徐庆庆
- 作品数：42 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程交通运输工程更多>>
- 用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟
- 本发明公开了一种用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟，该石墨舟的特征是将原置于母液槽的前方或后方的汞源槽改为置于母液槽的正上方，两槽之间有通道相通，汞源槽产生的汞蒸气通过通道从母液槽的顶面向母液补充汞，使得汞源槽产...
- 魏彦锋徐庆庆杨建荣陈新强
- 文献传递
- 采用(211)碲锌镉衬底制备碲镉汞液相外延薄膜
- 文中对(211)晶向的CdZnTe衬底进行液相外延生长HgCdTe.获得的碲镉汞液相外延材料的组分为0.30～0.33,薄膜厚度为10～15μm,表面缺陷密度为500cm-2,材料的FWHM达到24弧秒,位错腐蚀坑密度约...
- 徐庆庆陈新强魏彦锋曹妩媚赵守仁杨建荣
- 关键词：液相外延
- 文献传递
- 非接触式晶片厚度测量装置及方法
- 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内，使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度，使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距，这...
- 陈晓静魏彦锋张传杰徐庆庆孙瑞赟
- 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法
- 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀...
- 陈建新王芳芳徐志成周易徐庆庆
- 文献传递
- 一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
- 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟，包括：底板、滑块以及固定底板和滑块的底座，底板上开有一孔道，孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片，石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道...
- 陈新强杨建荣魏彦锋徐琰徐庆庆何力
- 文献传递
- Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析被引量：1
- 2007年
- 通过改进推舟液相外延技术,成功地在（211）晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,（211）Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规（111）CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为（5~8）×10^5cm^-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70＂左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用.
- 徐庆庆陈新强魏彦锋杨建荣陈路
- 关键词：HGCDTE液相外延
- 用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟
- 本发明公开了一种用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟，该石墨舟的特征是将原置于母液槽的前方或后方的汞源槽改为置于母液槽的正上方，两槽之间有通道相通，汞源槽产生的汞蒸气通过通道从母液槽的顶面向母液补充汞，使得汞源槽产...
- 魏彦锋徐庆庆杨建荣陈新强
- 文献传递
- 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
- 徐庆庆
- 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO2覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于：SiO2覆盖层能够很...
- 关键词：
- 关键词：衬底碲镉汞硅基液相外延
- As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究被引量：3
- 2012年
- 对富碲液相外延As掺杂碲镉汞(HgCdTe)材料的研究发现,其电学性能存在着不稳定性,材料霍尔参数的实验数据与均匀材料的理论计算结果也不能很好的吻合.通过采用剥层变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)测试对材料纵向均匀性进行检测的结果显示,外延材料中的As在高温富汞激活退火过程中具有向材料表面扩散的效应,导致在表面形成了高于主体层浓度1～2个量级的高浓度表面层,并导致了AsTe受主的浓度在HgCdTe薄膜中呈非均匀分布.考虑这一效应并采用双层模型的霍尔参数计算方法后,As掺杂HgCdTe液相外延材料的电学行为得到了较好的解释,并较为准确地获得了退火后材料表面层与主体层的受主浓度及受主能级等电学参数.
- 仇光寅张传杰魏彦锋陈晓静徐庆庆杨建荣
- 关键词：碲镉汞
- As掺杂碲镉汞多载流子体系电学特性研究
- 2010年
- 用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线。用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合（MEPMS＋MCF）的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化。结果表明,在20~280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小。其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加。在100~280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小。用MEPMS＋MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合。
- 周文政代娴林铁徐庆庆褚君浩
- 关键词：HG1-XCDXTE磁输运载流子浓度载流子迁移率
