
- 蔡道民李献杰赵永林齐丽芳曾庆明尹顺正
- 文献传递
- 中波-长波双色量子阱红外探测器被引量：6
- 2008年
- 采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。
- 赵永林李献杰刘英斌齐利芳过帆蔡道民尹顺政刘跳
- 关键词：量子阱红外探测器暗电流密度响应光谱探测率
