您的位置: 专家智库 > >

盖同祥

作品数:16 被引量:28H指数:4
供职机构:延边大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划吉林省科委资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程电气工程更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇氮化硼薄膜
  • 3篇场发射
  • 3篇场发射特性
  • 2篇电动
  • 2篇电动机
  • 2篇旋转粘度计
  • 2篇粘度
  • 2篇粘度计
  • 2篇粘滞系数
  • 2篇直流
  • 2篇直流电
  • 2篇直流电动机
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇隧道效应
  • 2篇退火
  • 2篇能耗制动

机构

  • 16篇延边大学
  • 6篇吉林大学
  • 1篇延边大学医学...
  • 1篇青岛建筑工程...

作者

  • 16篇盖同祥
  • 6篇顾广瑞
  • 4篇李哲奎
  • 4篇金哲
  • 3篇赵永年
  • 3篇李俊杰
  • 3篇金曾孙
  • 3篇李全军
  • 3篇林景波
  • 2篇阚玉和
  • 2篇常树岚
  • 2篇金光星
  • 1篇胡超权
  • 1篇吕宪义
  • 1篇金逢锡
  • 1篇吴汉华
  • 1篇彭鸿雁
  • 1篇姜雪洁
  • 1篇韩长友
  • 1篇黄永春

传媒

  • 7篇延边大学学报...
  • 3篇吉林大学学报...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国高教研究
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇青岛建筑工程...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1994
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氮气分压对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量:1
2004年
利用射频磁控溅射方法 ,真空室中充入高纯N2 (99.99% )和高纯Ar(99.99% )的混合气体 ,在n型 (10 0 )Si基底上沉积了氮化硼 (BN)薄膜。红外光谱分析表明 ,BN薄膜结构为六角BN(h -BN)相 (1380cm-1和 780cm-1)。在超高真空 (<10 -7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性 ,发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响。随着氮气分压的增加 ,阈值电场逐渐升高 ,这是由于表面粗糙度的变化造成的。充入 10 %N2 情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好 ,开启电场为 9V/μm ,当电场升高到 2 4V/μm ,场发射电流为 32 0 μA/cm2 。所有样品的场发射FN曲线均近似为直线 。
顾广瑞吴宝嘉李全军金哲盖同祥赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射射频磁控溅射法红外光谱分析开启电场隧道效应
磁控溅射非晶CN_x薄膜的热稳定性研究被引量:4
2004年
为了研究非晶CNx薄膜的热稳定性,采用射频磁控溅射方法沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900℃,利用FTIR,Raman和XPS谱探讨了高温退火对CNx薄膜化学成分及键合结构的影响.研究表明:CNx薄膜样品中N原子分别与sp、sp2和sp3杂化状态的C原子相结合,退火处理极大地影响了CN键合结构的稳定性;当退火温度低于600℃时,膜内N含量的损失较少,CNx薄膜的热稳定性较好,退火温度超过600℃时,将导致CNx膜中大多数C、N间的键合分离,造成N大量损失,膜的热稳定性下降;退火可促使膜内sp3型键向sp2型键转变,在膜中形成大量的sp2型C键,导致CNx膜的石墨化.
李俊杰金曾孙吴汉华林景波金哲李哲奎顾广瑞盖同祥
关键词:磁控溅射热稳定性真空退火
氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
2004年
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体处理前后对h-BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低.不同样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均为直线,表明电子发射是通过隧穿BN表面势垒发射到真空.
顾广瑞金逢锡李全军盖同祥李英爱赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射氢等离子体
基底温度对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量:3
2004年
利用射频磁控溅射方法,真空室中充入高纯N2(99.99%)和高纯Ar(99.99%)的混合气体,在n型(100)Si基底上沉积了六角氮化硼(h-BN)薄膜.在超高真空(<10-7Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性,发现沉积时基底温度对BN薄膜的场发射特性有很大影响.基底温度为500℃时沉积的BN薄膜样品场发射特性要好于其他薄膜,阈值电场为12V/μm,电场升到34V/μm,场发射电流为280μA/cm2.所有样品的Fowler-Nordheim(F-N)曲线均近似为直线,表明电子是通过隧道效应穿透BN薄膜发射到真空的.
孙文斗顾广瑞孙龙李全军李哲奎盖同祥赵永年
关键词:场发射基底温度氮化硼薄膜射频磁控溅射隧道效应
高功率准分子激光沉积类金刚石膜的热稳定性被引量:1
2003年
在不同温度下 ( 2 0 0~ 80 0℃ )将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验 .利用 Raman和 XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化 .结果表明 ,类金刚石膜是由少量的 sp2 C键和大量的 sp3C键组成的非晶态碳膜 .在退火温度小于60 0℃范围内 ,类金刚石膜的热稳定性较好 ;退火温度高于 60 0℃时 ,类金刚石膜中的 sp3C键逐渐向 sp2 C键转变 ,当退火温度升到 80 0℃时 ,类金刚石膜中 sp3C键含量由退火前的大约 70 %下降到 40 % .可见 ,高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势 .
金哲李俊杰盖同祥林景波李哲奎张寿彭鸿雁金曾孙
关键词:类金刚石膜热稳定性退火温度
以MB_6O_(10)为基质发光材料的研究被引量:1
2000年
总结了近年来有关采取高温固相方法合成的以MB6O1 0 为基质 (M =Mg、Ca、Sr、Ba、Cd、Zn)、由Pb2 +、Sn2 +、Mn2 +、Bi3+、Ce3+、Tb3+、Eu2 +、Sm2 +、Dy3+等离子掺杂的发光材料 ,并讨论了在空气条件下合成MB6O1 0
阚玉和韩长友常树岚盖同祥
关键词:硼酸盐基质发光材料发光性质掺杂
旋转粘度计检测机理分析与改进建议被引量:7
2002年
用旋转粘度计测定液体粘滞系数是目前最为普遍采用的方法 .笔者对目前广泛使用的旋转粘度计的检测机理做了进一步的分析 ,并分析了液体层流速度对测量结果精度的影响 。
姜雪洁盖同祥
关键词:旋转粘度计粘滞系数流体
N离子注入非晶碳膜的CN成键研究
2005年
利用Raman和XPS研究N离子注入前后非晶碳膜化学键合的变化及CN成键情况. 结果表明, 被注入到非晶碳膜内的N与C原子结合, 形成sp3 CN, sp2 CN和C≡N键. 随着N离子注入剂量的增加, 膜内sp3 CN键的含量相对增多, 表明N离子注入更有利于sp3CN键的形成.
林景波李俊杰李哲奎顾广瑞盖同祥金哲胡超权吕宪义金曾孙
关键词:非晶碳膜磁控溅射
旋转粘度计检测机理的进一步分析被引量:5
1999年
用旋转粘度计测定液体粘滞系数是目前最为普遍采用的方法,本文对目前广泛使用的旋转粘度计的检测机理做了进一步的分析,并分析了液体层流速度对测量结果精度的影响。
盖同祥吴今哲车洪波李松雄黄元三
关键词:旋转粘度计粘滞系数粘度计
Anderson S-D混合效应与准电子──在稀磁合金中
1994年
本义根据AndersonS—Dmixingmodel和FalicovS—DCoulombinteractionmodel。
盖同祥金光星
关键词:稀磁合金
共2页<12>
聚类工具0