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池雅庆: 作品数：227 被引量：74H指数：4; 供职机构：国防科学技术大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖南省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>

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EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法: 本发明公开一种EDAC加固微处理器单粒子翻转截面的测试方法，步骤包括：S1.配置被测EDAC加固微处理器的测试程序，并测试测试程序完成一次运行所用的时间、运行使用到的被测EDAC加固微处理器SRAM部件的面积；S2.根据...; 池雅庆梁斌陈建军袁珩洲罗登郭阳胡春媚刘必慰宋睿强吴振宇

一种SoC平台上的多层高速AHB总线互连结构: 本文描述了一种SoC平台上的多层AHB总线互连结构.在介绍AMBA<'TM> AHB基础上,阐述了多层AHB总线互连结构,提出了一种适用于多处理核心的多层AHB总线互连结构.该结构能够有效地提高系统传输带宽,并具有很高的...; 王耀池雅庆方粮; 关键词：互连结构 SOC平台 AMBA 传输带宽; 文献传递

纳米CMOS工艺下抗辐照SRAM中一种ATD电路的设计实现方法: 本发明公开了纳米CMOS工艺下抗辐照SRAM中一种ATD电路的设计实现方法，ATD电路由地址转换监测电路和延迟可调反馈电路两级组成。第一级地址转换监测电路包含19个输入端和1个输出端，输入端为19个地址信号A[18‑0]...; 陈建军郭阳梁斌池雅庆罗登王珣沈凡郭昊

基于漏区边界曲率分析的射频RESURF LDMOS耐压与导通电阻优化被引量：1: 2006年; 分析了漏区边界曲率半径与射频RESURFLDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.; 池雅庆郝跃冯辉方粮; 关键词：LDMOS RESURF 击穿电压导通电阻

基于梯度掺杂策略的碳纳米管场效应管性能优化被引量：5: 2010年; 双极性传输特性是制约碳纳米管场效应管(carbon nanotube field effect transistors,CNFETs)性能提高的一个重要因素.为降低器件的双极性传输特性并获得较大的开关电流比,提出了一种漏端梯度掺杂策略,该策略不仅适合于类MOS碳纳米管场效应管(C-CNFETs),同时也适合于隧穿碳纳米管场效应管(T-CNFETs).基于非平衡格林函数的数值研究结果表明,该策略不仅能有效降低器件的双极传输特性,而且能将器件开关电流比提高数个数量级.进一步研究发现,该掺杂策略在这两类碳纳米管场效应管器件结构中的应用存在诸多差异:C-CNFETs中可能发生的能级钳制将削弱器件导通状态性能,而T-CNFETs中无此现象;C-CNFETs中源、漏两端均采用梯度掺杂能进一步提高器件性能,而该策略并不适于T-CNFETs;梯度掺杂后的T-CNFETs器件性能受轻度掺杂区域宽度的影响较C-CNFETs更为显著.同时,该梯度掺杂策略会造成一定的面积开销,因此在实际应用中应合理选取器件结构、掺杂浓度、掺杂区域宽度等参数,以获得速度、功耗与面积之间的最佳折中.; 周海亮池雅庆张民选方粮; 关键词：梯度掺杂

抗单粒子翻转的扫描结构D触发器: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、主锁存器、从锁存器、第一反相器电路和第二反相器电路组成；主锁存器由十六个PMOS...; 池雅庆孙永节李鹏梁斌杜延康刘必慰陈建军何益百秦军瑞

用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法: 本发明公开了一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，目的是抑制单粒子瞬态。技术方案是先断开版图中的多晶和金属连接；将PMOS晶体管绕质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕质心逆时针旋转90度；将PMO...; 陈书明吴振宇梁斌胡春媚池雅庆陈建军黄鹏程宋睿强张健刘蓉容; 文献传递

基于动态输入向量的片上SET脉冲测试方法: 本发明公开了基于动态输入向量的片上SET脉冲测试方法，目的是提供一种与电路实际工作环境更为接近的片上SET脉冲测试方法。技术方案是：1.设计基于动态输入向量的片上SET脉冲测试电路；2.对基于动态输入向量的片上SET脉冲...; 梁斌池雅庆刘尧向文超陈建军胡春媚; 文献传递

一种核辐射环境下用于检测数字电路保持时间违例的装置: 本发明公开一种核辐射环境下用于检测数字电路保持时间违例的装置，该装置包括两个以上依次连接的检测电路模块，检测电路模块包括触发器单元、缓冲器单元以及多路选择器单元，缓冲器单元包括多个不同级数的缓冲器支路，多路选择器单元分别...; 吴振宇刘必慰梁斌郭阳宋睿强胡春媚陈建军池雅庆袁珩洲; 文献传递

抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器: 本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的D触发器，目的是解决D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、主锁存器、从锁存器、反相器电路，缓冲器电路组成，主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器，主锁存...; 陈书明陈通许文涛梁斌池雅庆孙永节郭阳陈建军胡春媚刘祥远; 文献传递