张晓丹
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：天津师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究
- 2001年
- 用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ,最佳退火条件是 80 0℃ ,1 0 s.同时二次离子质谱 ( SIMS)的分析表明 ,电介质盖层 Si3 N4 和快速热退火 ( RTA)导致量子阱中阱和垒之间元素互扩 。
- 张晓丹赵杰王永晨
- 关键词：光荧光谱二次离子质谱INGAAS/INP光电集成电路
- 无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究被引量：2
- 2002年
- 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
- 张晓丹赵杰王永晨金鹏
- 关键词：光荧光谱磷化铟多量子阱结构
- 含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响
- 2002年
- 报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高纯氮气保护下经 85 0℃、7s的快速退火处理 ,结果发现 :含磷组分 Si Ox Py Nz 电介质薄膜包封下的 In-Ga As P/In P量子阱带隙展宽十分显著 ,高达 2 2 4 me V ,PL谱峰值波长蓝移 342 nm ,半宽较窄仅为 2 5 nm ,说明量子阱性能保持十分良好 。
- 王永晨张晓丹赵杰殷景志杨树人张淑云
- 关键词：磷化铟INGAASP
- 运用无杂质空位扩散法研究InGaAs/InP多量子阱结构带隙的蓝移效应
- 2001年
- 采用光荧光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)的方法研究了由Si_3N_4和SiO_2电介质膜的无杂质空位诱导(IFVD)的InGaAs/InP多量子阱(MQWS)结构的带隙蓝移。实验中选用Si_3N_4和SiO_2作为电介质膜,用以产生空位,并经过快速热退火处理。实验结果表明:带隙蓝移同退火温度和电介质膜有关,对于盖层为InP的InGaAs/InP多量子阱结构来说,好的退火温度是750℃,在此温度下Si_3N_4电介质膜导致的蓝移量较大。同时二次离子质谱(SIMS)的分析表明,电介质膜和快速热退火(RTA)能导致多量子阱中阱和垒组分互扩,这种互扩是导致带隙蓝移主要原因。
- 张晓丹王永晨赵杰
- 关键词：多量子阱INGAAS/INP半导体
- Si_3N_4无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构带隙的蓝移
- 2001年
- 用光荧光谱和二次离子质谱的方法 ,研究了由Si3N4 电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理。实验结果表明 ,带隙蓝移同退火时间和退火温度有关 ,合理选用退火条件可以控制带隙的蓝移量。二次离子质谱分析表明 ,电介质盖层Si3N4 和快速热退火导致量子阱中阱和垒之间互扩 ,这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。
- 张晓丹王永晨赵杰陈景莉冯哲川
- 关键词：光荧光谱二次离子质谱蓝移
- 用无杂质空位扩散方法研究InGaAsP/InP多量子阱结构的带隙蓝移
- 随着光电通信的快速发展,单片集成有源和无源器件已成为人们研究的热门课题。目前,已经有几种技术可以用于制造光集成电路(PICs)。例如,量子阱互混(QWI)技术和选择性再生长技术。虽然,选择性再生长种技术能够独立地设计每一...
- 张晓丹赵杰
- 文献传递
