张丽娟
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计
- 2006年
- 介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果.
- 孙承松张丽娟陈桂梅袁凯
- 关键词：熔丝可编程只读存储器集成电路
- 高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究被引量：6
- 2005年
- 本文主要介绍采用磁控溅射制备Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的N i-Cr薄膜,并把它应用到具体电路中,取得满意的效果。
- 张丽娟王芳孙承松蔡震陈桂梅
- 关键词：磁控溅射
- ONO反熔丝的研究被引量：4
- 2006年
- 反熔丝器件广泛地应用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中.介绍了多晶硅/ONO(氧化层-氮化物-氧化层)/多晶硅结构的反熔丝.描述了半导体技术制造反熔丝的工艺流程和工艺条件.未编程的反熔丝表现为电容特性,电阻即off-state电阻较大;经高电压编程的反熔丝即on-state电阻阻值较低.高压编程过的反熔丝的上下导电层短路(阻值在几十欧姆范围内),形成电流通路.研究中采用生长氧化层-氮化-生长氧化层的方法形成ONO结构.试验数据表明:ONO结构反熔丝介质漏电低于1×10-14A,稳定性高,在较大温度范围内on-state电阻变化小.反熔丝编程电压在15 V以下.
- 孙承松张丽娟李新
- 关键词：反熔丝电阻稳定性
