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梁秀琴
作品数:
8
被引量:5
H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨富华
中国科学院半导体研究所
马慧莉
中国科学院半导体研究所
季安
中国科学院半导体研究所
付英春
中国科学院半导体研究所
张加勇
中国科学院半导体研究所
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梁秀琴
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2015
2篇
2014
2篇
2012
2篇
1999
共
8
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通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法,该方法包括:在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层;旋涂光刻胶作为牺牲层,光刻,形成条形的光刻胶掩模;通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面,使第一...
付英春
王晓峰
张加勇
白云霞
梁秀琴
马慧莉
季安
杨富华
文献传递
硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响
被引量:2
1999年
实验研究了硅表面清洗方式对7nm 热氧化SiO2 栅介质可靠性的影响.结果表明,稀HF酸漂洗后RCA 清洗时降低SC1(NH4OH/H2O2/H2O)温度对提高栅介质可靠性有利,但仍不如用SC2(HCl/H2O2/H2O)或H2SO4/H2O2 清洗效果好.稀HF酸漂洗后用H2SO4/H2O2 清洗得到的栅介质不仅表现出优良的击穿电场分布特性和击穿电荷分布特性。
高文钰
刘忠立
和致经
张永刚
梁秀琴
梁桂荣
关键词:
二氧化硅
可靠性
热氧化
栅介质
硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化
被引量:3
1999年
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深亚微米CMOS工艺中被采纳.但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内,引起阈值电压不稳...
高文钰
刘忠立
梁秀琴
于芳
聂纪平
李国花
关键词:
PMOSFET
二氧化硅
栅介质
硼扩散
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法,该方法包括:在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层;旋涂光刻胶作为牺牲层,光刻,形成条形的光刻胶掩模;通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面,使第一...
付英春
王晓峰
张加勇
白云霞
梁秀琴
马慧莉
季安
杨富华
文献传递
利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法
一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法,包括以下步骤:1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属;2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶,采用常规光刻工艺进行光刻,制作图形;3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀...
杨健
司朝伟
韩国威
宁瑾
赵永梅
梁秀琴
文献传递
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法,包括:在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层;旋涂SU-8胶并电子束曝光;干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面;淀积第二功能材料层;经电子束曝光形成横...
付英春
王晓峰
张加勇
白云霞
梁秀琴
马慧莉
季安
杨富华
在衬底上制备多级台阶的方法
一种在衬底上制备多级台阶的方法,包括:在衬底上生长掩膜层;旋涂第一层光刻胶,刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽;在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶,刻蚀在掩膜层得到第二沟槽;依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤,在第二...
杨健
司朝伟
韩国威
宁瑾
赵永梅
梁秀琴
王晓东
杨富华
文献传递
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法,包括:在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层;旋涂SU-8胶并电子束曝光;干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面;淀积第二功能材料层;经电子束曝光形成横...
付英春
王晓峰
张加勇
白云霞
梁秀琴
马慧莉
季安
杨富华
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