沈波
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Pd/a-Si:H界面反应研究
- 1990年
- 本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si界面反应温度低;经500℃退火,未与Pd反应的非晶硅出现晶化现象。本文还观察了界面反应过程中氢的行为,发现由于界面反应,导致a-Si:H中的氢在较低温度下就开始释放。
- 沈波赵特秀刘洪图吴志强金澍许振嘉
- 关键词：硅化物喇曼散射TEM法
- Au、Al/a-Si:H热退火行为研究被引量：1
- 1989年
- 本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复盖的a-Si∶H要低得多;a-Si∶H上的Al-Si互溶温度也比C-Si上的低,并且该互溶作用在350℃退火后加剧;Al诱导的a-Si∶H晶化后,在表面上有一连续的低阻Si(Al)析出层,它可Al/a-Si∶H的肖特基结转为欧姆结.
- 金澍刘洪图赵特秀吴志强沈波许振嘉
- 关键词：非晶硅金属诱导晶化热退火
- Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究
- 1989年
- 本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。
- 赵特秀沈波刘洪图季明荣吴建新许振嘉
- 关键词：半导体非晶硅硅化物
