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肖承京
作品数:
20
被引量:18
H指数:2
供职机构:
华中科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
教育部“新世纪优秀人才支持计划”
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相关领域:
一般工业技术
理学
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
杨君友
华中科技大学材料科学与工程学院...
朱文
华中科技大学材料科学与工程学院...
段兴凯
华中科技大学材料科学与工程学院...
李良彪
华中科技大学材料科学与工程学院...
张亲亲
华中科技大学材料科学与工程学院...
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机构
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华中科技大学
作者
20篇
肖承京
19篇
朱文
19篇
杨君友
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段兴凯
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张亲亲
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6篇
2007
2篇
2006
共
20
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电化学原子层外延制备Bi—Se系薄膜
被引量:1
2007年
采用电化学原子层外延(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)方法尝试在Pt电极上沉积Bi2Se3纳米热电薄膜。利用循环伏安扫描研究了Bi^3+、Se^4+在Pt电极上的欠电势沉积参数,在此基础上利用自动电沉积系统交替沉积400个Bi、Se原子层。采用电量分析、XRD、EDX对沉积物进行表征。电量分析表明沉积物中存在硒的富余,XRD结果表明沉积物中除了Bi2Se3化合物外还有单质Se的富余。EDX分析沉积物的硒铋原子比为4:1,与XRD分析结果一致。
肖承京
杨君友
朱文
段兴凯
张亲亲
李凯
李良彪
关键词:
UPD
一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置
本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置,热电堆与冷、热端导热铜块固定一体,其下部形成空腔,空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端;电位探针,检测点...
杨君友
肖承京
朱文
鲍思前
樊希安
段兴凯
张亲亲
李良彪
李凯
张同俊
文献传递
一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置
本发明公开了一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置,其结构为:坩埚位于真空腔体的底部,衬底装置由电动机,衬底支架和衬底组成,衬底支架位于真空腔体的内腔顶部,电动机与衬底支架连接,衬底安装在衬底支架的下面;粉末收集器的收集口与真...
杨君友
段兴凯
朱文
肖承京
李凯
李良彪
文献传递
一种薄膜热导率的测试装置及方法
本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热,通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱,使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度,形状...
张建生
杨君友
张晖
肖承京
冯双龙
朱虎
朱云峰
朱文
彭江英
文献传递
电化学原子层外延制备Bi-Se系薄膜
采用电化学原子层外延(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)方法尝试在 Pt 电极上沉积 BiSe纳米热电薄膜.利用循环伏安扫描研究了 Bi、 Se在 Pt 电极上的欠电势...
肖承京
杨君友
朱文
段兴凯
张亲亲
李凯
李良彪
关键词:
UPD
文献传递
一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法
本发明提供了一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法,其步骤为:将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te=2x∶2-2x∶3配比,0.1≤x≤0.3,混合后进行高能球磨处理,得到合金粉末,球料重量比10∶1~20∶1,球磨转速...
杨君友
樊希安
朱文
鲍思前
段兴凯
肖承京
张亲亲
谢振
文献传递
多尺度Bi/_2Te/_3系热电材料的制备及性能优化研究
作为室温附近热电性能最好的热电材料之一,Bi2Te3系材料在国防、医疗、微电子、航空航天等诸多领域有广泛应用前景。但传统的Bi2Te3系块体材料的热电性能一直在一个比较低的水平徘徊。随着纳米技术的飞速发展,热电材料正面临...
肖承京
关键词:
热电性能
文献传递
一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法
本发明提供了一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法,其步骤为:将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te=2x∶2-2x∶3配比,0.1≤x≤0.3,混合后进行高能球磨处理,得到合金粉末,球料重量比10∶1~20∶1,球磨转速...
杨君友
樊希安
朱文
鲍思前
段兴凯
肖承京
张亲亲
谢振
文献传递
碲欠电位沉积于金衬底上碲离子浓度和扫描速率对欠电位的影响
2008年
研究了碲欠电位沉积于金衬底表面体系中碲离子浓度和扫描速率等关键实验参数对碲欠电位沉积机制及其伏安特性的影响。结果表明,碲沉积在金表面的伏安特性依赖于使用的碲离子浓度,金属离子浓度的变化可能会影响到欠电位沉积过程的动力学机制。循环伏安实验结果表明,碲欠电位峰的电流与扫描速率的2/3次方呈线性关系。证实碲欠电位沉积于金衬底上遵循的是二维形核和生长机制。
朱文
杨君友
周东祥
肖承京
段兴凯
关键词:
欠电位沉积
碲
热电材料
N型Bi_2Te_(2.5)Se_(0.5)热电薄膜的电阻率与膜厚和温度的关系(英文)
被引量:3
2007年
在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K。采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度的相互关系。
段兴凯
杨君友
朱文
肖承京
关键词:
电阻率
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