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彭子龙

作品数：24 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇理学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 15篇存储器
  • 13篇隧道结
  • 12篇随机存取
  • 12篇随机存取存储...
  • 12篇磁随机存取存...
  • 12篇存取
  • 10篇磁性
  • 10篇磁性薄膜
  • 10篇磁性隧道结
  • 6篇元件
  • 5篇接触孔
  • 5篇磁电
  • 4篇电流强度
  • 4篇随机存储器
  • 4篇逻辑元件
  • 4篇开关
  • 4篇磁场
  • 3篇地线
  • 3篇外围电路
  • 3篇写字

机构

  • 24篇中国科学院
  • 1篇北京石油化工...
  • 1篇天津理工学院

作者

  • 24篇彭子龙
  • 19篇韩秀峰
  • 19篇詹文山
  • 9篇魏红祥
  • 9篇王伟宁
  • 8篇曾中明
  • 7篇朱涛
  • 7篇赵素芬
  • 4篇王天兴
  • 4篇姜丽仙
  • 4篇杨捍东
  • 3篇李飞飞
  • 2篇韩宇男
  • 2篇翟光杰
  • 2篇杜关祥
  • 1篇温振超
  • 1篇刘厚方
  • 1篇赵燕平
  • 1篇王琰
  • 1篇刘东屏

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇科技开发动态

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 6篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
磁随机存取存储器
本发明公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布...
彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
文献传递
一种碳纳米管磁随机存取存储器
本发明公开了一种以碳纳米管作为势垒层的磁随机存取存储器，该MRAM单元中的磁性薄膜存储单元为以碳纳米管作为势垒层的磁性隧道结(MTJ)，MRAM单元中的信息写入操作由一个平行于磁性薄膜存储单元的电流以及另一个垂直于磁性薄...
魏红祥曾中明王天兴赵素芬彭子龙韩秀峰
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磁随机存取存储器
本发明公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布...
彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
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基于磁性隧道结的磁随机存取存储器原理与设计
本文首先结合自旋相关隧道效应及磁性隧道结的介绍,系统论述了基于MTJ单元的MRAM的基本原理及其存在的问题.然后重点描述了微磁学模拟计算的方法,以及在MRAM中对其中MTJ存储单元的反磁化行为的微磁学计算研究的思路与方法...
彭子龙
关键词：MRAM微磁学
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利用金属掩膜法制备高磁电阻磁性隧道结
利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁性隧道结,其结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为1.87×10<'4>Ωμm<'2...
韩秀峰王伟宁李飞飞赵素芬彭子龙詹文山
关键词：磁性隧道结磁电阻
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基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件
本发明涉及一种基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，包括：三条输入信号线、两条输出信号线和磁性多层膜，所述的磁性多层膜环状闭合型，三条输入信号线中每条输入线中流过的电流强度均相同，且均穿过磁性多层膜；或是所述的磁性多层膜...
韩秀峰曾中明韩宇男姜丽仙彭子龙詹文山
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磁随机存取存储器
本实用新型公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WW...
彭子龙王伟宁韩秀峰朱涛詹文山
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用于制备MRAM的高磁电阻磁性隧道结
利用金属掩膜法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩膜的狭缝宽度为100μm。采用4 nm厚的CoFe为铁磁电极和1 nm或0.8 nm厚的铝氧化物为势垒膜,可直接制备出室温磁电阻比值为30～48%的磁性隧道结。例...
韩秀峰李飞飞王伟宁彭子龙赵素芬詹文山
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外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器
2005年
编号：0506202 该发明专利是一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器。
魏红祥杨捍东彭子龙
关键词：磁随机存取存储器外围电路
外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器
本发明公开了一种外围电路平衡驱动的磁随机存取存储器，包括：a)由外围电路构成的存储器控制单元，该控制单元独立于磁性薄膜存储单元构成的存储单元阵列，手动或自动地选择信息读取和写入的位置；b)由磁性薄膜存储单元构成的存储单元...
魏红祥杨捍东彭子龙翟光杰韩秀峰詹文山
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