王旭波
- 作品数:13 被引量:3H指数:1
- 供职机构:清华大学更多>>
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- 相关领域:电子电信一般工业技术更多>>
- 具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜
- 本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法,由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高,薄膜的点阵参数变小,并且平均等效原子电...
- 潘峰王旭波曾飞杨玉超
- 文献传递
- 金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法
- 本发明公开了属于声表面波器件制造技术的一种金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。是在金刚石薄膜(或单晶)表面先光刻显影SAW器件图形,在图形的部位用离子注入方法注入第IIIA族元素或第VA族之一的元素,然后,在注入离...
- 潘峰李冬梅王旭波曾飞
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- 高频声表面波器件金属薄膜的制造方法
- 本发明公开了属于声表面波器件的制造技术的一种高频声表面波器件金属薄膜的制造方法。该方法为在压电晶体及金属铝膜之间沉积一层过渡层金属。其过渡层金属采用易和刻蚀气体Cl<Sub>2</Sub>反应生成氯化物的金属:Zr,Ni...
- 潘峰李冬梅增飞王旭波
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- 具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜
- 本发明公开了属于声表面波器件的制造技术的一种具有抗电迁移的高频声表面波器件金属合金薄膜。其金属合金薄膜是采用物理气相沉积方式沉积在压电基体上的Mo为0.1-2wt%,Co为0.1-2wt%,其余为Al的Al-Co-Mo合...
- 潘峰李冬梅曾飞王旭波
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- 高频声表面波器件金属薄膜的制造方法
- 本发明公开了属于声表面波器件的制造技术的一种高频声表面波器件金属薄膜的制造方法。该方法为在压电晶体及金属铝膜之间沉积一层过渡层金属。其过渡层金属采用易挥发氯化物的金属Zr、Nb和Ni。这些金属熔点高,扩散系数低,能抑制A...
- 潘峰李冬梅增飞王旭波
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- 掺杂对ZnO薄膜压电及光学特性的影响
- 王旭波
- 关键词:氧化锌薄膜掺杂压电PIEZOELECTRICITYRESISTIVITY
- 利用钛过渡层及掺钼改善声表面波器件用铝薄膜的微结构与性能被引量:1
- 2005年
- 纯铝薄膜以其低声阻抗特性被广泛应用于声表面波(SAW)器件的制作。随着通讯频率的不断提高,对SAW器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力提出了越来越高的要求。采用少量易于反应离子刻蚀的Mo元素掺杂来改善Al合金的抗电迁移和功率承受力,并以数纳米的Ti过渡层增强Al-Mo合金薄膜的取向性。结果表明:Ti/Al-Mo薄膜表现出强(111)织构,与纯Al薄膜相比,晶粒明显细化且致密均匀,临界载荷大大增加,与基体的附着力显著增强,并具有良好的刻蚀性能。
- 李冬梅王旭波潘峰
- 关键词:附着力声表面波
- 具有大压电常数和高电阻率的ZnO薄膜
- 本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法,由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高,薄膜的点阵参数变小,并且平均等效原子电...
- 潘峰王旭波曾飞杨玉超
- 文献传递
- Zr过渡层对Al膜微结构与性能的影响被引量:2
- 2005年
- 为了增加高频声表面波器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力,同时不增加薄膜在化学反应刻蚀中的难度,并精确地控制图形的尺寸,采用电子束蒸镀法研究了Zr过渡层和薄膜固化工艺对Al膜微结构、形貌、电性能及机械性能的影响。结果表明,适当厚度(5~30nm)的Zr过渡层增强了Al膜的(111)织构,增加了薄膜与LiNbO3基体的结合力,200°C固化后电阻率明显降低。拥有Zr过渡层的Al膜具有良好的工艺性能,通过反应离子刻蚀易获得精确的换能器图形。
- 李冬梅王旭波潘峰牛洁斌刘明
- 关键词:附着力电阻
- 利用钛过渡层及掺钼改善声表面波器件用铝薄膜的微结构与性能
- 纯铝薄膜以其低声阻抗特性被广泛应用于声表面波(SAW)器件的制作.随着通讯频率的不断提高,对SAW器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力提出了越来越高的要求.采用少量易于反应离子刻蚀的Mo元素掺杂来改善Al合金的抗...
- 李冬梅王旭波潘峰
- 关键词:附着力声表面波器件
- 文献传递