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李跃甫

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:浙江大学光电信息工程学系现代光学仪器国家重点实验室更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇性能表征
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇溅射沉积
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光学
  • 1篇硅基
  • 1篇磁控溅射沉积
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇李跃甫
  • 2篇叶辉
  • 1篇傅兴海

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备被引量:3
2008年
采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层,利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜,获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数,研究发现,KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配,在氧气氩气的比例为1∶2,工作气压为1·0Pa,溅射功率300W,衬底温度300℃,退火温度为800℃的工艺条件下,能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪,原子力显微镜等仪器分析了薄膜的微结构.通过研究SBN薄膜的电流-电压特性(I-V曲线),发现了类似于半导体p-n结的特性,且结效应的强弱与结晶性能的好坏和是否有缓冲层KSBN相关.
李跃甫叶辉傅兴海
关键词:磁控溅射
铌酸锶钡高择优取向薄膜的生长与光学特性研究
本文研究了具有优良电光效应的铁电薄膜铌酸锶钡(Strontium Barium Niobate,SrxBa1-xNb2O6) 在不同的单晶衬底上的生长特性,针对不同的衬底,不同的生长工艺以及不同结构的薄膜的光学性能, 如...
叶辉李跃甫
文献传递
硅基择优取向铌酸锶钡薄膜的磁控溅射沉积研究
四方钨青铜结构的铌酸锶钡(Strontium BariumNiobium SBN)以其较大的线性电光系数、较高的光折变性能灵敏度和热释电系数广泛应用于电光调制器、全息成像存储器和红外热释电探测器等方面。透明导电薄膜氧化铟...
李跃甫
关键词:导电薄膜磁控溅射沉积性能表征
文献传递
共1页<1>
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