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武喜龙

作品数:10 被引量:8H指数:1
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域:电子电信兵器科学与技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 4篇耦合器
  • 4篇光电耦合
  • 4篇光电耦合器
  • 3篇抗辐射
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 2篇导弹
  • 2篇导弹控制
  • 2篇导弹控制系统
  • 2篇点火
  • 2篇点火模块
  • 2篇点火信号
  • 2篇点火装置
  • 2篇电流传输比
  • 2篇电子技术
  • 2篇顶升
  • 2篇通信
  • 2篇通信领域
  • 2篇位点
  • 2篇控制系统

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 10篇武喜龙
  • 3篇李栋贤
  • 3篇袁彪
  • 3篇郭彬
  • 3篇王朋
  • 2篇汤晓东
  • 2篇谢潇
  • 2篇霍现荣
  • 1篇周彪
  • 1篇张会肖
  • 1篇张越成
  • 1篇任浩
  • 1篇张荣桂
  • 1篇赵润
  • 1篇杨红伟

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第八届全国抗...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 3篇2010
  • 1篇2005
  • 1篇2001
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低输入电流光电耦合器
本实用新型提供了一种低输入电流光电耦合器,该光电耦合器结构中包括封装在同一壳体中的发光元件、光探测元件和输出晶体管,光探测元件的正极和输出晶体管的基极相连;其中:在发光元件一侧连接输入晶体管,输入晶体管的基极和输入信号端...
武喜龙
文献传递
一种点火装置
本发明适用于导弹控制系统技术领域,提供了一种点火装置,所述点火装置包括:点火模块和保护模块,所述点火模块包括第一电位点和第二电位点,在所述点火模块接收到引信信号时,所述第一电位点的电压小于所述第二电位点的电压,所述点火模...
武喜龙谢潇文松汤晓东霍现荣丁珂李焰峰袁彪
用于电子技术通信的半导体覆膜装置
本发明提供一种用于电子技术通信的半导体覆膜装置,属于电子技术通信领域,包括工作台、料架、阻料框、顶胶机构及翻料机构;料架至少设有一组呈线性排列的料槽,各料槽的底部分别设有进胶口;料架通过弹性件支撑于工作台上;阻料框与各组...
张晓颖文松王朋王韦淞袁晓磊郭彬武喜龙李栋贤张广显颜廷臣于凯周子尧付亚伟宋来宝刘通
用于提高功率放大器散热的垫片、制作方法及电子器件
本发明提供一种用于提高功率放大器散热的垫片、制作方法及电子器件。该垫片包括:热沉、空芯电感和引脚焊盘;热沉通过空芯电感与引脚焊盘连接;热沉用于与功率放大器芯片的主体烧结连接,引脚焊盘用于与功率放大器芯片的引脚烧结连接;热...
颜廷臣王立亚文松陈茂林周彪袁彪张越成王朋姜兆国袁晓磊李栋贤张晓颖武喜龙郭彬
用于电子技术通信的半导体覆膜装置
本发明提供一种用于电子技术通信的半导体覆膜装置,属于电子技术通信领域,包括工作台、料架、阻料框、顶胶机构及翻料机构;料架至少设有一组呈线性排列的料槽,各料槽的底部分别设有进胶口;料架通过弹性件支撑于工作台上;阻料框与各组...
张晓颖文松王朋王韦淞袁晓磊郭彬武喜龙李栋贤张广显颜廷臣于凯周子尧付亚伟宋来宝刘通
透镜耦合光电耦合器
本发明提供了一种透镜耦合光电耦合器,其结构中包括封装在同一壳体内的发光元件、光探测元件、晶体管,发光元件固定在载体上,光探测元件与发光元件相对且平行地固定在壳体的底部,从发光元件端设置引出线和信号输入端相连,从光探测元件...
武喜龙任浩
文献传递
小型化抗辐射光电耦合固体继电器
本文从材料、器件设计、电路设计以及工艺等方面提出了改进光电耦合固体继电器抗辐射性能的建议,通过上述各方面的改进,制作出了性能优异的小型化表面贴装形式的光电耦合固体继电器,其抗辐射(中子及γ总剂量)性能达到国外同类产品水平...
武喜龙赵润
关键词:固体继电器发光管光电耦合器
文献传递
一种点火装置
本发明适用于导弹控制系统技术领域,提供了一种点火装置,所述点火装置包括:点火模块和保护模块,所述点火模块包括第一电位点和第二电位点,在所述点火模块接收到引信信号时,所述第一电位点的电压小于所述第二电位点的电压,所述点火模...
武喜龙谢潇文松汤晓东霍现荣丁珂李焰峰袁彪
文献传递
氮化镓研制中的退火技术被引量:7
2001年
总结了 Ga N薄膜生长和器件制备中退火技术的应用情况 ,其中涉及退火工艺过程、作用机理以及由此产生的影响。
张会肖武喜龙杨红伟张荣桂
关键词:退火半导体材料氮化镓
抗辐射光电耦合器试验研究被引量:1
2010年
针对光电耦合器中使用的发光二极管(LED)进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数——电流传输比辐照前后的变化,从而得到了优化的发光二极管设计。采用自主设计生产的发光管材料制作了发光二极管,同时利用中国电子科技集团公司第十三研究所研制的探测器、晶体管以及陶瓷管壳制作了光电耦合器。在4 mA偏置下,经过300 krad(Si)γ(辐照剂量率为50 rad(Si)/s)电离总剂量辐照后,电流传输比平均下降了31.5%,优于国外光电耦合器的已知水平。在抗辐射光电耦合器中,采用正装、小发散角结构的发光二极管可进一步提高其抗辐射性能。
武喜龙
关键词:光电耦合器发光二极管电流传输比抗辐射
共1页<1>
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