李立
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金模拟集成电路重点实验室基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 量子阱Si/SiGe/Si p型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型
- 2012年
- Si材料中较低的空穴迁移率限制了Si互补金属氧化物半导体器件在高频领域的应用.针对SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)结构,通过求解纵向一维泊松方程,得到了器件的纵向电势分布,并在此基础上建立了器件的阈值电压模型,讨论了Ge组分、缓冲层厚度、Si帽层厚度和衬底掺杂对阈值电压的影响.由于SiGe沟道层较薄,计算中考虑了该层价带势阱中的量子化效应.当栅电压绝对值过大时,由于能带弯曲和能级分裂造成SiGe沟道层中的空穴会越过势垒到达Si/SiO2界面,从而引起器件性能的退化.建立了量子阱SiGe PMOSFET沟道层的空穴面密度模型,提出了最大工作栅电压的概念,对由栅电压引起的沟道饱和进行了计算和分析.研究结果表明,器件的阈值电压和最大工作栅压与SiGe层Ge组分关系密切,Ge组分的适当提高可以使器件工作栅电压范围有效增大.
- 李立刘红侠杨兆年
- 关键词：SIGE阈值电压
- SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
- 2006年
- 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGeHBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGeHBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜李立姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 海上大气波导的抛物方程法分析被引量：2
- 2010年
- 大气波导是影响电子信息系统的重要环境因素,影响着海上雷达等无线电系统的运作,文中利用抛物方程的离散混合傅里叶变换算法,建立了海上大气波导中电磁波传播路径模式,并对标准大气、蒸发波导和表面波导中的电磁波传播损耗进行比较,结果表明海上大气反常传播可实现低空目标的超视距探测。
- 董翠李立吴振森
- 关键词：大气波导抛物方程传输损耗
- 可嵌入PSPICE软件的SiGe HBT 扩散电容模型
- 载流子在发射结和集电结的运动引起的电荷存储效应,被称为扩散电容.在PSPICE模拟软件中,模型还不是很精确,本文主要建立了可以嵌入PSPICE的SiGeHBT的扩散电容模型,使其可以更精确的模拟仿真SiGeHBT器件和电...
- 朱永刚戴显英李立宣荣喜王青崔晓英王顺祥
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 文献传递
- 基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响
- 2006年
- 采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能,重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fT的影响。三角形分布,又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了消除集电结处SiGe异质结的价带势垒对空穴输运的影响,Ge组分向集电区延伸进一步提高了晶体管的性能。得到最大电流增益β可达150和特征频率fT可达15 GHz的pnp SiGe HBT,可以广泛地应用到通信、微波和射频领域。
- 李立戴显英朱永刚胡辉勇
- 关键词：SIGEPNPHBT
