张延召
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
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- In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
- 2010年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。
- 张延召秦志新桑立雯许正昱于涛杨子文沈波张国义赵岚张向锋成彩晶孙维国
- 关键词：激活能
- Mg掺杂的Al_xGa_(1-x)N/GaN超晶格紫外峰的性质被引量：1
- 2009年
- 观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格(SLs)样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光(PL)光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射(UVL)峰的起源及相关影响因素。实验发现:同一样品在N2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至饱和继而急剧下降,峰位红移;而在相同退火条件下,随着掺杂Mg的流量增加,样品空穴浓度下降,峰强减弱,峰位红移。结果表明:UVL峰是来自于易热分解的浅施主(VNH)与浅受主(MgGa)之间的跃迁,并受到深施主(MgGaVN)与浅受主(MgGa)自补偿效应的影响。实验上随着PL光谱激发强度的增强,UVL峰位约有260meV的蓝移,结合超晶格极化场下的能带模型分析,认为这是极化效应导致的锯齿状能带中,VNH与MgGa之间跃迁方式的改变引起的现象。
- 于涛李睿杨子文张晓敏张延召陈伟华胡晓东
- 关键词：超晶格极化效应
- 一种生长p型AlGaN的方法
- 本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂...
- 张国义桑立雯秦志新张延召杨志坚于彤军方浩
- 文献传递
- P型Al<,x>Ga<,1-x>N材料特性研究及其在深紫外器件中的应用
- GaN及其化合物AlxGa1-xN，InxGa1-xN，AlxInyGa1-x-yN在光电器件及高温、高功率电子器件等方面有着广泛的应用。近年来，深紫外太阳光盲探测器和高效率的深紫外LED成为了III族氮化物研究中的热点...
- 张延召
- 关键词：材料特性光电器件发光强度
