程萍
- 作品数：32 被引量：23H指数：3
- 供职机构：宁波大红鹰学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学语言文字更多>>
- 一种无人机通信方法
- 本发明提供了一种无人机通信方法，应用于多个无人机之间的通信，其中，多个无人机之间按照预定方式排列；将需要发送数据包的无人机作为主无人机，将需要接收数据包的无人机作为目的无人机；无人机通信方法包括：步骤S1、主无人机广播数...
- 田思李永平程萍徐默莅章晓敏
- 文献传递
- β-SiC(001)晶面小分子吸附的第一性原理研究
- 采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N2、O2、CO小分子的超晶胞进行计算.结果发现:0K且忽略原子弛豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N2外,其他小分子均可以吸附在β-...
- 程萍李永平屈卫清
- 关键词：电子器件分子模型
- 低界面态密度的SiC MOS电容制作方法
- 本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N<Sup>+</Sup>离子到外延...
- 郭辉王德龙张玉明张义门程萍张睿张甲阳
- 文献传递
- β-SiC(001)晶面小分子吸附的第一性原理研究
- 2017年
- 采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N_2、O_2、CO小分子的超晶胞进行计算。结果发现:当模拟条件为0 K且忽略原子驰豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N_2外,其他小分子均可吸附在β-SiC(001)的Si表面,且随吸附位置的改变,小分子键长均会发生改变,其中O_2形变最大;从吸附能量角度来看,O_2在β-SiC(001)Si表面的吸附能力最强,其次是H_2,最后是CO。
- 程萍李永平屈卫清
- 关键词：Β-SIC分子模型
- 4H-SiC中Vc缺陷的第一性原理研究
- 使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法，计算了纤锌矿理想4H-SiC及含有(1/c)本征缺陷的电子结构，分析了其能带结构和电子态分布。计算结果表明：K会引入新的杂质能级，与其成键的Si原子是形成该杂质能级的主要因素且该四个...
- 程萍张玉明张义门李永平
- 关键词：碳化硅半导体第一性原理
- 文献传递
- 4H-SiC晶体中V_(Si)本征缺陷研究被引量：1
- 2012年
- 采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与VSi有关的电中性微观本征缺陷(VSi、VC-VSi、VC-C、VSi-Si)的超晶胞进行计算。结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和VSi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷VSi向稳定型本征缺陷VC-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好。
- 程萍张玉明张义门
- 关键词：本征缺陷第一性原理形成能4H-SIC
- 基于耦合振荡器模型的WSN时间同步算法——以ZigBee网络为例
- 2013年
- 提出了一种基于耦合振荡器模型的ZigBee网络时间同步算法,解决了ZigBee网络数据采集过程中的延迟,使得整个ZigBee网络趋于同步,提高了系统的时间精度。该研究引入不应期的方法解决延迟节点重复激发的问题,分析模型的可行性,以及模型中各个参数对同步精度的影响。通过基于耦合振荡器模型的线性动态函数,解决经典模型中计算量过大的问题。通过测试平台上的实验,验证了算法的可行性。
- 周春良屈卫清程萍张琪陆正球黄元君
- 关键词：ZIGBEE网络时间同步
- 基于FPGA的CMOS工业相机设计被引量：3
- 2017年
- 针对传统的工业相机成本高昂、灵活性差的缺点,设计了基于FPGA的CMOS工业相机。在分析工业相机原理的基础上设计了CMOS工业相机的硬件电路,利用FPGA配置图像传感器并采集图像数据,然后在FPGA中缓存处理,最后通过Camera Link接口输出图像数据。仿真结果显示,该相机可以以20 f/s的帧频输出960P的图像数据,同时该相机可稳定连续工作,相机可将图像处理算法移植进来,有着较好的灵活性。
- 周光宇程萍
- 关键词：工业相机可编程逻辑门阵列CAMERA
- n型SiC半导体器件欧姆接触的制作方法
- 本发明公开了一种n型SiC半导体器件的欧姆接触制作方法，主要解决n型SiC材料欧姆接触退火温度高和界面上存在匹配不好的问题。其过程是：对n型SiC衬底进行预处理，并在SiC衬底上通过两次P<Sup>+</Sup>离子注入...
- 郭辉张玉明程萍张义门陈达
- 文献传递
- 一种制作SiC MOS电容的方法
- 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO<Sub>2</Sub>；对氧化后的样片，依次完...
- 郭辉张玉明王德龙张义门程萍张甲阳张睿
- 文献传递
