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廖阳

作品数:19 被引量:0H指数:0
供职机构:上海大学更多>>

文献类型

  • 19篇中文专利

主题

  • 8篇多晶
  • 7篇晶粒
  • 6篇晶粒大小
  • 5篇气相沉积
  • 5篇纳米
  • 5篇金属诱导
  • 5篇硅薄膜
  • 5篇非晶硅
  • 5篇非晶硅薄膜
  • 4篇铜锌
  • 4篇金属
  • 4篇厚膜
  • 3篇多晶硅
  • 3篇探测器
  • 3篇退火
  • 3篇气相
  • 3篇气相沉积法
  • 3篇金属诱导晶化
  • 3篇
  • 2篇电池

机构

  • 19篇上海大学

作者

  • 19篇廖阳
  • 19篇史伟民
  • 13篇钱隽
  • 13篇李季戎
  • 9篇王国华
  • 6篇杨伟光
  • 6篇周平生
  • 6篇刘功龙
  • 5篇张月璐
  • 5篇吕燕芳
  • 4篇金晶
  • 4篇瞿晓雷
  • 3篇马磊
  • 3篇李杰
  • 3篇袁安东
  • 3篇许月阳
  • 3篇陆舒逸
  • 2篇黄璐
  • 2篇陈振一
  • 2篇沈春夏

年份

  • 1篇2015
  • 11篇2013
  • 6篇2012
  • 1篇2010
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法
本发明涉及一种X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法,主要是先通过物理气相沉积法生长多晶碘化汞厚膜,最后再经过电极的制备及探测器封装等步骤,属于半导体探测器制备工艺技术领域。通过本方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小...
史伟民刘功龙廖阳吕燕芳张月璐马磊陶佳佳
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超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置
本实用新型超声波辅助下水浴真空物理气相沉积厚膜的系统装置,主要包括有具有真空室、沉积厚膜的TFT基片、基片温度控制仪、真空抽气泵、循环冷却水管、膜原料蒸发管及其水浴加热槽超声波产生器。本实用新型的装置结构简单,易于操作,...
刘功龙史伟民吕燕芳廖阳杨伟光袁安东瞿晓雷
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一种ZnS包覆的ZnO纳米阵列核壳结构的制备方法
本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnOZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫(CZTS)太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件...
史伟民袁安东张月璐廖阳杨伟光李季戎钱隽王国华王晨韩洋沈心蔚陶媛
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铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
本发明涉及一种铝在低温下诱导非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,其属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用,在低温下通过两步退火法,将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜,以减少金属沾污。其主要技术方案是:首先在玻璃上作为生长...
史伟民钱隽金晶李季戎廖阳王国华许月阳
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一种CdS/SiO<Sub>2</Sub>纳米透明复合薄膜的制备方法
本发明采用CdS/SiO<Sub>2</Sub>共溅射法,射频磁控溅射制备CdS量子点纳米复合薄膜,属于半导体纳米复合薄膜材料制备技术领域。溅射法与化学水浴法等比较,具有快速、低温,以功率及时间控制复合薄膜密度、厚度等优...
秦娟王国华陈振一廖阳李季戎钱隽史伟民孙纽一
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一种SiO<Sub>2</Sub>包覆的CdS量子点纳米复合薄膜的制备方法
本发明涉及用溶胶凝胶过程,制备SiO<Sub>2</Sub>包覆的CdS量子点纳米复合薄膜,属半导体纳米复合薄膜制备技术领域。主要解决了包覆后CdS量子点,具良好的分散性,改善发光效率及耐腐蚀性等。具体步骤是以硝酸镉,硫...
秦娟王国华陈振一廖阳李季戎钱隽史伟民孙纽一
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两步退火辅助氯化镍诱导晶化非晶硅薄膜的方法
本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法,属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜;将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中,得到粘稠的溶液并将其旋涂...
金晶瞿晓雷史伟民邱宇峰周平生廖阳
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一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法
本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法,属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnOZnS纳米...
李季戎史伟民廖阳钱隽王国华杨伟光沈心蔚沈介圣何玲玲沈忠文
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干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法
本发明涉及一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法,属于多晶硅薄膜制备技术领域。利用金属铝的催化作用,在低温下通过两步退火法,将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜,以减少金属沾污。首先在玻璃上作为生长衬底,后续依次制备非...
钱隽史伟民廖阳李季戎王国华周平生
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一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法
本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法,具体来说就是利用金属铜的催化作用在低温下通过循环退火将非晶硅薄膜诱导晶化为多晶硅薄膜。本发明的主要技术方案是首先在玻璃衬底上生长衬底/非晶硅/二氧化硅/铜膜的结构,然后进行循环式退火,...
史伟民周平生周平华李杰瞿晓雷廖阳钱隽李季戎张月璐许月阳
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共2页<12>
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