李大业
- 作品数：11 被引量：30H指数：4
- 供职机构：沈阳工业大学基础教育学院更多>>
- 发文基金：辽宁省自然科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 小直径螺旋型单壁碳纳米管电子结构的计算被引量：1
- 2011年
- 针对结构参数(m,n)为(4,1)、(4,2)和(5,2)等小直径螺旋型单壁碳纳米管的电子结构,采用密度泛函理论、第一性原理以及AB INIT软件进行了理论计算,得到了上述管的电子能带及其态密度曲线,并分析了这些管的导电性能.计算结果表明:(4,1)和(5,2)这两种单壁碳纳米管无能量禁带,均属于金属型;而(4,2)管有能量禁带,属于半导体型.此结论与用金属型单壁碳纳米管的判据m-n=3J(J=0,1,2,3,…)给出的结果一致.
- 郭连权冷利刘嘉慧宋开颜马贺李大业张平
- 关键词：小直径单壁碳纳米管密度泛函理论第一性原理态密度
- 锯齿型、螺旋型单壁碳纳米管的能带计算
- 2009年
- 在紧束缚近似方法得到的扶手椅型单壁碳纳米管能带的基础上,通过坐标变换得到了锯齿型和螺旋型单壁碳纳米管能带的数学表达式,对结构参数为(9,0)、(10,0)、(7,4)和(9,6)型单壁碳纳米管的能带曲线进行了计算,并对能带曲线的特征进行了深入讨论和分析.研究表明,当结构参数满足|m-n|=3J(J=整数)时为金属型碳纳米管,当不满足上式时为半导体型碳纳米管.由于固体的许多基本物理性质可以由固体的能带理论阐明和解释,因此,该结论对单壁碳纳米管π电子结构以及物性研究提供了有益的理论参考.
- 郭连权刘嘉慧马贺宋开颜武鹤楠李大业
- 关键词：碳纳米管Π电子
- ZnO晶体晶格常数及弹性模量的第一性原理计算被引量：4
- 2010年
- 本文采用密度泛函理论及第一性原理对ZnO晶体结构参数和弹性模量进行了模拟计算,推导出了六角密集结构晶体弹性模量的解析表达式。计算中采用了Abinit计算软件,得到了ZnO晶体的晶格常数和弹性模量。计算表明,a轴和c轴的晶格常数分别为a=6.03Bohr(1Bohr=0.053nm)和c=9.82Bohr,与实验值比较其相对误差均在1.63%以下。在用局域密度近似和广义梯度近似两种不同的方法计算弹性模量时,用局域密度近似的计算结果为1.402Pa,与实验结果比较相对误差为2.6%。计算得知,它比广义梯度近似的计算结果更为精确。
- 郭连权李大业刘嘉慧马贺武鹤楠冷利张平
- 关键词：ZNO密度泛函理论晶格常数弹性模量
- Ti-Al金属间化合物的力热性能及其能带计算被引量：4
- 2018年
- 为了比较Ti-Al合金中主要合金相的力热性能和电子结构的差异,对Ti-Al合金中的TiAl、TiAl_2、TiAl_3与Ti3Al金属间化合物的生成热、结合能、弹性系数、电子能带和电子态密度进行了计算,且计算中采用了基于密度泛函理论的第一性原理以及Materials Studio软件中的CASTEP软件包.结果表明,4种金属间化合物中Ti3Al相的合金化形成能力最强,结构也最稳定,Ti3Al相呈韧性,且抗变形能力和刚性最强.4种金属间化合物均无能量禁带,均属于金属性材料,其中Ti3Al相金属性最强,Ti A13相金属性最弱.
- 郭连权刘冰冰马贺李大业
- 关键词：TI-AL合金第一性原理生成热结合能电子态密度
- ZnO晶体的弹性模量和外压下电子结构的密度泛函理论计算
- ZnO晶体具有良好的光电性、透明导电性、压电性、气敏性、压敏性,且易与多种半导体材料实现集成化,形成复合材料。由于ZnO晶体具有这些优异的性质,使其具有广泛和潜在的用途。对于ZnO晶体的应用和相关器件的开发都依赖于对Zn...
- 李大业
- 关键词：弹性模量外压电子结构
- 文献传递
- 非手性型单壁碳纳米管的对称性分析被引量：2
- 2008年
- 碳纳米管有着奇特的物理性质和化学性质,该性质与其特有的几何结构有着密切的关系。本文由点群理论出发,分析了非手性型即锯齿型(n,0)和扶手椅型(n,n)单壁碳纳米管所属的点群,并对这两种类型的单壁碳纳米管的对称元进行总结。分析出n为奇数与偶数时它分属两个不同的点群。并列举了n分别取6和5时(6,0),(6,6)与(5,0),(5,5)型单壁碳纳米管分别所属的点群为D6h和D5d,并给出相应的特征标表。
- 郭连权宋开颜武鹤楠马贺李大业
- 关键词：碳纳米管对称性点群特征标表
- ZnO能带及态密度的密度泛函理论研究被引量：8
- 2009年
- 本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算。得到了ZnO的能带和态密度曲线。研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1eV处的宽度为1.1eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值。
- 郭连权武鹤楠刘嘉慧马贺宋开颜李大业
- 关键词：ZNO第一性原理密度泛函理论带隙
- 外磁场中单壁碳纳米管π电子能隙的理论计算被引量：2
- 2013年
- 为了得到单壁碳纳米管在外磁场作用下的电子结构规律,从紧束缚模型出发,利用量子理论和固体理论计算了在外磁场作用下单壁碳纳米管(SWNTs)中π电子的能带表达式.在此基础上,利用SWNTs的周期性边界条件和晶体中的布洛赫定理,得到了扶手椅型SWNTs中π电子的能带表达式,进而推导了外磁场作用下能隙宽度的表达式,从而得知能隙是磁通量Φ的周期函数.由金属型SWNTs的判据m-n=3J(J=0,1,2,3,…)可知,扶手椅型SWNTs(m=n)均为金属型,但由于其在外磁场的作用下可能产生能隙,由此证明了扶手椅型SWNTs可以由金属型转变为半导体型的规律.
- 郭连权张平冷利马贺李大业
- 关键词：磁场单壁碳纳米管紧束缚模型Π电子能隙金属型
- 晶体Si能带的密度泛函及第一性原理计算被引量：4
- 2009年
- 针对晶体Si在二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路中的应用与其能带结构密切相关的问题,采用密度泛函理论及第一性原理的赝势平面波方法,从理论上计算了晶体Si的电子能带.计算结果表明:Si的晶格常数为0.540 nm,与实验参考值相吻合;其价带宽度为11.80 eV,导带宽度为9.58 eV,该结果与其他学者用OPW方法所计算的结果相符合;价带与导带之间的禁带宽度为0.80 eV,进一步说明了Si是良好的半导体材料.
- 郭连权刘嘉慧宋开颜张金虎马贺武鹤楠李大业
- 关键词：半导体禁带宽度密度泛函第一性原理赝势
- AlN晶体声子谱及其热学性能的第一原理计算被引量：4
- 2013年
- 针对AlN晶体的声子谱和热学性能,采用密度泛函理论、第一性原理以及ABINIT软件进行了理论计算,得到了AlN晶体的声子谱以及内能、质量定容热容、熵和自由能与温度的关系曲线,并对曲线进行了理论分析.计算结果表明:AlN晶体的声子谱有12条曲线,其中3支为声学波,9支为光学波,并且形成了一光学带隙.AlN晶体的内能随着温度的增加而增加;质量定容热容起初随着温度的增加而较快地增加,后来逐渐达到稳定值;熵随着温度的增加也在增加,并且关系曲线有一定的弯曲;自由能随着温度的增加在不断地减小.以上计算结果与物理规律具有一致性.
- 郭连权张智勇刘嘉慧冷利李大业林琳
- 关键词：声子热容量自由能
