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柯锡明

作品数:10 被引量:25H指数:3
供职机构:东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇接收机
  • 3篇集成电路
  • 3篇光接收
  • 3篇光接收机
  • 3篇放大器
  • 2篇电工教学
  • 2篇前置放大器
  • 2篇跨阻前置放大...
  • 2篇交流电路
  • 2篇功率
  • 2篇光电
  • 2篇光电集成
  • 2篇光电集成电路
  • 2篇OEIC
  • 2篇CMOS工艺
  • 2篇HEMT
  • 1篇单电源
  • 1篇单电源供电
  • 1篇低功耗

机构

  • 10篇东南大学
  • 4篇河北半导体研...
  • 2篇吉林大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 10篇柯锡明
  • 8篇王志功
  • 5篇敖金平
  • 5篇李献杰
  • 4篇刘伟吉
  • 3篇王蓉
  • 2篇徐晓春
  • 2篇刘式墉
  • 2篇梁春广
  • 2篇赵方海
  • 2篇杨树人
  • 2篇曾庆明
  • 1篇黄永箴
  • 1篇王全树
  • 1篇陶蕤
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  • 1篇唐君
  • 1篇梁琨
  • 1篇陈新华
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传媒

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  • 1篇光电子.激光
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子工程师

年份

  • 1篇2003
  • 5篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇1994
  • 1篇1993
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
1.55μm光发射OEIC技术研究被引量:2
2002年
采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。
李献杰曾庆明徐晓春刘伟吉敖金平王全树杨树人赵方海柯锡明王志功刘式墉梁春广
关键词:光发射光电集成电路INP
从一个简单例题再看交流电路的无功功率
1994年
本人在《电工教学》第15卷第3期上《对复功率的论证》一文中,提出了建立在瞬时功率基础上的有功功率、无功功率瞬时表达式以及它们的复数表达的新定义。该文的主要内容为:
柯锡明
关键词:瞬时无功功率交流电路瞬时功率电工教学相量图
A 1.25Gb/s InP-Based Vertical Monolithic Integration of an MQW Laser Diode and an HBT Driver witha Lateral Buffer Mes a Structure被引量:2
2002年
A novel fabrication process related to a smoothly wet chemical etching profile o f InP-based epitaxial layers in the crystal direction of [01for an InP-based monol ithic vertically integrated transmitter with an MQW laser diode and a heterojunction bipolar tran sistors driver circuit is described.A clear eye output diagram via an O/E converter is demonstrat ed und er a 1.25Gb/s non-return-zero pseudorandom code with a pattern length of 2 the integrated transmitter has a power dissipation of about 120mW with an optical output of 2dBm.
李献杰曾庆明徐晓春敖金平赵方海杨树人柯锡明王志功刘式墉梁春广
InAlAsInGaAs HEMT跨阻前置放大器的设计与实现被引量:7
2002年
提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当前置放大器工作在 2 .5Gbit s时 ,跨阻可达 62 .5dBΩ .采用 + 5V电源供电 ,功耗为 2
王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉
关键词:光接收机前置放大器
2.5Gbit/sCMOS光接收机限幅放大器被引量:8
2001年
给出了一个利用 0 .35 μmCMOS工艺实现的 2 .5Gb/s限幅放大器。在标准的 5V电源电压 ,功耗为 2 2 5mW。在 4 0dB的输入动态范围内 ,可以保持 4 0 0mVp p恒定输出摆幅。整个芯片面积为 1× 1 1mm2 。
陶蕤王志功柯锡明董义谢世钟
关键词:光接收机限幅放大器CMOS工艺高速光纤通信
对复功率的论证
1993年
长期以来,电路理论中对交流电路的功率分析,定义复功率P=UI,存在某些不理想之处。本文提出了直接对应于功率瞬时表达式的复功率(复全功率、复有功功率及复无功功率),使之与电压、电流瞬时表达式及其复数形式间的关系一致。这样,在交流电路的分析中,电压、电流及电功率的分析计算在运用复数这一方法上便可完全统一起来。原先带有某些虚拟性的无功功率也落到了实处。1993年第2期本刊发表了刘立中同志《对视在功率和无功功率的新看法》一文,读后有所启发,因而写成本文。该文对一般理论电工学中提出的视在功率和无功功率,在定义上似有误解之处。文中对它们提出的新看法,也未作出比较明确的物理解释。例如,该文提出“视在功率瞬时值是全功率P_t周期波的正弦分量”,“所谓无功功率,只不过是特殊(?)的视在功率”(意指纯电阻、电感或电容支路的视在功率)。“S_L和Q_L两者绝对值相等但相位不同”等。文中也都缺乏必要的论证。本文不打算针对这些问题进行讨论,而是在该文的启发下,提出自己对复功率、有功功率及无功功率等一些新的看法,并给出新的定义与新的数学表达式,希望与对此有兴趣的同志共同探讨。
柯锡明
关键词:复功率交流电路功率分析纯电阻电工教学电流有效值
单电源供电MSM/HEMT OEIC
2002年
给出了InGaAsMSM光探测器与InP基InAlAs/InGaAsHEMT两种器件单片集成实现的OEIC光接收机的设计方法与测试结果。该光接收机采用单电源供电 ,由一级放大器、两级源级跟随器和一个反馈电阻组成。当光接收机工作在 2 .5Gbit/s时 ,跨阻可达 5 3dBΩ。采用 +5V电源供电 ,功耗仅为 1 60mW ,可有效地应用在光纤通信接收系统中。
王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉
关键词:单电源供电光电集成电路
超低功耗GaAs PHEMT跨阻前置放大器被引量:1
2002年
本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 m
王蓉王志功柯锡明敖金平李献杰刘伟吉
关键词:光接收机砷化镓跨阻前置放大器
用0.35μmCMOS工艺进行SDH系统中激光二极管驱动电路芯片设计被引量:3
2001年
首先介绍了光纤传输系统 SDH,以及构成 SDH收发机的各个功能模块 ,然后分析了其中的激光二极管驱动器芯片的设计方法。在此基础上设计出了采用标准 0 .35μmCMOS工艺的工作速率高达 2 .
陈新华黄颋柯锡明王志功
关键词:SDHCMOS集成电路驱动电路设计
16-Channel 0.35μm CMOS/VCSEL Transmission Modules被引量:4
2003年
The vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays and VCSEL-based optical transmission modules are investigated.It includes the VCSEL's spectral characteristic,modulation characteristic,high frequency characteristic,and compatibility with microelectronic circuit.The module consists of 1×16 VCSEL array and 16-channel lasers driver with 0.35μm CMOS circuit by hybrid integration.During the test process,the module operates well at more than 2GHz in -3dB frequency bandwidth.
陈弘达申荣铉毛陆虹唐君梁琨杜云黄永箴吴荣汉冯军柯锡明刘欢艳王志功
关键词:VCSELCMOS
共1页<1>
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