彭洁
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项国家大学生创新性实验计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 退火温度对Ge/SiO_2多层膜的结构和光学性能的影响
- 2014年
- 采用磁控溅射技术在石英衬底上制备出(Ge/SiO2)15多层膜,并在不同温度下对其进行退火处理。XRD和Raman结果表明:溅射态的薄膜为非晶态,当退火温度为500℃时开始出现明显的结晶衍射峰,随后晶化率明显增大,当600℃后,薄膜的晶化率几乎不变。FESEM和小角度X射线衍射结果表明:溅射态薄膜的层与层之间存在明显的界面,具有良好的周期性,升高退火温度,晶粒尺寸增大,但仍保持周期性结构。薄膜的紫外-可见光吸收光谱表明:随着退火温度的升高,吸收边发生红移,光学带隙从溅射态的1.86eV减小到600℃时的1.59eV。
- 彭洁李子全刘劲松蒋明许奇
- 关键词：贮氢电极合金相结构
- Ge/SiO_2和Ge/ZnO/SiO_2薄膜的磁控溅射制备及电学性能被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。
- 余乐刘劲松李子全陈建康何明霞彭洁曹安刘建宁蒋维娜万龙
- 关键词：射频磁控溅射
- Mo对A_2B_7型La-Mg-Ni贮氢电极合金相结构及电化学性能的影响被引量：4
- 2014年
- 采用磁控溅射技术在石英衬底上制备出(Ge/SiO2)15多层膜,并在不同温度下对其进行退火处理。XRD和Raman结果表明:溅射态的薄膜为非晶态,当退火温度为500℃时开始出现明显的结晶衍射峰,随后晶化率明显增大,当600℃后,薄膜的晶化率几乎不变。FESEM和小角度X射线衍射结果表明:溅射态薄膜的层与层之间存在明显的界面,具有良好的周期性,升高退火温度,晶粒尺寸增大,但仍保持周期性结构。薄膜的紫外-可见光吸收光谱表明:随着退火温度的升高,吸收边发生红移,光学带隙从溅射态的1.86eV减小到600℃时的1.59eV。
- 蒋明李子全刘劲松彭洁谢理明
- 关键词：射频磁控溅射退火温度UV-VIS光谱
- (Si/Ge)_n多层薄膜的设计制备及光吸收性能被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射技术,在石英玻璃衬底上沉积了具有不同层数和厚度的(Si/Ge)n多层薄膜。XRD、Raman光谱测试表明,溅射态薄膜为微晶结构,在溅射过程中层间扩散形成Si-Ge振动键,溅射时间和薄膜层数影响着薄膜层间的扩散和结晶率;FESEM结果表明,薄膜表面由颗粒团簇构成,层与层之间有明显界面。UV-vis光谱测试表明,(Si/Ge)n多层薄膜在可见光范围内具有较宽的吸收,增加薄膜层数可扩大太阳能光谱的响应范围,而增加Si单层膜厚度对光吸收范围的影响较小。
- 何明霞刘劲松李子全曹安刘建宁丛孟启蒋维娜彭洁余乐
- 关键词：射频磁控溅射层数厚度UV-VIS光谱
