王雪涛
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法
- 本发明公开的柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，步骤包括：将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ZnO陶瓷为靶材，生长室通入O<Sub>2</Sub>气体，控制压强为0.01～2Pa，室温下在柔性衬底上脉冲...
- 朱丽萍王雪涛叶志镇
- 文献传递
- N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜,研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响.实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试,结果表明,所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向,XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相,Co、N原子分别以替代位形式CoZn、NO存在于薄膜中.霍尔测试和SQUID测试表明,Co-N共掺ZnO薄膜呈p型,具有室温磁滞效应.与Co掺杂ZnO薄膜相比,载流子浓度降低,同时,饱和磁化强度和矫顽力有很大提高,可见,N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型,并增强了磁性。
- 王雪涛朱丽萍叶志高叶志镇赵炳辉
- 关键词：PLDZNO薄膜磁性
- 柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法
- 本发明公开的柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法，步骤包括：将清洗过的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，以ZnO陶瓷为靶材，生长室通入O<Sub>2</Sub>气体，控制压强为0.01～2Pa，室温下在柔性衬底上脉冲...
- 朱丽萍王雪涛叶志镇
- 文献传递
- 过渡族元素掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的生长及其性能研究
- 稀磁半导体材料由于在自旋电子器件中巨大的应用前景而备受关注。所谓稀磁半导体材料(Diluted Magnetic Semiconductors，DMS)是指在非磁性半导体(如IV-VI族、II-VI族或III-V族)中掺...
- 王雪涛
- 关键词：稀磁半导体脉冲激光沉积法电学性能氧化锌薄膜
- 文献传递
