李丛昱
- 作品数：5 被引量：21H指数：3
- 供职机构：长春理工大学化学与环境工程学院更多>>
- 发文基金：吉林省教育厅科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- SnO_2∶Sb/SiO_2复合薄膜的制备与光学性能被引量：3
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约105 nm,折射率为1.352,底层SnO2∶Sb厚度约1200 nm,折射率为1.91;优化工艺条件下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜的性能优于SnO2∶Sb薄膜,在相同情况下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜对可见光的透过率大于SnO2∶Sb薄膜,这是因为上层SiO2薄膜折射率较低,与底层高折射率SnO2∶Sb薄膜共同构成减反射膜系,提高了膜系的可见光透过率。相比于单层SnO2∶Sb膜,在可见光部分增透率大于4.5%,近红外波段的增透率小于1.0%,基本保持原有导电膜的低红外辐射特性,并提高了可见光透过率。
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- 关键词：溶胶-凝胶SIO2
- SnO_2:Sb透明导电薄膜的制备及光电性能被引量：11
- 2012年
- 采用溶胶–凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2(SnO2:Sb)透明导电薄膜。研究了Sb掺杂量、镀膜次数、热处理温度对SnO2:Sb薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪、Fourier变换红外光谱仪、扫描电子显微镜、四探针电阻仪、分光光度计对薄膜样品进行表征。结果表明:SnO2:Sb薄膜为四方相金红石结构;薄膜结构平整、致密,膜厚与镀膜次数基本成线性关系;在Sb掺杂量为10%,镀膜8次的条件下,薄膜具有最佳的光电性能,方块电阻达105/□;在玻璃上镀SnO2:Sb薄膜后,近红外波段透过率下降显著,由90%降到5.5%,在可见光波段略有降低,仍保持了较高透过率。
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- 关键词：光电性能
- 多孔SiO_2膜的制备和增透性能研究被引量：7
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶结合旋转涂膜法在玻璃基底上制备SiO2薄膜,研究了陈化时间和旋涂速度对SiO2膜增透性能的影响,利用热分析仪、X射线衍射仪、红外光谱仪、扫描电镜、分光光度计、椭偏仪等方法分别对干凝胶的热分解过程、晶体结构、微观形貌、透过率和折射率进行表征。结果表明:膜层透过率与制备条件有一定的规律,随着陈化时间的延长和旋涂速度的增加,增透峰中心波长发生了移动。在最佳工艺条件下,制备的SiO2薄膜具有较好的增透性能,在玻璃上镀SiO2增透膜后,峰值透过率(300～1000 nm)由90%提高到95%,其膜厚为315 nm,折射率为1.352,孔隙率为27%,进一步提高了可见光利用率。
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- 关键词：溶胶-凝胶SIO2多孔增透膜
- ZnSe薄膜电沉积法制备
- ZnSe是一种具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，由于在半导体器件的应用中具有相当大的潜能，如可以作为太阳能电池的窗口材料，特别是以化学气相沉积法、分子束外延法、热壁外延法等技术制备的ZnSe，已经被广...
- 李丛昱
- 关键词：电沉积法太阳能电池电化学还原
- 文献传递
- ZnSe薄膜电沉积制备
- ZnSe是一种具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,由于在半导体器件的应用中具有相当大的潜能,如可以作为太阳能电池的窗口材料,特别是以化学气相沉积法、分子束外延法、热壁外延法等技术制备的ZnSe,已经被广...
- 李丛昱
- 关键词：ZNSE电沉积太阳电池
- 文献传递
