章晓中
- 作品数：112 被引量：133H指数：5
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“十五”国家科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>
- 具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了薄膜太阳能电池材料及光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。在n-Si(100)基片上依次设有氧化铝层和钴碳颗粒膜，形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光脉冲沉积方法，...
- 章晓中张歆王集敏谭新玉
- 文献传递
- 一种非线性增强磁阻的磁传感器件及其制备方法
- 本发明公开了一种非线性增强磁阻的磁传感器件及其制备方法。该器件由半导体非线性单元和磁性单元复合制得。半导体的非线性形成一个快速的高低阻态转变的电阻变化，磁性单元中的反常霍尔效应使得这个高低阻态变化偏移，因此在特定的电流区...
- 章晓中罗昭初熊成悦郭振刚陈娇娇
- Mo对高强度钢延迟断裂行为的影响被引量：23
- 2004年
- 在含V和Nb的40Cr钢中添加不同质量分数(0-1.54％)的Mo元素,采用缺日拉伸试样和改进的M-WOL型试祥研究了Mo对高强度钢延迟断裂行为的影响.结果表明,随着Mo含量的增加,实验钢的延迟断裂抗力逐渐提高;当Mo含量超过1.15％时,延迟断裂抗力不再提高.EDS分析结果表明,钢中Mo元素在晶界发生偏聚,偏聚范围在几个纳米尺度内.通过电子能量损失谱(EELS)证明, Mo元素在原奥氏体晶界的偏聚能够提高钢的晶界结合强度.在钢中添加Mo能够显著提高钢的回火抗力和晶界结合强度,这是其具有高的延迟断裂抗力的主要原因.碳化物Mo2C对氢的捕集作用亦能够提高钢的延迟断裂抗力.Mo和V元素的二次硬化碳化物在半共格和非共格状态时,实验钢的延迟断裂抗力显著提高.
- 惠卫军董瀚翁宇庆时捷章晓中
- 关键词：高强度钢
- Fex-C1-x/Si膜的巨磁阻和电输运性能
- ＜正＞我们发明了一类新型磁阻材料:沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si,它们在低温下有较小的负磁阻,而随着温度的升高,在温度约为260K时磁阻由负变正,并随温度的升高其磁阻数值快速增加。在室温...
- 薛庆忠章晓中袁俊
- 文献传递
- 钢铁材料晶界结合和冲击断裂特征的电子能量损失谱研究被引量：1
- 2007年
- 本文采用电子能量损失谱(EELS)研究了不同商用钢铁材料的晶界,计算了晶界处和晶粒内铁原子的3d电子占据态密度,并将其和晶界性质以及材料的宏观断裂性能相联系。结果表明,当样品晶界处铁的3d电子占据态密度高于晶粒内时,晶界结合强度低于晶内,晶界表现出脆性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的沿晶断裂;反之,如果样品晶界处铁的3d电子占据态密度低于晶粒内时,晶界结合强度高于晶内,晶界表现出韧性,材料的冲击断裂方式主要为脆性的穿晶断裂。还发现元素在晶界的偏析对晶界结合强度影响很大。
- 章晓中杨卫国袁俊张丽娜齐俊杰马钺
- 关键词：电子能量损失谱钢铁材料电子结构晶界
- 磁场基的磁电子逻辑器件
- 传统的硅基CMOS逻辑器件的因为尺寸越来越接近其物理极限，持续发展遇到了巨大的困难，磁电子器件因为具有多功能、非易失、高速、低能耗等特点，基于磁电子逻辑器件的芯片有望突破传统的CMOS芯片的发展限制。目前提出的磁电子逻辑...
- 章晓中罗昭初
- 关键词：硅反常霍尔效应
- 一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了属于光学传感器和光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。本发明真空为10<Sup>-4</Sup>Pa量级条件下，在沉积温度：300℃～500℃下，在n-Si(100)基片上了...
- 章晓中吴利华万蔡华
- 文献传递
- La1-xCaxMnO3(x≤1/3)中Ca掺杂的团簇化及其稳定性被引量：1
- 2008年
- 运用原子模拟技术考察了La1-xCaxMnO3(x≤1/3)中Ca的分布,发现低温下掺杂的Ca离子倾向于团簇化分布,形成纳米尺度的团簇.对加压和温度下团簇的稳定性也进行了研究,发现这种团簇在3 GPa和120 K下是稳定的.这种化学相分离可能是造成La1-xCaxMnO3中结构和电磁性质不均匀的原因之一.
- 张成国章晓中
- 关键词：锰氧化物团簇
- 碳基和硅基自旋电子学材料
- ＜正＞自旋电子学材料有许多种。一种是基于金属的自旋电子学材料,它们具有优异的巨磁电阻效应（GMR）和隧道磁电阻效应（TMR）,从它们的发明到在工业界得到广泛应用,只用了短短的十几年,GMR的发明者了也因此获得了2007年...
- 章晓中
- 文献传递
- 物理气相沉积制备大面积氧化锌纳米线膜层的方法
- 本发明属于低维纳米材料制备的一种物理气相沉积制备大面积氧化锌纳米线膜层的方法，该方法是将氧化锌粉末放置在管式炉中，在气体保护氛围中加热至氧化锌的反应温度，不需加任何催化剂，保温半小时以上，自然冷却，最后在衬底硅片上生成纳...
- 刘军章晓中张迎九朱静
- 文献传递
