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梁庆

作品数:11 被引量:12H指数:2
供职机构:西北工业大学更多>>
发文基金:西安应用材料创新基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇牺牲层
  • 3篇微机电系统
  • 3篇机电系统
  • 3篇残余应力
  • 3篇电系统
  • 2篇有限元
  • 2篇屈曲
  • 2篇驱动控制
  • 2篇自激
  • 2篇锚点
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀速率
  • 2篇版图
  • 2篇残余压应力
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇电脑控制
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射光谱
  • 1篇有限元方法

机构

  • 11篇西北工业大学

作者

  • 11篇梁庆
  • 11篇虞益挺
  • 10篇苑伟政
  • 9篇乔大勇
  • 1篇何洋
  • 1篇李太平
  • 1篇谢志雄
  • 1篇毛尧辉
  • 1篇王兰兰

传媒

  • 2篇纳米技术与精...
  • 1篇国外电子元器...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 4篇2008
  • 5篇2007
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
牺牲层刻蚀实验的在线观察与研究被引量:2
2007年
设计了多种测试结构,采用在线实时观测的手段,深入研究了氢氟酸(HF)刻蚀二氧化硅牺牲层中,多种因素对刻蚀过程产生的影响,并对实验结果进行了详细分析.实验中可以明显观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经过长时间的刻蚀,HF酸的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素.对于实验过程中观察到的"凹"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度以及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因.实验方法与结论对MEMS牺牲层释放工艺的研究具有一定的参考意义.
梁庆苑伟政虞益挺乔大勇
关键词:微机电系统牺牲层刻蚀速率
无线电脑控制笔
本实用新型公开了一种无线电脑控制笔,包括演示笔和无线数据接收装置。演示笔感测使用者手持演示笔移动时装置的运动加速度,并对加速度数据进行预处理,同时根据多个功能按键的不同状态来实现不同的功能,最后将数据通过射频发送模块发送...
毛尧辉梁庆谢志雄虞益挺苑伟政何洋
文献传递
薄膜残余应力对MEMS微型光栅性能的影响
2007年
微型光栅结构薄膜中由于残余应力的存在引起器件在光学和机械性能方面发生显著变化.有限元仿真和分析结果表明,膜内的残余拉应力越大,越利于提高和改善器件工作过程中的光学效率.然而,残余拉应力的增加将显著增大结构工作时的驱动电压,使驱动电路的设计与制作更加复杂;同时,还将导致结构的最大工作位移明显减小,极大限制了光栅的应用领域.另外,残余拉应力的增加也会使结构的共振频率变大,从而影响器件的工作带宽.因此,为了使光栅的使用和工作性能满足设计指标要求,在设计当中就要充分并折中考虑残余应力对各个性能参数的影响,并且在随后的加工和制作过程中对其进行严格控制.
虞益挺苑伟政梁庆乔大勇
关键词:残余应力有限元仿真
一种在线测量微机械薄膜残余应力的新结构被引量:3
2007年
提出了一种利用临界屈曲法在线测量微机械薄膜残余应力的新结构,并采用表面微加工技术制作了两种测试样品.搭建了在线观测实验装置来实时监控释放过程中结构出现的临界屈曲变形模态,由此判断出结构内部的应力状态,同时在测得临界刻蚀深度的情况下,采用有限元方法计算出残余应力大小.借助有限元方法,先研究了多个参数对临界屈曲应力的影响,然后利用这种新结构对薄膜残余应力进行了实际测量,所得结果与微旋转结构的应力测量结果基本吻合.分析及实验表明,新结构在测量薄膜残余应力方面有许多优点,具有较高的实用价值,不仅能满足大量程的应力检测要求,而且只用一个结构就可以同时测量压应力和拉应力,从而极大提高了器件版图空间的利用率.
虞益挺苑伟政乔大勇梁庆
关键词:有限元方法
微型可编程光栅最大闪耀角的理论分析与实验被引量:4
2008年
在微机电系统技术的基础上,采用两层多晶硅表面微加工工艺,设计并加工制作了一种闪耀角可调式的微型可编程光栅。介绍了微型可编程光栅的基本工作原理及结构设计特点,针对其最主要的一个光学参量——最大闪耀角,根据设计的光栅结构尺寸进行了理论计算,并利用ANSYS有限元仿真结合Matlab软件的数据处理功能进行了数值模拟。设计并搭建了一个简单易操作的光学实验系统,对最大闪耀角进行了实际测量。结果表明,理论计算、数值模拟以及实际测量的最大闪耀角非常吻合,制作的微型可编程光栅的最大闪耀角超过5°。
虞益挺苑伟政王兰兰乔大勇梁庆
关键词:微机电系统
MEMS可编程光栅动态驱动电路的研制被引量:1
2008年
MEMS可编程光栅的工作性能很大程度依赖于驱动电路的性能。本文根据MEMS可编程光栅的工作特点及结构参数,提取出光栅的等效电容值,并采用集成高压运放研制出一种新型的MEMS可编程光栅的动态驱动电路。为了避免自激振荡的发生,电路中采用了频率补偿和并联反馈电容的方法,有效提高了电路的稳定性。实际电路经过测试,其动态性能与PSPICE10仿真的结果非常吻合。该动态驱动电路具有高的电压输出范围(0-180V),较高的频率响应(10kHz),大范围容性负载能力(1-1000pF),完全能够满足MEMS可编程光栅动态复杂控制的需要。
梁庆苑伟政虞益挺乔大勇
关键词:驱动电路自激
高压运算放大器PA69在MEMS光栅驱动控制中的应用被引量:1
2007年
根据MEMS光栅的工作特点及结构参数,提取光栅的等效电容,并采用高压运算放大器PA69研制出一种新型的MEMS光栅的动态驱动电路。为了避免自激振荡的发生,电路中采用了频率补偿和并联反馈电容的方法,有效提高了电路的稳定性。经过测试,其动态性能与PSPICE10仿真的结果非常吻合。该动态驱动电路完全能够满足MEMS光栅动态复杂控制的需要。
梁庆虞益挺
关键词:自激
一种薄膜残余应力测量方法
本发明公开了一种薄膜残余应力测量方法,将任意形状的测试平板1通过任意形状和位置的支撑锚点2悬置于基底3上,牺牲层4填充在测试平板1和基底3之间,测试平板1的厚度以及支撑锚点2的高度均与待测应力的器件一致。测试时,将包含待...
苑伟政虞益挺乔大勇梁庆
文献传递
SiO_2牺牲层刻蚀实验的研究与分析被引量:1
2008年
氢氟酸(HF)刻蚀SiO2牺牲层受多种因素影响,其中刻蚀液的温度、组分、浓度、被刻蚀结构的形式及结构内部的残余应力等是最主要的。样品设计了多种测试结构,深入研究这些因素对刻蚀速率及结果的影响,并进行了详细的讨论与分析。通过实验可观察到刻蚀过程中的反应限制阶段与扩散限制阶段,说明经长时间的刻蚀,HF的扩散效应将成为影响刻蚀速率的主导因素。对于实验过程中观察到的"凸"状的刻蚀前端和"晕纹"现象,分析认为结构中的应力梯度及材料间不同的亲水性质是产生这些现象的主要原因。
梁庆苑伟政虞益挺乔大勇
关键词:微机电系统牺牲层刻蚀速率
多光谱成像系统
本发明公开了一种新型的多光谱成像系统,属于光谱成像领域。该系统包括前处理光学子系统(1)、微型可编程光栅(2)及其驱动控制电路(3)、后处理光学子系统(4)和成像子系统(5)。前处理光学子系统(1)采集目标光线并进行汇聚...
苑伟政虞益挺乔大勇梁庆王兰兰李太平
共2页<12>
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